“沟槽辅助平面栅”技术能使碳化硅MOSFETs的RDS(ON)受温度影响小，在整个运行范围内的功率损失降到。在高温的运行环境下中，搭载这一技术的碳化硅MOSFETs，与竞争对手相比，RDS(ON)降低高达20%。住宅小区及工厂使用的电压220V/380V,低压变电所为我们用户提供的供电方式有两种方式：个是TN-C供电方式（用的线制是三相四线制），第二种是TN-S供电方式（用的线制是三相五线制）那么我们分别对这两种进行讲解。TN-C供电方式TN-C方式供电系统它是用工作零线兼作接零保护线，可以称作保护中性线，可用PEN表示TN-C供电方式属于三相四线制，这种供电方式中，中性线直接于大地连接。接地线和中性线合二为一。 在新推出的四款产品中，SRK1004A 和 SRK1004B的栅极驱动电压为5.5V，可与逻辑电平 MOSFET 或 GaN 晶体管配合使用。栅极驱动电压9V的 SRK1004C 和SRK1004D 适用采用标准栅极驱动信号的MOSFET。施耐德塑壳式漏电断路器
“ 东芝刚刚发布了一款采用 1.9 x 1.9mm WCSP 封装的 700MHz 至 5GHz 单刀双掷天线开关。 此传感器专为汽车和工业应用场景而设计，可在 -40℃ 至 160℃ 的环境温度范围内工作，具体取决于电源电压范围。此传感器十分紧凑且用途广泛，并提供十六针 SSOP16 SMD 包装。
施耐德塑壳式漏电断路器变频器由主回路、电源回路、IPM驱动及保护回路、冷却风扇等几部分组成。其结构多为单元化或模块化形式。由于使用方法不正确或设置环境不合理，将容易造成变频器误动作及发生故障，或者无法满足预期的运行效果。为防患于未然，事先对故障原因进行认真分析尤为重要。主回路常见故障分析主回路主要由三相或单相整流桥、平滑电容器、滤波电容器、IPM逆变桥、限流电阻、接触器等元件组成。其中许多常见故障是由电解电容引起。电解电容的寿命主要由加在其两端的直流电压和内部温度所决定，在回路设计时已经选定了电容器的型号，所以内部的温度对电解电容器的寿命起决定作用。 服务多重电子应用领域、前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券代码:STM) 发布了一款新的集MPU和MCU两者之长的高性能产品。微处理器(MPU)系统通常更加复杂，处理性能、系统扩展性和数据安全性更高，而微控制器(MCU)系统的优势是简单和集成度高。取两者之长，意法半导体新产品越级进化。
施耐德塑壳式漏电断路器 L99H92 包含两个高边驱动器和两个低边驱动器，可以控制一个全桥，驱动一台双向直流电机运转，还可以控制两个半桥，驱动两台单向电机运转。这款高集成度且易于配置的驱动器适用于各种汽车系统，包括电动天窗、车窗升降机、电动后备箱、电动滑门和安全带预紧器。 EHL系列符合多种，包括EMC抗扰度的EN61000-4，以及EMC辐射的EN55032和EN61000-3。安规包括IEC62368-1和EN60335-1。这些确保该产品在各类工业电子、机器人、可再生能源、自动化和家庭应用中的安全运行，同时无需外部过滤即可满足噪声要求。同行们，电力危险和风险往往发生在一瞬间，或许在你毫无防备时猝然而至。变压器恢复送电时忙归忙，但别慌。尤其是倒闸操作时，务必更加重视细节，加强与调度沟通，认真核对和继保装置（定值、压板、装置指示等）。对于重要的倒闸操作、检修作业等，认真对照调度规程、运行规程，仔细核对保护装置（压板）是否按照调度的要求正确投入或退出。同时，作业前须认真分析（继保）危险点及隐患，切实采取有效的安全措施，防止人为责任引起断路器误跳闸事件的发生。