SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以连接高低边功率开关管。共有四款产品供用户选择，仅器件选型就可以让用户优化应用设计，通过选择5.5V或 9V的栅极驱动电压，可以在设计选用理想的逻辑电平 MOSFET、标准 MOSFET 或 GaN 晶体管，避免复杂的计算过程。 SRK1004 适用于非互补性有源钳位、谐振和准谐振 (QR) 反激式拓扑，引入了能够简化开关操作并节省电能的新一代关断算法。　　近年来，激光在医美领域的应用日益增多，受到业界的广泛关注。立芯光电一直致力于医美领域大功率半导体激光芯片技术的不断创新研发。　　为此，村田开发了一种在达到了世界超高水平精度的6轴MEMS惯性传感器，噪声低而且输出稳定。陀螺仪传感器和加速度传感器的每个轴都能输出经过正交补正后的值。能简化用户的校准过程，有助于降低生产成本。因此，这些半导体器件能够凭借更高的开关频率实现更小、更的高功率密度系统解决方案。同时，物料清单（BoM）也有所减少。这不仅降低了系统重量，还减少了碳足迹。　　OIS是光学图像防抖稳定系统的简称，在摄像行业有比较广泛的应用，主要作用于数码相机、手机摄像头等，通过物理技术来实现镜头与机身产生抖动方向的补偿，使拍摄画面变得稳定。相较于传统的集成式OIS产品，MSD4100WA提供了更低成本的解决方案，通过内部集成的线性霍尔传感器替代了原有的高成本TMR/GaAs位置传感器，同时硬件PID电路的实现也省去了内部集成的MCU，从而大大降低了整体的硬件成本。　　的KSC2轻触开关具有卓越的耐用性和更长的使用寿命，优于市场上的其他开关，不需要频繁更换。随着时间的推移，其稳定性能可增强用户信心，确保功能可靠。　　面向高端层级，第三代高通S5音频平台及其全新架构将有助于推动开发者创新，打造更佳音频体验。与前代平台相比，该平台带来超过3倍的计算性能提升和超过50倍的AI性能提升。这将让第三代高通S5音频平台可用于打造需要对终端使用方式和地点作出响应的终端，从而为用户在工作、居家和外出时提供无缝且快速响应的音频体验。　　在应用模式下，HAL/HAR 3936 在测量磁铁的 360°角度范围、线性运动和抗杂散场 3D 位置信息方面表现出色。杂散场 稳健型 3D 模式，加上读取外部信号的潜能，让转向柱开关检测获得前所未有的稳健性。利用霍尔技术，该传感器可有效外部杂散磁场，确保在任何情况下都能进行准确测量。　　新系列电容器符合 RoHS 标准，直径为 85 mm 或 116 mm 柱形铝制外壳，由合成树脂顶盖。其金属化聚丙烯薄膜 采用干燥的树脂密封，并通过 M6 螺柱端子实现安全的电气连接，底部使用 M12 螺栓进行机械固定。天正双电源自动切换开关　　MAX32690 MCU采用68引线TQFN-EP（0.40mm间距）封装和140焊球WLP（0.35mm间距）封装。该器件适用于工业环境，额定温度范围-40°C至+105°C，目标应用包括有线和无线工业通信、可穿戴和可听戴健身及健康设备、可穿戴无线设备、IoT和IIoT以及资产跟踪。MAX32690拥有配套的评估套件 (MAX32690EVKIT#)，也可在贸泽网站订购。　　SRK1004x 同步整流控制器全系产品现已量产。四款产品的评估板EVLSRK1004A、EVLSRK1004B、EVLSRK1004C和 EVLSRK1004D现已上市，这些板子可以帮助开发者加快产品评估过程，及早开始设计。　　ST推出了 一款一体化、直接飞行时间（dToF ）3D LiDAR（光探测和测距）模块，具有市场的2.3k分辨率，并透露了的50万像素的早期设计胜利间接飞行时间 ( iToF ) 传感器。　　这两款产品的能耗很低，在eUSB收发模式下，功耗130mW；在UART、GPIO和I2C模式下，功耗仅为90mW；待机功耗为23W。两款芯片的传输速率达到480Mbit/s，符合USB 2.0高速规范要求，因此，无线连接可以达到线缆的传输速度和低延迟。这些新增产品包括可直接用于射频应用的WBZ350模块和PIC32CX-BZ3 SoC，为在产品设计中集成蓝牙低功耗单片机（MCU）提供了的门槛。如需了解全部12款产品，请访问Microchip蓝牙低功耗网页。因此，这些半导体器件能够凭借更高的开关频率实现更小、更的高功率密度系统解决方案。同时，物料清单（BoM）也有所减少。这不仅降低了系统重量，还减少了碳足迹。　　