GD32F5系列高性能MCU采用Arm Cortex-M33内核，支持200MHz的运行主频，工作性能可达3.31 CoreMark/MHz。内置DSP硬件加速器和双精度浮点单元(FPU)，大幅减轻了内核的负担并有助于提升处理效率。新款 CV75AX 和 CV72AX 芯片进一步提升了 AI 性能、效率和增加了应用功能，我们已获得安全设计，而且这些头部车队远程信息服务供应商正在对我们的下一代方案进行评估，更好地实现 Transformer 感知、VLM 模型分析和驾驶行为评分模型。此外，三个系列均支持丰富的外设集、片上存储器、强大的硬件安全功能和各种连接外设选项，包括内置PHY的USB HS/FS、CAN总线、以太网，支持与WiFi 6、/BLE的连接和Matter协议等。PSOCEdge E81 采用ArmHelium DSP技术和英飞凌NNLite神经网络（NN）加速器。PSOC Edge E83和E84内置Arm Ethos-U55微型NPU处理器，与现有的Cortex-M系统相比，其机器学习性能提升了480倍，并且它们支持英飞凌NNlite神经网络加速器，适用于低功耗计算领域的机器学习应用。　　新产品采用东芝专有的SOI工艺（TarfSOI），实现了非常高的带宽：TDS4B212MX的－3 dB带宽（差分）为27.5 GHz（典型值），TDS4A212MX为26.2 GHz（典型值），在业界处于地位[1]。因此，新产品可用作PCIe5.0、USB4和USB4Ver.2等高速差分信号的Mux/De-Mux开关。该电源卓越的传导和辐射发射性能已经过严格测试，符合 MIL-STD-461F 标准，同时还符合MIL-STD-810G 对冲击、跌落和振动的要求。MPPS可承受极其恶劣的环境条件，包括雨、沙、盐、高海拔和-40°C至+70°C的温度范围。　　纳微半导体发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，基于CRPS185外形尺寸，其采用了额定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC级的GaNSafe?氮化镓功率芯片一起，让这款电源实现了138 W/inch的功率密度和超过97%的峰值效率，轻松达到欧盟目前强制执行的“钛金+”效率标准。　　新款 Pixel 智能手机配备了 Google Tensor G4，谷歌称这是为 Gemini 等 AI 量身定制的。它比谷歌之前的处理器速度更快、更省电，谷歌还增加了更多 RAM（Pixel 为 12GB，Pixel Pro 型号为 16GB）。电池寿命和相机技术也改进，Pixel 9 Pro 型号采用 5 倍远摄镜头和 20 倍超分辨率变焦。　　随着3.6V锂离子电池在智能手机中的日益普及，商业无线电行业也期望以比传统7.2V电池更低的成本开发出更高功率的产品。但到目前为止，3.6V电池的使用导致商用无线电放大器的输出功率降低，因此在与智能手机相比需要更高输出的商用无线电放大器市场中，一直在等待能够提高3.6V电池输出功率的MOSFET。STEVAL-WLC98RX电能接收板可处理高达50W的充电功率，安全可靠地支持STSC的全部功能及BPP和EPP充电模式。自适应整流器配置(ARC)将充电距离延长高达50%，为使用成本更低的线圈和更灵活的配置提供了可能。该接收板还为异物检测(FOD)、热管理和系统保护提供的电压电流测量功能。天正双电源自动转换开关出样业界容量密度的新一代 GDDR7 显存。1 美光 GDDR7 采用美光的 1β（1-beta）DRAM 技术和创新架构，以优化的功耗设计打造了速率高达 32 Gb/s 的高性能内存。　　典型应用包括可再生能源（光伏、风力发电）变流器、轨道车辆（火车、地铁、有轨电车）的牵引系统和工业驱动 器的直流支撑电路。　　该负斜率均衡器采用坚固弹性和紧凑的同轴封装设计，工作温度范围为0℃到+90℃，输入功率为150mw，允许用户安全地传输更大功率，无需担心过载和损坏天线端口。　　MX-DaSH连接器提供密封和非密封型供客户选择，以满足各种环境和设计要求，从而优化下一代汽车架构。该连接器支持多种配置，以适应不同的电源和信号端子尺寸，包括0.50、0.64、1.20、1.50、2.80或4.80毫米尺寸，以及用于高速数据传输的高速FAKRA Mini（HFM）模块。　　2．基于内部测试。在铺有地毯的混凝土地面上，1TB和2TB容量规格抗跌落保护可达1.2米；4TB、5TB和6TB容量规格抗跌落保护可达1米。抗冲击强度可达453公斤。IEC 60529 IP54：经测试可承受飞溅的水侵入外壳；有限的灰尘接触不会干扰操作。