A6983转换器为设计人员提供灵活的产品选型，该系列包括六款低功耗、低噪声非隔离型降压转换器和一款隔离型降压转换器A6983I。这些高集成度的单片稳压器内置补偿电路，在实际应用中只需要很少的外部组件，包括滤波器和反馈器件，在用A6983I开发应用时需要一个变压器。　　NVMe NANDrive PX系列采用工业级3D TLC（每单元3bit）NAND，支持5千擦写次数（P/E）的高耐久性（可达6,700 TBW），是要求高可靠而成本又不高的应用的选择。该产品系列目前有64 GB、128 GB、256 GB和512 GB多种容量供客户选择。全新DDR5 服务器电源管理IC（PMIC）系列，包含适用于高性能应用的业界超高电流电源器件。凭借这一全新服务器 PMIC 系列，Rambus为模块制造商提供了完整的DDR5 RDIMM 内存接口芯片组，支持广泛的数据中心用例。　　STMicroelectronics VL53L4ED 接近传感器支持-40°C至+105°C的有效温度范围，即使在极端温度下也能保证测量。这款高性能传感有1mm的短距离线性度和自主低功耗模式，能通过可编程中断阈值唤醒主机。VL53L4ED传感器的视场角为18°，在标准环境下可测量1mm至1300mm的距离，在扩展温度下可测量1150 mm的距离。LAZZEN-NDB6LM-40系列小型断路器DRV7308基于 GaN 技术，具有高功率密度；采用 12mm x 12mm 封装，使之成为面向 150W 至 250W 电机驱动器应用的业界超小型 IPM。在效率的加持下，DRV7308 无需外部散热器，与同类 IPM 解决方案相比，电机驱动逆变器印刷电路板 (PCB) 的尺寸可缩减55%。　　Reno12系列还为游戏体验带来多项全新升级。Reno12 系列搭载 OPPO 的浓缩内存技术，显著提升应用启动速度和后台保留能力。Reno12 系列提供 16GB 内存与 512GB 存储，配合LPDDR5X 与 UFS3.1 组成的超速大内存组合，让流畅加倍。　　TB9M003FG将微控制器（Arm Cortex-M0）、闪存、电源控制功能和通信接口功能统一集成到栅极驱动IC中，控制和驱动3相直流无刷电机中的N通道功率MOSFET。这一集成将减小系统尺寸和组件数量，同时实现各种汽车电机应用中的先进和复杂电机控制。此外，新产品还搭载了东芝自研的矢量引擎，以及用于无感正弦波控制的硬件，既减轻了微控制器的负载，同时降低了软件代码大小。　　根据各自独特的部署要求，运营商需要主时钟能够从支持极少数客户端扩展到支持众多客户端。2.4版TP4100可为2000 个时间协议（PTP）客户端提供服务，无需部署多个主时钟，即可为大量提供的时间同步。LAZZEN-NDB6LM-40系列小型断路器HP5354.A 采用定制电陶瓷配方设计，在单个贴片中贴片解决方案中提供“堆叠贴片 L1-L5 性能”。它“具有 2.61dBi 的无源峰值增益，针对 GPS L1-L5、北斗 B1、伽利略 E1 和格洛纳斯 G1 操作进行了优化，可与下一代双频 GNSS 接收器配合使用”。引脚数量：系列中可能有不同的引脚配置，提供多种连接选项。LAZZEN-NDB6LM-40系列小型断路器首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET—SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小占位面积。　　或者，使用与顶发光LED产品相同的光学堆栈深度，但使用极少量的LED和LED驱动器，即可实现均匀光效。采用这一设计，灯具制造商可以降低物料成本，简化电路排布。　　SignalVu 5.4 版是在 2023 年 9 月发布的 5.3 版之后推出的。5.3 版增加了一些重要功能，例如测量多个信号之间的相位和幅度差异，支持用于测量更高频率的外部下变频器，以及同时分析多个雷达信号的脉冲特性。新软件版本还可以通过 MSO 自动进行相位噪声测量。