HighTec近期发布了首款适用于AURIX? TC3x 和 Tx的ISO 26262 ASIL DRust编译器，能够确保软件的可靠性和性能满足汽车行业的严格要求。整个AURIX? Rust生态系统还包含英飞凌的TC37x外设访问库（PAC）、一套Bluewind外设驱动程序、Veecle的Rust运行时NOS，以及Lauterbach和PLS的工具。这些工具使客户能够使用Rust评估和开发安全的应用程序。一帧为10位，1位起始位、8位数据位（先低后高）、1位停止位。波特率由T1或T2的溢出率确定。在发送或接收到一帧数据后，硬件置TI=1或RI=1，向CPU申请中断；但必须用软件清除中断标志，否则，下一帧数据无法发送或接收。发送：CPU执行一条写SBUF指令，启动了串行口发送，同时将1写入输出移位寄存器的第9位。发送起始位后，在每个移位脉冲的作用下，输出移位寄存器右移一位，左边移入0，在数据位移到输出位时，原写入的第9位1的左边全是0，检测电路检测到这一条件后，使控制电路作最后一次移位，/SEND和DATA无效，发送停止位，一帧结束，置TI=1。该产品系列包括CoolGaN Drive 650 V G5 单开关（集成了一个晶体管和栅极驱动器，采用PQFN 5×6和PQFN 6×8 封装）和CoolGaNDrive HB 650 V G5器件（集成了两个晶体管及高边和低边栅极驱动器，采用 LGA 6×8 封装）。新产品系列实现了更高的效率、更小的系统尺寸和更低的总成本，适用于续航时间较长的电动自行车、便携式电动工具，以及吸尘器、风扇和吹风机等重量较轻的家用电器。塑壳断路器机构
凭借其的BiCS FLASH技术，通过专有工艺和创新架构，铠侠实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡。此外，铠侠还开发了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）（3）技术，以提供更高的位密度和业界的接口速度（3.6Gbps（4））。这些先进技术的应用，共同促成了2Tb QLC存储器的诞生，成就了业界容量的存储器。导通阻抗仅80mΩ。HL8518将业界的封装技术与希荻微自主研发的特殊工艺制程相结合，实现技术突破。通过引入业界的功率封装技术，大幅降低互连阻抗。希荻微在自主研发的特殊工艺制程基础上，基于多年工艺积累，实现技术突破。
塑壳断路器机构)按外形封装的不同可分为金属封装三极管、玻璃封装三极管、陶瓷封装三极管、塑料封装三极管等。三极管引脚极性：插件引脚图示，贴件引脚图示下图为9014。般中小功率的三极管都是遵守左向右依次为ebc（条件是中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为ebc）场效应管：MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。 此外，VLMTG2332ABCA-0在20 mA下典型波长为525 nm，是健身追踪器和其他通过绿光吸收率不同进行心率检测设备的理想选择。VLMB2332T1U2-08在20 mA下典型波长为465 nm，适用于那些利用短波长蓝光检测微小颗粒的烟雾探测器。
塑壳断路器机构” 推出的ITV2718尺寸为2.7 x 1.8mm，提供5安培、三端子丝。 这种创新设计可利用嵌入式丝和加热器元件组合快速做出反应，在过充或过热情况发生之前中断电池组的充电或放电电路。 与上一代产品相比，英飞凌IAUCN08S7N013的RDS(on)降低了50%以上，不超过1.3 mΩ，达到目前业内的水平。该产品以5 x 6 mm 封装实现了更小的传导损耗、的开关性能和更高的功率密度等优点。此外，IAUCN08S7N013 还具有封装电阻和电感低以及抗雪崩电流能力强的特点。该半导体器件在汽车应用方面已取得 AEC-Q101标准以上的。人和设备都在地球这个等电位体上生活工作和运行，需要保护他们的安全，只要是等电位的地方，就不会电到人，所以专家们想出一个方法，就是把这些用电设备接地了，或者把那条中性线接地了，这样让它他们和大地等电位，就不会威胁到人的安全了。所以就出来一条地线了，只要深入在大地上打一个够深的洞，把那条中线性线接地了，这样人触摸到中性线，也是安全的，因为它和大地等电势。另外从布线角度来看，这样节省了一条布线，省和很多钱和很多资源，所以就把这条中性线接地了。