据市场研究公司 TrendForce 称，GDDR7 是图形内存市场的下一个大热门。“随着新 GPU 进入验证阶段，内存公司正在逐步增加 GDDR7 的产量，目前 GDDR7 的价格比 GDDR6 高出 20% 至 30%”，TrendForce 表示。“预计第三季度 GDDR7 芯片出货量将略微提高内存的平均售价。”三星电子于 2023 年 7 月开发出业界首款 32Gbps GDDR7 D-RAM。
瑞萨代理 器件采用倒装芯片技术增强散热能力，热阻比竞品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT导通电阻和热阻低，连续漏电流达36 A，比接近的竞品器件高38 %。 MOSFET独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
此次，中国三星与火山引擎强强联合，通过豆包大模型及火山方舟平台提供的内容插件，为用户提供丰富的抖音集团生态内容。Galaxy AI 基于豆包大模型的单图 AI 写真服务，全新推出了智绘人像功能，增添实用性与趣味性，提升用户的个性化拍照体验。
对于医疗应用，CCP550系列符合IEC60601-1 Ed.3的安规，初级到次级有2个MOPP，初级到地和次级到地有1个MOPP。结合低接地和患者漏电电流，CCP550是漂浮式（BF）患者接触医疗设备的理想选择。
管夹式设计使得传感器非常易于安装，无需进入冷却剂或制冷剂回路即可测量制冷剂温度，可限度减少泄漏风 险。此外，传感器坚固耐用，典型应用包括热泵制冷剂温度的测量，而热泵则是电动汽车 (BEV) 高压电池热管理的 重要组成部分。
瑞萨代理 此款 IC 对称升压 USB D+ 与 D- 通道，实现共模(Common-Mode)稳定性，并以预加重(Pre-emphasis)方式补偿码间串扰 (ISI)。宽广的供电电压范围可简化系统设计，并延长便携式与电池供电设备的工作窗口。
推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块—VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
SCALE-iFlex XLT双通道门极驱动器可提供负温度系数(NTC)数据信息，也即对功率模块进行隔离式温度检测，从而实现变换器系统的温升管理。这使系统设计人员能够优化热设计，并在相同硬件的基础上将变换器的功率提高25%至30%。隔离的NTC读取功能还可降低逆变器系统硬件设计的复杂性，省去多个电缆、连接器和额外的安全隔离电路。
多年来，英特尔以产品技术创新为抓手，聚焦中国数据中心市场需求，为广大用户打造高效、节能的新型数据中心提供了坚定的支持。
瑞萨代理 数字化时代的高速发展要求推动未来技术创新的数据存储也持续迭代革新。为满足用户对于高性能、高可靠性、更大容量及更低成本的多样化存储需求，西部数据公司（NASDAQ：WDC）近日宣布推出搭载下一代高性能QLC（四级单元）的西部数据? PC SN5000S NVMe? SSD，从而为 PC OEM 厂商提供创新的PCIe Gen4x4 存储解决方案，帮助用户轻松应对繁重的工作负载。
该产品适用于250W电机驱动应用，可减少噪音和系统震动。IPM多用于实现系统电机控制、逆变和保护，用在电机驱动、家电和工业化等需要智能控制的应用中。当前IPM多采用硅基IGBT或MOSFET。
芯片内部集成10 位模拟数字转换器 (ADC) 和故障寄存器，可提供丰富的诊断信息和数字电流检测反馈，以支持车辆相关功能，例如，预测性维护。VNF9Q20F通过 SPI 提供诊断数据，内置自检功能， 可使系统达到 ISO 26262 规定的安全完整性等级。在发生故障或功能异常时，嵌入式故障安全模式可使系统保持工作状态。
