为此，村田通过特有的元件设计技术和陶瓷多层技术，利用行业首款负互感产品，开发了让电容器内部寄生电感与电路板内产生的寄生电感互相抵消的电源噪声元件。通过连接1件本产品，实现用更少数量的电容器降低噪声，帮助节省整体空间。　以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置，限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性，这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。的ADI MAX32690 MCU搭载120MHz Arm Cortex-M4F CPU，具有用于算术计算和指令的浮点运算单元 (FPU)，以及超低功耗的32位RISC-V (RV32) 协处理器，有助于减轻数据处理负载。此SoC配备多个低功耗振荡器，同时支持外部晶振（低功耗蓝牙需要32MHz晶振），并提供3MB内部闪存和1MB内部SRAM、外部闪存和SRAM扩展接口。另外，由于采用了片上高自有电容的设计，此产品可有效支持小天线设计的实现，为客户在物料上的降本增效及产品空间规划上要求提供助力。　　紫光展锐推出高性价比芯片平台UNISOC 7861及其解决方案，该芯片平台基于12nm制程，具有的性能和成熟度，采用双高性能大核ArmCortex-A75@1.6GHz和六个能效内核Cortex?-A55@1.6GHz的八核架构，带动智能支付产品跨越全小核芯片时代，真正支持未来长周期Android生态演进。UNISOC 7861支持Wi-Fi 5（双频Wi-Fi）/蓝牙5.0/GNSS、USB Hub、UFS2.2/eMMC5.1/LPDDR4x存储接口等主流规格，通信方面支持LTE Cat.7和L+LDSDS, 多媒体方面支持FHD+显示输出、三路流同步输入以及1080P编能力等。　　英特尔研究员兼 I/O 架构师 Debendra Das Sharma 表示：“英特尔很高兴看到美光携美光 9550 NVMe SSD 进入 PCIe 5.0 市场。这款 PCIe 5.0 SSD 与英特尔的 PCIe 5.0 处理器平台，特别是第四代英特尔 至强、第五代英特尔 至强 和英特尔 至强 6 处理器，实现了良好的兼容。　　为了避免在安装过程中出现视觉错配，以及增强整体可靠性，MicroSpace高压连接有键控机制，并采用了极化防呆设计。凭借这些独特的智能设计，该连接器可以确保配接无误，消除发生错误连接的风险，从而减少错误隐患，提高整体生产效率。　　在安全和法规层面上，TE的HDC浮动式充电连接器提供了手指触摸保护功能，有助于提升现场操作的安全性，而且其中的每款连接器都通过了UL 1977、TV和CE。此外，这些器件还符合EN 61984、IEC 60068、IEC 60512、IEC 60529、IEC 60664-1、EN 61373和ISO 6988标准。Supermicro 在打造与部署具有机柜级液冷技术的AI解决方案方面持续业界。数据中心的液冷配置设计可几近，并通过能持续降低用电量的优势为客户提供额外价值。我们的解决方案针对NVIDIA AI Enterprise软件优化，满足各行各业的客户需求，并提供世界规模级效率的制造产能。天正工业自动化　日前发布的发光二极管100 mA驱动电流下典型辐照强度达235 mW/sr，比上一代解决方案提高50%。器件开关时间仅为15 ns，典型正向电压低至1.5 V，半强角只有± 10°，适用作烟雾探测器和工业传感器的高强度发光二极管。这些应用中，TSHF5211可与硅光电探测器实现良好的光谱匹配。六款新器件中有三款（TPSM82866A、TPSM82866C 和 TPSM82816）是超小型 6A 电源模块，可以提供每平方毫米 1A 的电流输出能力。　　纳微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功将高功率能力和行业的低导通电阻（20至55mΩ）相结合，并针对如AI数据中心电源、电动汽车充电和储能以及太阳能解决方案等应用所需的快开关速度、效率和更高功率密度特性进行了专项优化。“美光的第七代NAND有176层，第八代NAND增加到了232层，而此次发布的第九代NAND达到了276层。但随着层数的增加，层数对NAND性能的重要性会降低。”