使用前必须保持产品清洁和干燥。”现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC MOSFET 400 V系列。全新MOSFET产品组合专为AI服务器的AC/DC级开发，是对英飞凌近公布的PSU路线图的补充。该系列器件还适用于太阳能和储能系统（ESS）、变频电机控制、工业和辅助电源（SMPS）以及住宅建筑固态断路器。新型 SRR5228A 及 SRR5828A 系列功率电感器。Bourns 的符合 AEC-Q200 标准的车规级功率电感器，采用铁氧体磁芯和铁氧体设计，这种结构可提供低磁场辐射，特别是针对：汽车驾驶员辅助设备、信息系统和照明设计应用更是至关重要。新款电感器可在低噪音环境下运行，此外也非常适合经常需要更高的可靠性电感器，例如：消费性、工业和电信应用中的 DC-DC 转换器和电源。Linea Lite 相机可适用于广泛的机器视觉应用领域，相机尺寸比一代 Linea 系列小 45%，其设计基于 Teledyne 专有的多线 CMOS 图像传感器。新款 8k 超分辨率黑白相机采用两个 4k/7 μm 像素行，两行彼此间的像素偏移为 ? pix。相机通过两个 4k/7 μm 像素行采集的图像数据进行重构，从而在保证实时性的基础上获得一副 8k/3.5 μm 的超分辨率图像，显著增强了信噪比和亚像素缺陷的检测能力。　　凭借客户可配置的 PWM 或 SENT 输出，HAL/HAR 3936 能够提供灵活性，以适应各种应用场景需求。在 SENT 模式下，传感器遵循 SAE/J2716 Rev.4 标准，具备可配置的参数，如时间指示和帧格式。此外，该传感有两种功能模式，即应用模式和低功率模式，可通过输入信号进行选择，从而能够根据操作要求优化功耗。关于该本体二级管的特性，在规格书中应该有规格说明的。但请大家注意，是二极管而不是稳压管，不要被稳压管的图形搞晕了。第二种情况，注意，是肖特基二极管，图中标注的符号也不对。有些元件有这样集成的情况，且在其参数表中一定有相关方面的参数说明，即：肖特基二极管的电压电流参数，大家在识别元件时应该注意相关的参数另外还有一种可能，那就是标示的场效应管击穿区的稳压管特征。当然，作为生产厂商，他们对场效应管的这种特性是不会做任何保障承诺的。　　管夹式设计使得传感器非常易于安装，无需进入冷却剂或制冷剂回路即可测量制冷剂温度，可限度减少泄漏风 险。此外，传感器坚固耐用，典型应用包括热泵制冷剂温度的测量，而热泵则是电动汽车 (BEV) 高压电池热管理的 重要组成部分。天正双电源自动转换开关【【段落】段落】一个十几瓦或几十瓦的白炽灯的冷态阻抗大约在几十欧姆到几百欧姆，在此我假设为Z1=100Ω，根据阻抗的分压比可知，白炽灯上的压降是比较大的。另外白炽灯还有一个特性就是热态阻抗比冷态阻抗要大很多，实验得出大概十多倍的样子，在此我假设热态阻抗是冷态阻抗的10倍。由于上电白炽灯上有较大的压降和较大的电流会以非常快的速度发热，设发热后阻抗由Z1=100Ω变成Z1=1K，在很短的时间内会使Zo上的电压变得非常小从而避免了开关电源炸机。　　极低的输入失调电压 (Vio) 是高精度运算放大器 (运放) 的关键参数。在25°C时，TSZ151的 输入失调电压低于 7μV。在 -40°C 至 125°C 整个额定温度范围内，输入失调电压稳定在10μV以下。高稳定性有助于限度地减少定期重新校准次数，提高终端产品在整个生命周期内的可用性。今天分享给大家一个用万用表测量电容容量的方法，方法很简单，既然我们想测电容，所以刚拿出来万用表先来观察下测量电容的档位在哪，需不需要更换表针的位置，小编手里只有下图中的这种万用表，所以只能以下面这款为例了，其实万用表的种类有很多，像下面的第二张图又是一种，但是不同万用表测量方法基本上一样，学会一款基本上都学会了。在上面的那张图片上我们可以看到在表盘的左下角有一个大写的“F”标志，其实它就表示测量电容的档位，是以电容的单位法拉命名的，下一步把表针旋转至大于所测电容容量大小的量程，其实越接近越好，为了便于操作，我们直接使用了万用表的量程，除此之外还需要看下表针的位置需不需要更改，一般黑表笔的位置有固定的标志“COM”,所以我们只需要改变一下红表笔的位置就可以了，而电容的符号为“C”，正好万用表上有一个“Cx”所以我们就可以把红表笔插到这个表孔中。天正双电源自动转换开关”　　近年来，随着汽车中使用的电子元器件的增加，车载电源系统也在增加，对于可直接降低电池电压的、给ECU所用的微控制器等供电的侧LDO的需求也与日俱增。但是，车载电池提供的电力容易出现急剧的电压波动，因此要求侧LDO对输入电压波动具有优异的输入响应特性。