Bumblebee X提供综合实时立体视觉解决方案的基本需求。客户可以使用宽基线解决方案测试和部署深度传感系统，工作范围可达20米。低延迟使其成为实时应用的理想选择，例如自主移动机器人、自动引导车辆、拾取和放置、箱子拾取和托盘化。
瑞萨芯片推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块—VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
NVMe NANDrive EX系列具有卓越的数据保持能力和7.5万、15万或40万擦写次数（P/E）的超高耐久性（可达17,800 TBW（TeraBytes Written））。该产品系列目前有20 GB、40 GB、80 GB和160 GB多种容量供客户选择。为了支持长寿命应用的客户，NVMe NANDrive EX 系列固态硬盘也包含在绿芯长期支持 (LTA) 方案中 (https://bit.ly/SSD-LTA-program)。
与早期的类似传感器不同，新的HL-G2系列数字输出设备在每个单元中都包括以太网和RS-485接口，由用于将它们连接到主机系统的电缆选择。
新的 B58101A0109A* (HP100) 系列热泵传感器。这是一种专为 满足汽车应用要求而设计的 NTC（负温度系数）传感器，可通过测量管道表面温度间接测量管道内的制冷剂温度。 新元件适合恶劣工况应用，具有一系列特点和优势，比如：管夹式设计，标准适用于 12.8 mm 的管径；工作温度范 围为-40℃ 至+150℃ ；水中浸没防水时间长达 500 小时；响应时间小于 7 秒；符合 AEC-Q200 标准，介电强度高达 1250 V AC/10 秒（电动汽车应用的重要标准）；85℃ 标称温度条件下的低温容差为±0.3 K，可确保高控制精度。
瑞萨芯片 通过采用更先进的印刷电路板(PCB)和环氧树脂模塑料(EMC)[2]工艺，新一代LPDDR DRAM的封装厚度仅0.65毫米(mm)，薄如指甲，超过之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外，三星优化了背面研磨工艺[3]，进一步压缩了封装厚度。
根据 Satechi 的说法，多端口适配器提供的显示选项包括 8K/30Hz、4K/120Hz、2K/144Hz 和 1080p/240Hz。其中三个 USB-C 数据端口支持高达 10Gb/s 的 USB 3.2 Gen 2 传输速度，而一个则提供 5Gb/s。
CoolSiC混合分立器件采用 TRENCHSTOP 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。
新型固态电池的能量密度是 TDK 传统固态电池的100倍。TDK 的目标是开发可用于各种可穿戴设备（如无线耳机、助听器、智能手表）的新型固态电池，以取代现有的纽扣电池。
瑞萨芯片MLX90427还配备高精度的模拟数字转换器（ADC）、强大数字信号处理器（DSP）来辅助处理信号任务，以及用于SPI信号输出的输出级驱动芯片。
T vj = 25°C时漏源击穿电压为 400 V ，使其适合用于 2 级和 3 级转换器以及同步整流。
这些组件经过 100% 雪崩测试。CoolSiC 技术与 .XT 互连技术相结合，使设备能够应对 AI 处理器功率需求突然变化引起的功率峰值和瞬变。
连接技术和较低且正的 R DS(on)温度系数均可在结温较高的工作条件下保持性能。
新元件的主要性能特点包括：高纹波电流能力，可达7.01 A（120 Hz, +60 °C），在工作温度+105 °C条件下具有≥2000小时的使用寿命。客户可利用基于Web的AlCap工具快捷计算元件在特定应用条件下的使用寿命。