他表示，美光正在研究多项前沿技术，并预计NAND层数将继续增加，但如何降低能耗、提高性能和芯片密度，比单纯的层数要求更为重要。　　GM12071 是一款低静态电流、LDO 线性稳压器，采用 1.9 V至 20 V 电源供电，输出电流为 500 mA。满负载时静态电流典型值低至 710μA。室温时，关断模式下的功耗典型值仅为 1.1 μA。　　此外，针对Matter协议强调的安全性，FLM163D和FLM263D严格遵循相应的安全标准，包括安全固件和Mbed TLS加密等，可为连接设备提供强大保护。”　　三星轻薄型LPDDR5X DRAM的封装厚度仅0.65mm，散热控制能力更强，适合端侧AI在移动端的应用现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC MOSFET 400 V系列。全新MOSFET产品组合专为AI服务器的AC/DC级开发，是对英飞凌近公布的PSU路线图的补充。该系列器件还适用于太阳能和储能系统（ESS）、变频电机控制、工业和辅助电源（SMPS）以及住宅建筑固态断路器。目前，英飞凌正在通过采用 Thin-TOLL 8×8 和 TOLT 封装的两个全新产品系列，扩展其 CoolSiC MOSFET分立式半导体器件 650 V产品组合。这两个产品系列基于CoolSiC 第2代（G2）技术，在性能、可靠性和易用性方面均有显著提升，专门用于中开关模式电源（SMPS），如AI服务器、可再生能源、电动汽车充电器、大型家用电器等。也变压器中性点接地叫做系统接地，或者叫做工作接地。而且中间也重复接地，还有末端的再次重复接地，尽管有较大的电流流过零线，但零线的电位基本为零。所以，TN-C接地系统允许负载三相不平衡，且有一定的抵抗能力。注意到PEN线在用电设备处首先接到设备的外壳，然后才引到设备的零线接线端子。也就是说，零线的保护功能优先于零线的中性线功能。另外一个就是很多人疑问的一个问题：如果上图中的零线在系统接地点和用电设备的保护接零之间发生了断裂，会怎样呢？即零线断裂点前方（靠近系统接地处）为零电位，而零线断裂点后方（靠近用电设备处）的电压可能会上升。　　谷歌正在使用人工智能来补充天气应用以提供自定义天气报告，在 Google Keep 中创建列表，汇总电子邮件和消息，以及保存、调用和组织屏幕截图中的信息。通话记录是一种在通话后保存私人对话摘要的选项。卫星 SOS 是自 2022 年以来在iPhone上推出的一项功能，现在已在 Pixel 9 智能手机上推出。天正工业自动化【【段落】段落】两个CPU的连接可以直接连接，不需要使用交换机。配置硬件设备：在”DeviceView”中配置硬件组态。配置永久IP地址：为两个CPU配置不同的永久IP地址在网络连接中建立两个CPU的逻辑网络连接编程配置连接及发送、接收数据参数。在两个CPU里分别调用TSEND_C或TSENTRCV_C或TRCV通信指令，并配置参数，使能双边通信。配置CPU之间的逻辑网络连接配置完CPU的硬件后，在项目树”Projecttree””DevicesNetworks””Networksview”视图下，创建两个设备的连接。H4010 采用高端电流模式的环路控制原理，实现了快速的动态响应。 H4010 工作开关频率为 170kHz，具有良好的 EMI 特性。H4010采用ESOP-8 封装，芯片底部设计有功率散热焊盘与SW管脚连接，可以有效的帮助芯片散热。但，电源侧的电缆以及控制柜断路器至接触器的电缆必须按44A考虑，因为流过这段电缆的电流为线电流，只有接触器后至电机接线端的电缆才是流过相电流。根据供电距离、铺设方式、铺设环境选择电缆，一般电缆额定载流量应该大于25.4÷0.8=32A，所以可选择6或10平方毫米的电缆。选接触器时也要根据实际情况选择，空载不频繁启动时，两个32A一个25A接触器即可，带负载启动、频繁启动或接触器质量较差，应适当加大接触器型号。天正工业自动化这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和业界的RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS? 6 200 V产品系列为客户提供更高的功率密度、效率和系统可靠性，树立了新的行业标准。　　能够实现稳定安全的控制并减少电磁干扰：温度灵敏度误差仅为 2%，电感线圈特性曲线随频率的增加而提高信噪比 (SNR)，从而减少噪音并简化电磁兼容性。