“　　内置ST传感器的摄像头结合了3D视觉和边缘人工智能的力量，为移动机器人提供智能避障和高精度对接。　　该 NTC 传感器结构坚固耐用，不含铅和卤素，尺寸为 10 x 3 x 3 mm（长 x 宽 x 高），在 25 °C 时， B57850T0103F000 型的标称电阻为 10,000 Ω，容差为 1%，而 B57850T0103G000 型的容差为 2%。 连接电极由 磷青铜制成，可以通过活塞焊、激光焊、微电阻焊或 TIG 焊进行接触。　　株式会社村田制作所开发了一款低损耗多层陶瓷电容器（MLCC）新品，该产品支持100V的额定电压，具有0402M的超小尺寸（0.4 x 0.2mm），主要用于无线通信模块，并于2024年2月开始量产。推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。配电箱良信隔离开关先临三维的Einstar普及化手持3D扫描仪采用艾迈斯欧司朗OSLON Black系列的小型高功率红外LED，为手持扫描仪提供率、低能耗、高可靠的辅助照明。SFH 4726AS红外LED尺寸小巧，单颗更容易集成，进一步满足空间受限的应用需求。　　现有2款采用新型 P2 产品演示板可供展示：一款是 CGD 与法国公共研发机构 IFP Energies nouvelles 合作开发的单相变三相汽车逆变器演示板；另一款是3kW图腾柱功率因数校正演示板。Nexperia发现这也是造成目前市场上许多SiC器件的性能受限的因素之一，新推出的SiC MOSFET采用了创新型工艺技术特性，实现了业界的RDSon温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，RDSon的标称值仅增加38%。致力于在小型、低功耗FPGA领域持续创新，为我们的客户提供优化的解决方案，满足空间受限的应用需求，包括传感器连接、协处理和低功耗AI。我们很高兴通过更多可迁移逻辑和封装选项（包括0.8 mm引脚间距）来扩展我们基于Nexus的小型FPGA产品，它们非常适合工业应用。配电箱良信隔离开关　　保护模块包含了所有的保护组件。在基本模块保持运行的情况下，无需工具即可更换。设备前端面板上有一个状态指示灯。拔出保护模块时，相关信号电路仍通过DIN安装导轨上的基础模块相互连接。断开过程不会导致任何信号中断，这意味着可以在不影响设备运行的情况下更换保护模块。”　　第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、率的应用带来功率密度配电箱良信隔离开关　　今天推出的新产品「S-82K5B/M5B系列」是3节~5节串联用二次保护用IC、具有以下特点：（1）搭载级联功能（通过连接多个IC，能够保护比一个保护IC所能应对的电池数量更多的电池的功能）、通过比以往大幅度减少的部件结构，实现了6节串联以上的二次电池的电压监视；（2）搭载了IC之间通信的开路检测电路(※1)，可进行更安全的电压监视；（3）备有过充电检测电压精度±20mV的S-82K5B系列和实现业界水准(※2)高精度±15mV的S-82M5B系列的2个系列的产品阵容，可以灵活应对客户的需求。　　在当前的科技浪潮中，越来越多的AI（人工智能）的应用运算正发生在Edge（边缘）端。企业需要适合Edge端环境的硬设备，以满足实时数据处理和分析的需求，企业需要在厂内进行信息的运算，确保数据不会外流，这些设备必须能够应对不同于数据中心的挑战。　　RZ/V2H处理器采用功率效率达10 TOPS/W的Renesas专有DRP（动态可重新设定处理器）-AI3 AI加速器。此外，该处理器还集成了四个Arm? Cortex?-A55 CPU核心，工作频率为1.8 GHz，是专为Linux应用处理而量身定制的。为实现能实时处理，该处理器采用了两个800 MHz运行频率的Cortex-R8核心和一个作为子核心运行的Cortex-M33核心。该装置将这些核心集成到单个芯片中，可有效地管理视觉AI和实时控制任务，成为要求苛刻的机器人应用的理想选择。