罗姆半导体

保留了该系列早期成员的 40 针 GPIO 连接器,并且有两个 RS-232/422/485 COM 端口、三个 USB 3.2 Gen 2 Type-A 端口、两个 USB 2.0 端口和双千兆以太网 RJ-45 端口。
罗姆半导体  三星轻薄型LPDDR5X DRAM的封装厚度仅0.65mm,散热控制能力更强,适合端侧AI在移动端的应用
  LPDDR封装采用12纳米级工艺,四层堆叠,在提升Die密度的同时,减少厚度,提高耐热性
  三星电子今日宣布其业内薄的12纳米(nm)级LPDDR5X DRAM(内存)开始量产,支持12GB和16GB容量。这将进一步巩固三星在低功耗内存市场的地位。
  SMART RDIMM 内存模块采用Conformal Coating表面涂层技术,为浸没式液冷伺服器的内存模块提供强化保护,大幅提升数据中心应用的可靠性并降低成本。
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 电子纸为产业中节能的显示技术之一,仅在更换画面时耗电。在电子纸系统中,少量的耗电则来自于芯片。 奇景通过精炼的低功耗芯片设计架构,采用半导体高阶制程,打造出超低耗能的芯片。
英飞凌CoolSiC G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合(AC-DC、DC-DC和DC-AC)中树立高质量标杆,并进一步利用英飞凌独特的XT互联技术来提高半导体芯片的性能和散热能力(例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封装的型号)。
  作为一款64位商业级RISC-V处理器内核,Dubhe-70采用9+级流水线、三发射、超标量、乱序执行设计,支持丰富的RISC-V指令集——RV64GCBH。Dubhe-70 SPECint2006 7.2/GHz,性能对标Arm Cortex-A72/A510。
美光科技股份有限公司宣布,推出数据中心 SSD 产品美光 9550 NVMe SSD和第九代NAND 闪存技术产品。在7月31日举行的媒体交流会上,美光相关产品负责人对两款产品的技术参数进行了介绍,并称,9550 SSD基于NVIDIA H100 GPU平台,针对AI工作负载进行了优化,特别考虑了采用大型加速器内存(BaM)进行图神经网络(GNN)训练。
  SQ100 的 SPAD 分辨率为 768 (H) x 576 (V),具有 3×3,6×6,3xn 等多种 binning 方式;在垂直方向可按照4/8/16个像素进行分区,在水平方向可按照8/16/32/48/64/…/256个像素进行分区。SQ100 提供了超灵活分区的 2D 可寻址方案,在真正解决行业长期面临的”高反污染”(Blooming)问题的同时,还能保持高帧率和远测距能力,扫清了 VCSEL+SPAD 量产路线上重要的性能阻碍。
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  美光 9550 SSD 凭借 14.0 GB/s 的顺序读取速率和 10.0 GB/s 的顺序写入速率,提供出色的性能,与业界同类 SSD 相比,其性能提升高达 67%,为 AI 等要求苛刻的工作负载带来业界领先的性能表现。此外,其随机读取速率达到 3,300 KIOPS,比竞品提升高达 35%,随机写入速率达到 400 KIOPS,比竞品提升高达 33%。
罗姆半导体新型固态电池的能量密度是 TDK 传统固态电池的100倍。TDK 的目标是开发可用于各种可穿戴设备(如无线耳机、助听器、智能手表)的新型固态电池,以取代现有的纽扣电池。
  连接器额定电流0.5A,额定电压50V,触点间距1mm,组合高度4.5mm。适用于-40℃~+125℃的严苛环境,满足工业设备的应用需求。产品插头与插座采用防呆结构,可防止误插。公母座两端设有铁耳装置,有效增加了连接器在PCB板的焊接强度,同时分散应力,确保振动冲击环境下连接器的保持力。 连接器还设有定位柱结构,可使连接器在PCB板上的定位安装更准确。
  VNF9Q20F 用作智能断路器,增强电路板上的电压稳定性,防止 PCB 电路板走线、连接器和线束过热。在防止破坏性过载中,意法半导体新的车规功率开关还支持电容充电模式,允许无危害性的冲击电流存在,因此,能够在大电容负载条件下正常运行。

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