该IMU还嵌入了意法半导体的3D方向跟踪传感器融合低功耗 (SFLP) 算法，可提高机器人和智能安全帽等应用的能效。通过自适应自配置 (ASC) 功能，该传感器还可以自动实时优化设置，以获得的性能和功耗。 该变压有通孔端子和多种封装尺寸，广泛应用于开关模式电源以及DC/DC和AC/DC转换器。这些变压器专为恶劣环境而设计，采用具有模制绕组的坚固封装设计，以及高达130 °C的工作温度，并且通过了MIL-STD-981。SGTPL-2516系列变压器的工作频率为80 kHz至300 kHz，高介电耐受电压为1500 VAC，功率为150 W，漏感为0.5 mH。现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC MOSFET 400 V系列。全新MOSFET产品组合专为AI服务器的AC/DC级开发，是对英飞凌近公布的PSU路线图的补充。该系列器件还适用于太阳能和储能系统（ESS）、变频电机控制、工业和辅助电源（SMPS）以及住宅建筑固态断路器。
藉由搭载低功耗双存取同步动态随机存取内存 （LPDDR）及奇景开发的动态随机存取内存控制器（DRAM Controller），其功耗在工作模式下小于300毫瓦（mW），睡眠模式下小于2毫瓦（mW），使电子纸产品的充电周期显著延长。良信断路器功能 MiNexx3000不仅在质量方面，而且在成本效益方面都设立了新的标准。采购经理可以依靠MiNexx3000来满足他们的预算要求。”Eren Sagdas说：”在开发过程中，我们还注重维护的简便性和耐用性。”MiNexx3000具有与现有生产和OEM系统无缝集成的能力，因此还能提高生产效率”。MiNexx3000与现有生产流程的整合促进了生产链的顺畅和协调。
纳微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功将高功率能力和行业的低导通电阻（20至55mΩ）相结合，并针对如AI数据中心电源、电动汽车充电和储能以及太阳能解决方案等应用所需的快开关速度、效率和更高功率密度特性进行了专项优化。 这款混合分立器件采用快速硬开关TRENCHSTOP 5 650 V IG与零反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使得该器件成为大功率电动汽车充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流能力，地提高了可靠性。
发展新质生产力需要加快产业链供应链优化升级和前沿技术的应用落地，多年来，均普智能始终坚持新产品新产线智能化、柔性化生产。“现在均普智能积极布局与开拓人形机器人新技术新应用在工业场景的落地，是为了更好赋能制造业的升级转型、服务客户，加快塑造高质量发展新动能新优势。良信断路器功能 CoolSiC G2的新一代SiC技术能够加速设计成本更加优化，且更加紧凑、可靠、的系统，从而节省能源并减少现场每瓦功率的化碳排放量。ISM330BX的自主功能可以降低IMU单元和主机系统之间的数据传输量，并减轻主处理器的运算工作量，确保低延迟和低功耗。集成的模拟集线器可以把外部模拟传感器直连到边缘处理引擎，进行数据过滤和 AI 推理，为高能效的系统集成提供了更多机会。良信断路器功能达到PMBusTM 标准的主动监测功能可以提高系统可靠性。严重过流（SOC）时，可编程栅极关断功能可在1 ?s内实现稳健的关断操作。先进的闭环SOA控制确保了更高的MOSFET可靠性，全数字工作模式更大程度地减少了对外部半导体元件的需求，提供了一个紧凑的解决方案，使其成为空间受限设计的上佳选择，具有极高的成本效益。 Nexperia 的能量采集解决方案系统工程师重新考虑无线物联网节点、可穿戴设备、智能标签和电子货架标签的设计，以便在功耗高达几毫瓦的应用中从各种环境来源中采集更环保、更经济的能量。 HAL/HAR 3936 提供作为单芯片设备的 SOIC8 SMD 封装和用于双芯片版本的 SSOP16 SMD 封装，为要求苛刻的 3D 位置传感应用场景提供了可靠且多功能的解决方案。
