CoolSiC MOSFET 750 V G1技术的特点是出色的RDS(on) x Qfr和卓越的RDS(on) x Qoss优值（FOM），在硬开关和软开关拓扑结构中均具有超高的效率。其独特的高阈值电压（VGS(th)，典型值为4.3 V）与低QGD/QGS比率组合具有对寄生导通的高度稳健性并且实现了单极栅极驱动，不仅提高了功率密度，还降低了系统成本。发送向SBUF写入一个数据就启动串口发送，同时将TB8写入输出移位寄存器第9位。开始时，SEND和DATA都是低电平，把起始位输出到TXD。DATA为高，次移位时，将“1”移入输出移位寄存器的第9位，以后每次移位，左边移入“0”，当TB8移到输出位时，其左边是一个“1”和全“0”。检测到此条件，再进行最后一次移位，/SEND=1，DATA=0，输出停止位，置TI=1。接收置REN=1，与方式1类似，接收器以波特率的16倍速率采样RXD端。联发科正式了三星新款低功耗DRAM产品的性能，标志着双方合作迈出重要一步。据业内人士23日透露，三星电子Mobile eXperience（MX）部门计划早于10月发布新款“Galaxy Tab S10”系列。集成处理器（CPU）和图形处理器（GPU）的芯片组AP，是决定平板电脑性能的关键部件，将为联发科的“Dimensity 9300 Plus（+）”。这是联发科AP首次被三星高端移动产品采用。英飞凌品牌
分析机构Techno Systems Research Co., Ltd 预测，到2029年，LTE Cat 1bis在所有非手持蜂窝通信设备中将占据43.6%的比例，预计在未来四到五年间这款产品将成为物联网 (IoT) 领域的蜂窝通信技术产品。新模块加强了u-blox的LTE Cat 1bis产品组合，满足了物联网和用户从传统2G/3G蜂窝通信网络进行迁移的需要。电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8×8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。
英飞凌品牌另外，频率能够在电机的外面调节后再供给电机，这样电机的旋转速度就可以被自由的控制。以控制频率为目的的变频器，是做为电机调速设备的优选设备。n=60f/pn：同步速度f：电源频率p：电机极对数结论：改变频率和电压是的电机控制方法如果仅改变频率而不改变电压，频率降低时会使电机出于过电压（过励磁），导致电机可能被烧坏。因此变频器在改变频率的同时必须要同时改变电压。输出频率在额定频率以上时，电压却不可以继续增加，只能是等于电机的额定电压。与现有Pickering产品或其他品牌同类型PXI/PXIe产品相比，我们的新型4x-321高压多路复用器系列提供了两倍的开关有效载荷，可提供单刀或双刀形式和多达48通道的一系列产品。得益于使用Pickering公司生产的高质量舌簧继电器，新产品适用于10W下高达1KV的冷热切换，载流为1.25A。安全也通过硬件互锁得到保证。
英飞凌品牌SCALE-iFlex XLT的亮点之一在于其极为紧凑的结构设计。传统的门极驱动器通常需要多块电路板和大量的元件，这不仅增加了设计和制造的复杂性，还对系统的可靠性产生负面影响。相比之下，SCALE-iFlex XLT通过单个PCBA实现了所有功能集成，大幅减少了元件数量，从而提升了系统的整体可靠性。在全数字控制电源中，可以由低位微控制器来处理由高速CPU*3和DSP*4等数字控制器承担的功能，从而能以低功耗和低成本来实现模拟控制电源难以实现的高性能。另外，该解决方案可以在LogiCoA微控制器中存储电流和电压值等各种设置值，因此可根据电源电路补偿外围元器件的性能波动。单极型线圈可以取代上图所示双极型线圈，运行时具有相同的步距角。上图中的两相单极型线圈在有些文献中也被称为四相步进电机，此时其转子极对数、齿数Nr，以及步距角θs均与双极型线圈相同。本课程两相电机的定义符合式θs=180°/PNr，即将转子齿数和步距角θs代入式θs=180°/PNr，如P=2，则为两相电机，如Nr相同，P=4，步距角θs只有1/2，则电机为四相电机，在此特别提请注意。两相步进电机现在应用广泛，实际电机的构造比图（PM双极型两相步进电机结构与运行原理）复杂，定子除采用叠片外，还有爪极结构，但基本原理可参考图（PM双极型两相步进电机结构与运行原理），图中所示的转子被称为PM型(永久磁铁或永磁式）转子，磁性圆柱的外表面形成转子磁极。