Bourns推出第二代高间隙/爬电距离隔离电源变压器 HCT8xxxxEAL 系列。这些符合 AEC-Q200 标准的汽车级推挽高压隔离变压器提供高可靠性、紧凑型解决方案，可在工作电压高达 800 V 时提供加强绝缘，在工作电压高达 1000 V 时提供基本绝缘。通过提供单独的加强绝缘层来防护危险电压，HCT8xxxxEAL 系列说明设计师更好地实现安全性和可靠性目标，相比仅具备功能性绝缘的竞争性隔离变压有更大优势。场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上做了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫做源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。 该产品也支持宽广的信号电压范围，共模电压从 0V 至供应电轨电压，可实现多重标准的直流耦合。由于不需要交流耦合电容，直流耦合可以在高度密集的 PCB 设计中节省空间，并加强信号完整性。PI3WVR41310 专为高速信号产品应用设计，凭借低通道间串扰、低通道外隔离与低位间（bit-to-bit）偏斜，确保低信号回波损耗。插头amp连接器
Linea Lite 相机可适用于广泛的机器视觉应用领域，相机尺寸比一代 Linea 系列小 45%，其设计基于 Teledyne 专有的多线 CMOS 图像传感器。新款 8k 超分辨率黑白相机采用两个 4k/7 μm 像素行，两行彼此间的像素偏移为 ? pix。相机通过两个 4k/7 μm 像素行采集的图像数据进行重构，从而在保证实时性的基础上获得一副 8k/3.5 μm 的超分辨率图像，显著增强了信噪比和亚像素缺陷的检测能力。 PI5USB212 产品兼容 USB 2.0、OTG 2.0 和电池充电 (BC) 1.2，并支持 USB 功能，包括设备连接与高速检测，且电压容差可达 5.5V。它能自动检测未连接 USB 状态，将供电电流降至 0.7mA (典型值)，从而实现节能。供电电流也可以在 RSTN 停用管脚触发停用时，降至 13?A (典型值)。
插头amp连接器一个十几瓦或几十瓦的白炽灯的冷态阻抗大约在几十欧姆到几百欧姆，在此我假设为Z1=100Ω，根据阻抗的分压比可知，白炽灯上的压降是比较大的。另外白炽灯还有一个特性就是热态阻抗比冷态阻抗要大很多，实验得出大概十多倍的样子，在此我假设热态阻抗是冷态阻抗的10倍。由于上电白炽灯上有较大的压降和较大的电流会以非常快的速度发热，设发热后阻抗由Z1=100Ω变成Z1=1K，在很短的时间内会使Zo上的电压变得非常小从而避免了开关电源炸机。 典型应用包括可再生能源（光伏、风力发电）变流器、轨道车辆（火车、地铁、有轨电车）的牵引系统和工业驱动 器的直流支撑电路。插头amp连接器 近年来，随着5G的普及, MIMO(2)被引入的情况逐渐增多，以实现5G的高速、大容量通信、多连接和低延迟的特性，但由于它需要多台收发信号的设备，因此对无线通信电路模块化需求日益增加。由此导致用于元件的安装空间越来越小，因此，对小型元件的需求预计将进一步增加。对于要求严苛的应用，ECD1000A 根据 MIL-STD-810H 标准进行了机械加固，产品设计可承受 20G 冲击，内部板和组件均采用保形涂层进行保护。” “该产品经过电气加固，可承受恶劣的瞬变，并符合 MIL-STD-461E CE102/RE102、MIL-STD 1399-300A 和 MIL-STD-810H 的 EMC 性能要求。对于如何设计高频增强电路与低通滤波器电路，我们仍然以共发射极发大电路为例。首先，说一下低通滤波器电路我们考虑一下在共发射极放大电路的集电极并联电容的作用。低通滤波电路如上图所示，此电路时截止频率为1KHz的低通滤波电路。改电路具有将1KHz频率以上的高频截止功能。这是因为集电极电阻具有频率特性，所以导致三极管放大也有频率效应。频率越高，因为电容的影响，导致电容与电阻并联的阻抗也就越小，所以电路的增益Rc/Re也就越小。