HL8545/8545G具有漏极和源极电压钳位，有助于在关断周期内释放继电器、螺线管、泵和电机等电感负载中的能量。电源 (EBAT) 和负载 (ELOAD) 的能量直接在高边电源开关上耗散，通常无需额外的外部电路。这种的功率耗散允许在各种负载上进行更广泛的应用。　　这种新型商用现成 (COTS) 载板有两种购买选择。支持conga-HPC/mRLP COM-HPC Mini 模块的纯应用载板，它是从小批量生产开始的系列产品的理想平台。对于特定应用的设计，完整的 aReady. 解决方案提供了高度的便利性和设计安全性。例如，可选择配置包括预安装博世力士乐(Bosch Rexroth) ctrlX OS以及用于实时控制、人机界面、人工智能、IIoT 数据交换、防火墙和维护/管理功能的虚拟机。　　具体来说，在数据准备阶段，通过多协议融合互通技术，面对多份、多种协议的数据，存储底层仅保留一份数据，实现数据共享免搬迁；在模型训练阶段，通过大小IO智能识别和缓存预读技术快速保存和恢复checkpoint（检查点）文件，实现TB级训练数据Checkpoint读取耗时从10分钟缩短至10秒内，大幅提升训练过程中数据加载速度；RDMA/RoCE网络连接技术和数控分离架构的设计，实现东西向数据免转发，极限发挥大模型训练中硬件网络带宽性能。　　NORA-W4使用专为IoT而优化的Wi-Fi 6技术，可在工厂、工作场所或库房等环境中显著减少网络拥塞问题，有效提高吞吐量并降低延迟。该模块可向下兼容Wi-Fi 4，同样适用于Wi-Fi基础设施尚未升级的应用环境。良信NDB2N-125A系列断路器在AI快速推进与可持续发展需求日益迫切的当下，加速数据中心这一高载能行业的节能减排已成当务之急。基于对行业需求的深刻洞察，英特尔推出面向数据中心的全新G-Flow浸没式液冷解决方案，这一开创性技术在突破传统技术瓶颈的同时，为数据中心的节能减排开辟了新路径。未来，英特尔也将持续推动技术创新，并携手广大生态伙伴一道推动应用落地，为数据中心的、可持续发展提供强有力支持。由于许多使用Rust的项目都要重新使用传统代码，并保留对C/C++的投入，因此这一混合方案可能更具吸引力。我们很高兴能为英飞凌的 Rust 生态系统做出贡献，推出首款通过安全的 Rust 编译器，帮助AURIX?客户开发更加安全的应用。　　今天发布的VL53L9是一款新推出的直接ToF 3D激光雷达芯片，分辨率高达2300个检测区。这款LiDAR雷达集成的双扫描泛光照明在市场上，可以检测小物体和边缘，并捕获2D红外(IR)图像和3D深度图信息。这是一款直接可用的低功耗模块，具有片上dToF处理功能，无需额外的外部组件或校准过程。此外，这款芯片测距范围在5厘米到10米之间。　　代号为 Battlemage 的新 GPU 设计结合了图形核心、X 2 2 和用于 AI 的 X e矩阵扩展 (XMX) 阵列。与上一代相比，X e2 提高了游戏性能和 AI 吞吐量，可提供超过 60TOPS 的性能。显示和媒体引擎也采用了新的微架构。 平台控制器模块集成了安全性和连接性，内置安全引擎。连接性已升级，集成了 Wi-Fi 7.0、蓝牙 5.4、PCIe Gen5 和 PCIe Gen4 端口以及 Thunderbolt4 端口。良信NDB2N-125A系列断路器在自动化系统中，传感器数据的价值会随时间推移而递减，而这些数据必须根据的信息运行，才能实现时延和确定性响应。在工业和应用中，许多决策需要在几毫秒内做出。Embedded+ 能限度发挥合作伙伴和客户数据价值，其高能效和高性能算力使合作伙伴能够专注于满足客户和市场需求。通过在APEC 2024上推出我们的分立式FET解决方案的产品系列，Nexperia展示了我们如何利用我们的研发知识来提供优化的解决方案。新型100 V PoE ASFET以及40 V NextPowerS3 MOSFET改进的EMC性能都表明了我们坚定支持工程师克服各种应用挑战的决心。这些创新凸显了Nexperia致力于提供、紧凑和可靠的解决方案，帮助我们的客户在当今不断发展的市场中取得成功。良信NDB2N-125A系列断路器　　TCKE9系列产品具有电流限制和电压钳位功能，可保护供电电路中的线路免受过流和过压状况的影响，这是标准物理熔断器无法做到的。即使发生异常过流或过压，也能保持的电流和电压。　　这一创新成果不仅彰显了圭步微电子在高性能4D毫米波雷达芯片（77GHz）领域的地位，更标志着我们在毫米波射频及算法等关键技术领域的重大突破。我们相信，随着该芯片的问世，将给高阶智能驾驶领域带来深远的影响。多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET—SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封装，10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 mW，导通电阻与栅极电荷乘积，即开关应用中MOSFET关键的优值系数（FOM）为42 mW*nC，达到业内先进水平。