Reno12系列还为游戏体验带来多项全新升级。Reno12 系列搭载 OPPO 的浓缩内存技术，显著提升应用启动速度和后台保留能力。Reno12 系列提供 16GB 内存与 512GB 存储，配合LPDDR5X 与 UFS3.1 组成的超速大内存组合，让流畅加倍。AI 边缘服务器 MEC-AI7400 (AI Edge Server)系列，可依应用需求搭配多种加速卡，弹性且多样性的搭配组合能符合智能制造应用的多种变化，包含GPU 卡、运动控制卡、IO卡、影像撷取卡等，并搭配防尘功能及短机箱设计，适合工厂和自动化环境。　　日前发布的器件R25阻值为60 W至1 kW，500 W 额定直流电压高达1000 VDC，1 kW 达1200 VDC，能量吸收能力达240 J，比竞品器件高四倍。多个热敏电阻并联，能量吸收能力高于1000 J。PTCEL系列电阻工作温度达+105 °C、所有阻值的热容为2.3 J/K。　　工业5.0注重智慧化、感测能力和高度自动化，代表着智慧工业领域的新一波，在这个背景下，工业自动化和物联网应用在多个领域对高、小型化传感器的需求不断增加。NuMicro M091系列32位高整合模拟微控制器，为提高模拟功能与数字控制的度，以小封装的尺寸整合了丰富的模拟周边，包含模拟数字转换器 (ADC) 以及数字模拟转换器 (DAC) 并且支持多达四组精密运算放大器 (OP Amp), 同时具有的周边支持，成为光电、压力以及位置传感器领域的。NDM5系列塑料外壳式断路器SC130HS是思特威首颗基于SmartClarity-XL工艺平台打造的手机图像传感器。新品SC130HS采用55nm Stacked BSI工艺制程，搭载了SFCPixel、PixGain HDR等思特威先进成像技术和工艺，凭借高动态范围、高帧率、低噪声、低功耗等性能优势，可为高端智能手机前摄以及主流智能手机主摄带来出众的质感影像表现。　　Red Pitaya 围绕 Xilinx ZYNQ 7010 FPGA 构建，该 FPGA 具有双 Arm Cortex-A9 内核，并以 125Msample/s 的速度从两个同步输入进行采样。它兼容Linux、Windows PC、Android和IOS，可以使用C、LabVIEW、MatLab、Python或Scilab进行远程控制。Web 应用程序包括：频谱、伯德、逻辑和矢量网络分析仪、示波器、信号发生器和软件定义无线电。与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN?晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。　　其中，三星Galaxy Z Fold6传承Galaxy Z Fold系列强大的生产力基因，通过深度融合前沿AI技术和创新的端侧AI应用，将移动生产力提升到了新高度。同时，Galaxy Z Fold6更是三星对于未来移动生产力愿景的进一步体现，标志着Galaxy AI手机新阶段的到来。NDM5系列塑料外壳式断路器　　该 NTC 传感器结构坚固耐用，不含铅和卤素，尺寸为 10 x 3 x 3 mm（长 x 宽 x 高），在 25 °C 时， B57850T0103F000 型的标称电阻为 10,000 Ω，容差为 1%，而 B57850T0103G000 型的容差为 2%。 连接电极由 磷青铜制成，可以通过活塞焊、激光焊、微电阻焊或 TIG 焊进行接触。该SiC二极管的扩散焊接改善了封装的热阻 (Rth)，使芯片尺寸变得更小，从而提高了功率开关能力。凭借这些特性，该产品实现了更出色的系统可靠性和使用寿命，满足了汽车行业的严格要求。为了地提升与现有设计的兼容性，该产品还采用了基于广泛使用的DPAK封装的引脚对引脚兼容设计。NDM5系列塑料外壳式断路器N97 版本可提供高达 16Gbyte 的 LPDDR5 和 128Gbyte 的 eMMC（部件 UPS-ASLN97-A10-16128 上），扩展选项包括 M.2 E 和 M-Keyed 插槽。　　CoolSiC MOSFET 2000 V产品系列适用于1500 VDC 的高直流母线系统。与 1700 V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5 V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT 连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。在电机控制逆变器方面，开发人员正在使用 GaN 来减少热量，获得更小、更持久的系统功率。以上两个市场正是CGD ICeGaN 功率 IC 现在的目标市场。简化的栅极驱动器设计和降低的系统成本，再加上先进的高性能封装，使 P2 系列 IC 成为这些应用的选择。