良信xt1n160断路器良信

  OCH1970VAD-H设计了虚通道可配置磁传感器架构,实时修调静态输出电压、带隙基准、灵敏度热敏偏移、内部偏置点、输出钳位电压等性能参数,为芯片灵活的失调消除和精度匹配奠定基础。  新型可变移相器的频率可达2 GHz、4 GHz和8 GHz,额定功率为 100W。这些可变移相器的可调相位有60°/GHz、90°/GHz和180°/GHz。”  PI3WVR14412Q 可供峰峰值(Peak-to-Peak) 1.2V 的高速差分信号通过,允许自 0V 至达 3.3V电源轨的共模电压。宽广的电压范围允许 DC 信号耦合,让设计者节省出原本 AC 耦合电容器所需的 PCB 面积。良信xt1n160断路器良信  EL3072 和 EL3074 模拟量输入端子模块具有相同的功能,分辨率为 16 位(之前为 12 位),可作为 10 V / 20 mA 通用输入。EL3072 具有 2 个可单独进行参数设置的输入,而 EL3074 则有 4 个。另一个新型号是 8 通道的高密度端子模块 EL3078。EL4072、EL4074 和 EL4078 模拟量输出端子模块具有更高的分辨率,通道数量也扩展到了 8 个。良信xt1n160断路器良信  DELO推出了一款新型微量点胶阀。DELO-DOT PN5 LV 气动喷胶阀专用于微型化生产,特别适用于低粘度粘合剂及其他介质。借助紧凑的设计,它只需很小的空间即可安装在生产系统里。良信xt1n160断路器良信功率MOSFET和IG栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的结合。这些驱动有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器,非常适合各种应用。在确保安全控制方面,STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案,在输入部分和被驱动的MOSFET或IG之间提供电气隔离,确保无缝集成和优质性能。  1430 系列直流电涌保护器符合 IEC/EN 61643-31 I 级 + II 级 / T1+T2 标准良信xt1n160断路器良信  该公司表示,PSOC Control系列还支持基于宽带隙(WBG)技术的电力电子,例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),这可以提高性能并进一步降低整个系统的BOM成本。良信xt1n160断路器良信PMIC是DDR5 内存架构中的关键组件,可实现更多的内存通道、更大容量的模组和更高的带宽。Rambus DDR5服务器PMIC系列包含符合JEDEC超高电流(PMIC5020)、高电流(PMIC5000)和低电流(PMIC5010)规范的产品。  OCH1970VAD-H设计了超小型封装DFN-8,由于其紧凑的面积、超薄封装和极低功耗,该旋转磁性位置传感器结合平面和垂直霍尔效应技术,输出多方向感测磁性位置,为客户提供可配置的信号路径,以便优化感测精度。该器件高集成度能够将多个磁性开关功能集成到单一芯片,实现一芯多用,打造人工智能“芯”。良信xt1n160断路器良信  ””我们的新系列负斜率均衡器缓解了信号处理通道中的性能问题。它们在补偿放大器宽带增益响应方面特别有用,因为放大器的宽带增益响应通常在频带的上端滚动,”””  数字输入可支持Max 768kHz的PCM输入和22.4MHz DSD(Direct Stream Digital) 输入(AK4493S),实现信息量丰富的高分辨率音源的“原音”重现。  打造专用测试芯片是Dolphin Design确立电源管理和音频IP领域地位的关键一步,有助于不断提高其产品性能与质量。Dolphin Design不断提升客户使用的先进制程方面的水平,因为此前在22纳米节点技术上完成的。在设计新IP或进行迁移时,描述和掌握制程,可以确保芯片的性能。