钛酸钡热敏电阻由瓷片组成，两端焊接镀锡CCS引线，涂有符合UL 94 V-0标准的耐高温硅树脂涂料。器件符合RoHS标准，经过C-UL-US，文件编号E148885，适于 AC和DC使用，提高并控制安全水平。PTCEL13R和PTCEL17R具有SPICE和3D两种型号。Smart Sense产品具有2 kV静电放电耐受能力，可连接到控制器电流感应以实现峰值电流控制和过流保护。电流检测响应时间约为200 ns，小于等于普通控制器的消隐时间，具有极高的兼容性。该产品系列包括CoolGaN Drive 650 V G5 单开关（集成了一个晶体管和栅极驱动器，采用PQFN 5×6和PQFN 6×8 封装）和CoolGaNDrive HB 650 V G5器件（集成了两个晶体管及高边和低边栅极驱动器，采用 LGA 6×8 封装）。新产品系列实现了更高的效率、更小的系统尺寸和更低的总成本，适用于续航时间较长的电动自行车、便携式电动工具，以及吸尘器、风扇和吹风机等重量较轻的家用电器。下表比较了高级控制定时器、普通定时器和基本定时器的功能：定时器功能比较1）计数器三种计数模式向上计数模式：从0开始，计到arr预设值，产生溢出事件，返回重新计时向下计数模式：从arr预设值开始，计到0，产生溢出事件，返回重新计时对齐模式：从0开始向上计数，计到arr产生溢出事件，然后向下计数，计数到1以后，又产生溢出，然后再从0开始向上计数。（此种技术方法也可叫向上/向下计数）2）高级控制定时器（TIM1和TIM8）两个高级控制定时器（TIM1和TIM8）可以被看成是分配到6个通的三三相PWM发生器，它具有带死区插入的互补PWM输出，还可以被当成完整的通用定时器。NVMe NANDrive BGA封装的固态硬盘样品，以满足其用户在高压力、严苛工作环境的嵌入式应用中要求高可靠、高性能的数据存储需求。NVMe NANDrive固态硬盘工作温度-40oC至+95oC，支持PCIe Gen3x4接口，采用行业标准的M.2 1620（16 x 20mm，291球）BGA封装。欲了解更多NVMe NANDrive 产品信息，请访问https://bit.ly/NVMe-BGA-SSD。天正双电源自动切换开关CPU的工作原理让我们通过一个具体运算3+4，来说明CPU的操作过程吧。假设保存在内存中的程序和数据如下。步骤1：当程序被执行时，CPU就读取当前PC指向的地址0000中的指令（该操作称为指令读取）。经过电路解读后，这条指令的意思是“读取0100地址中的内容，然后，保存到寄存器1”。于是CPU就执行指令，从0100地址中读取数据，存入寄存器1。寄存器1：03（由0变为3）由于执行了1条指令，PC的值变为0001步骤2：由于PC的值为0001，因此CPU就读取0001地址中的指令，经电路后，CPU执行该指令。　　作为率先在业界提出分布式融合存储的厂商，浪潮信息聚焦行业客户的大模型落地需求与核心痛点，基于NVMe SSD研发出适配和优化的分布式全闪存储AS13000G7-N系列。硬件方面，AS13000G7-N是一款2U24盘位的全闪存储机型，搭载英特尔至强第四、第五代可扩展处理器，支持400 Gb 网卡，同时每盘位可配置15.36TB 大容量NVMe SSD。“三相电”的概念是：线圈在磁场中旋转时，导线切割磁场线会产生感应电动势，它的变化规律可用正弦曲线表示。如果我们取三个线圈，将它们在空间位置上相差点120度角，三个线圈仍旧在磁场中以相同速度旋转，一定会感应出三个频率相同的感应电动势。由于三个线圈在空间位置相差点120度角，故产生的电流亦是三相正弦变化，称为三相正弦交流电。工业用电采用三相电，如三相交流电动机等。任两相之间的电压都是380VAC，任一相对地电压都是220VAC。天正双电源自动切换开关　　为了应对这些挑战，Allegro 推出两款高带宽电流传感器产品ACS37030 和 ACS37032，经优化设计可提供率和高性能，同时减少设计时间和电路板占用空间。它们采用双信号路径方法，其中一条路径使用霍尔效应组件捕获低频直流电流，另一条路径则通过电感线圈捕获高频电流数据。　　此款 IC 对称升压 USB D+ 与 D- 通道，实现共模(Common-Mode)稳定性，并以预加重(Pre-emphasis)方式补偿码间串扰 (ISI)。宽广的供电电压范围可简化系统设计，并延长便携式与电池供电设备的工作窗口。