这两款MCU集成专用图形处理器和快速存储接口，与我们突破嵌入式显示器极限的使命契合。Riverdi选用这款芯片设计下一代显示模组。新MCU有望提高未来屏显的视觉性能和响应速度，为用户带来更具吸引力的用户体验，这代表我们在向客户提供屏显解决方案的研发过程中迈出重要一步。下面介绍速度-动态转矩（dynamictorque）特性的测量法。步进电机的动态转矩有失步转矩与起动转矩。这两种转矩随驱动频率的增加而下降，原因是由于线圈的电抗增加，电流减少造成的。在低速运行时，其运行在振动带区域，转矩会突然下降，此为转子的自然振动频率与驱动频率共振产生的现象；或者，在转子转动方向突然发生改变瞬间，同时接收到驱动指令脉冲，也会产生此现象。这些现象均需要正确测量电磁转矩。本节介绍3种测量转矩的方法及其测量原理。“美光 9550 SSD 标志着数据中心存储的重要飞跃，它提供了惊人的 330 万 IOPS，同时在 GNN 和 LLM 训练等 AI 工作负载中，比同类 SSD 功耗降低了高达 43%。这款产品将更高的性能与出色的能效相结合，为 AI 存储解决方案树立了新标杆，彰显了美光在 AI 方面的坚定承诺。”瑞萨rh850
首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET—SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小占位面积。 无缝的可扩展性：美光 HBM3E 目前提供 24 GB 容量，使数据中心能够无缝扩展其人工智能应用。无论是用于训练海量神经网络还是加速推理任务，美光的解决方案都提供了必要的内存带宽。
瑞萨rh850TN-C系统TN-C系统在TN-C接地系统中，地线和中性线是合二为一的。PEN线就是我们熟知的零线。设备的外壳与PEN线相连。所以所谓的外壳接地线，其实就是保护接零。当系统中出现了严重的三相不平衡，即IIb和Ic不相等，则有：Ia+Ib+Ic不等于0，PEN会出现较大的电流。有人会问那这样三相不平衡，家中电器外壳与PEN线相连不就有电压了吗？在TN-C接地系统中，变压器中性点出口处直接接地，相当于把零线电压给强制性地保持在零电位。 随着 PSoCTM 4 HVPA-144K 的推出，英飞凌为扩展其 PSoCTM微控制器产品组合，以便将电动汽车的锂离子电池管理系统纳入其中奠定了基础。该产品组合不久后将加入多款用于监控和管理高压（400 V及以上）与低压（12 V/48 V）电池的产品，从而进一步推动未来电动汽车的应用。
瑞萨rh850 Microchip执行官兼总裁Ganesh Moorthy表示：“Microchip是8 位、16位和32位嵌入式解决方案的，随着市场发展，我们的产品线也必须随之发展。新增的64位MPU产品组合使我们能够提供低、中、高端计算处理解决方案。PIC64GX MPU 是多款64位 MPU中的首款产品，旨在支持智能边缘，满足所有细分市场的广泛性能需求。”此次推出的思特威手机应用1600万像素图像传感器升级新品SC1620CS，基于先进的SmartClarity-3技术打造，搭载思特威独特的SFCPixel-SL等技术和工艺，集优异的高感度、高动态范围、低噪声等性能优势于一身，为智能手机提供真实、清晰的优质影像，满足日常光线场景和暗光场景下的手机影像拍摄需求。plc各型主机均内建2个通信接口的标准配置，即一个RS232和一个RS485通信接口，其RS232接口主要用于上程序或用来与上位机、触摸屏通信，而RS485接口主要用于组建使用RS485协议的网络，实现通信控制。RS232接口RS232-C接口连接器一般使用型号为DB-9的9芯插头座，只需3条接口线，即”发送数据”、”接收数据”和”信号地”即可传输数据，其9个引脚的定义如所示。RS232-C接口连接器定义在RS232的规范中，电压值在+3V~+15V（一般使用+6V）称为”0″或”ON”。