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  这些LDO稳压器均具有系统保护和管理功能,包括内部电流限制、热保护、软启动和输出主动放电。 有一个用于关断控制的使能引脚和一个用于诊断监控的电源正常引脚。 LDQ40 器件还具有短路保护功能。
diodes半导体  相较于分立式设计,IHB架构可减少50%的元件数量和30%的PCB空间。新IC还能使逆变器进入睡眠模式,将驱动器功耗降至10mW以下。这意味着在规定的待机功耗限值下,可以为实现网络接入和监控等功能的电路负载提供更多宝贵的功率。
  不同之处在于,该处理器动态地修剪掉权重矩阵中带有零的计算——它的架构允许它执行更有效的“非结构化”修剪,同时保留并行计算。瑞萨电子将其称为“N:M 剪枝”,在许多权重为零的情况下,计算量减少 80% 至 90%(“稀疏矩阵”),而对于所有权重均为非的全稠密矩阵,性能下降至约 8Top/s。零。
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  Pickering推出新款高密度PXI和PXIe多路复用器系列模块,适用于高压应用。该系列产品扩展了Pickering的高压开关范围,40-321系列(PXI)和42-321系列(PXIe)是单刀或双刀多路复用器,可提供多种通道数量和分组的组合。产品能够进行高达1000 VDC或1000 VAC峰值的热切换或冷切换,全系列产品均使用高质量的舌簧继电器。
该设备专为飞针测试仪终用户和制造商而打造,能够确保安全有效地进行测试,同时给与客户更大的灵活性,在无损性能的情况下让客户能够指定测试位置,以满足独特需求。该探头是泰克为确保客户成功执行自动化测试而进行的一项投资。
diodes半导体骁龙X80 5G调制解调器及射频系统,持续引领创新步伐。骁龙X80集成专用5G AI处理器和5G Advanced-ready架构,实现了多项全球首创的里程碑,包括首次在5G调制解调器中集成NB-NTN卫星通信、首次面向智能手机支持6Rx、下行六载波聚合以及首次面向固定无线接入客户端设备(CPE)支持由AI赋能的毫米波增程通信。
在开发一款具有开创性的新游戏控制器时,我们选择了 ST 的集成 MCU 和蓝牙低功耗技术的近距离无线连接微控制器 STM32WBA5。STM32WBA系列是集处理性能、通信外设、成本效益和生态系统于一身的理想解决方案,有助于我们简化和加快开发过程。
REC10K、REC20K 和 REC30K 系列的功率分别为 10 W、20 W 和 30 W,具有 4:1(9-36 VDC 或 18-75 VDC)输入电压范围,提供多种稳压输出电压选项:3.3 V、5 V、9 V、12 V、15 V、24 V、+/-5 V、+/-12 V、+/-15 V 和 +/-24 V(仅限 REC10K)。此外,REC30K 还具有 2:1 (36-75 VDC) 输入电压范围,而且效率更高。单路输出可在 +/-10% 范围内微调,并提供开/关控制功能。
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  G3F GeneSiC MOSFETs 基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发,既拥有优于沟槽栅MOSFET的性能,还具备比竞争对手更强的鲁棒性、可制造性和成本效益。G3F MOSFETs 同时具备高效和高速的性能,可使器件的外壳温度降低高达25°C,比市场上其他厂商的碳化硅产品的寿命长3倍。
diodes半导体  随着当今技术发展突飞猛进,对于结构紧凑、坚固耐用型多功能连接器系统的需求也更甚以往。在汽车行业,对于电池管理系统、摄像系统/传感器和动力转向等新技术的需求日益增多。此外,要求连接器不仅需满足严格的性能要求,还需在恶劣环境中发挥出色性能。
  SIM(用户身份模块)能够对电信运营商网络中的设备进行身份验证。SIM拥有不同的封装形式,而且尺寸随着时间的推移不断缩小,以满足设备制造商节省空间的需求。
  该产品系列包含13款器件,额定电压为700 V、导通电阻范围在20 mΩ至315 mΩ之间。由于器件规格粒度增多,再加上PDFN、TOLL、TOLT等多种行业标准封装选项加持,因此客户可以根据应用的要求选择RDS电阻和封装,以更具成本效益的解决方案优化并实现电气与热系统性能。