MicroSpace高压连接器专为抵御极端恶劣的使用环境和条件而研发，具有可靠性且经久耐用。该系列连接器具有高达4N的抗震法向力和超过75N的锁紧力，可以在具有高水平抗震要求的应用场景中发挥出色性能，确保在极具挑战性的使用环境中实现不间断连接。
英飞凌igbt模块这一新版本选择彰显了我们对 Wi-Fi 以及提供创新连接解决方案的承诺，使我们的客户能够突破无线设计的极限。
与所有英飞凌 MCU 一样，英飞凌 PSOC 控制系列由 ModusToolbox 软件开发生态系统支持，该生态系统包括用于产品评估和生产的构建块。这些模块包括无刷和永磁电机的磁场定向控制 (FOC)、功率转换算法（PFC、LLC、Buck 等）和设备驱动程序。还包括评估板、系统参考设计、调试器和基于 PC 的开发工具。
近日推出新型低漏电流开关解决方案，面向半导体测试，如WAT晶圆验收测试中的低电流驱动保护测量。新款产品基于开关随动保护层(switched guard)设计原理，提供PXI, PXIe和LXI版本，整体设计确保隔离电阻高达1013Ω。
联发科正式了三星新款低功耗DRAM产品的性能，标志着双方合作迈出重要一步。据业内人士23日透露，三星电子Mobile eXperience（MX）部门计划早于10月发布新款“Galaxy Tab S10”系列。集成中央处理器（CPU）和图形处理器（GPU）的芯片组AP，是决定平板电脑性能的关键部件，将为联发科的“Dimensity 9300 Plus（+）”。这是联发科AP首次被三星高端移动产品采用。
英飞凌igbt模块 为了助力OSM更好的应用，研华提供从产品的设计到批量生产以及产品全生命周期管理全方位支持。我们提供全面的设计参考，硬件文档和制造指南，如模板设计建议和IR回流图，以及实用技巧和信息分享，以确保项目成功并缩短上市时间。
NVMe NANDrive BGA封装的固态硬盘样品，以满足其用户在高压力、严苛工作环境的嵌入式应用中要求高可靠、高性能的数据存储需求。NVMe NANDrive固态硬盘工作温度-40oC至+95oC，支持PCIe Gen3x4接口，采用行业标准的M.2 1620（16 x 20mm，291球）BGA封装。欲了解更多NVMe NANDrive 产品信息，请访问https://bit.ly/NVMe-BGA-SSD。
M31 MIPI C/D-PHY Combo IP已在先进的台积电5纳米工艺上获得硅验证，并已开始3纳米生产知识产权开发。这些经过验证的 C-PHY 和 D-PHY IP 能够支持每通道高达 6.5G 的高速传输模式和极低功耗操作，使这些 IP 适合各种应用场景，例如高分辨率成像、显示 SoC、驾驶员辅助系统 (ADAS) 和车载信息娱乐系统。该IP设计允许用户根据自己的需要将其配置为D-PHY或C-PHY模式，通过共享部分电路设计进一步减少对芯片面积的需求和对I/O引脚的需求。
该套件由NORA-B1无线MCU模块中的Nordic Semiconductor nRF5340无线片上系统 (SoC) 控制，可运行采用Nordic nRF Connect SDK或Zephyr开发环境开发的定制应用。该套件集成了多种传感器，包括温度、湿度、压力、环境光、磁力仪、陀螺仪、加速度和电池电量传感器。
英飞凌igbt模块 随着用户对智能手机摄像头质量和性能的期望不断提高，从各个角度拍出出色照片的需求也空前高涨。为此，三星半导体推出其的移动图像传感器产品矩阵，让消费者从各个角度拍照，都能拍摄出满意的图像效果，为移动手机摄影打开了新天地。
它们利用相同的漂移区来阻断两个方向的电压，即便在重复短路的情况下也具备出色的性能，并且通过使用一个BDS代替四个传统晶体管，可提高效率、密度和可靠性，使应用能够从中受益并大幅节约成本。在替代单相H4 PFC、HERIC逆变器，和三相维也纳整流器中的背对背开关时，该系列器件能够优化性能，而且还可用于交流/直流或直流/交流拓扑结构中的单级交流电源转换等。
加速度传感器布置在靠近轮胎位置，能精准地捕捉胎噪，以数字信号形式发送给DSP处理器，并和驾驶舱内麦克风捕捉到的噪音信号融合处理，继而通过相位处理，结合车内音响实现对车内噪音的抵消与控制，这种技术往往被称为Road Noise Cancellation（简称为RNC）。
