效率约为 90%，基板上的工作温度范围为 -40°C 至 50 摄氏度左右，超过该温度时，在 +70°C 时会线性降额至 20W 左右。确切的数字取决于型号和散热器尺寸。
mstar芯片 多光旗舰负载禅思 H30 系列采用一体化设计，在上一代负载 H20 系列及 H20N 的基础上进行了全面升级，高度集成五大功能模组，在各类复杂作业环境中，无论白天黑夜都能看得远、看得清、看得见。
此外，三星和金山办公强化了在移动办公领域的战略合作，用户可以通过Bixby体验包括PPT生成在内的更便捷高效的WPS AI文档功能。
CoolSiC G2 MOSFET 650V和1200V在不影响质量和可靠性的前提下，将MOSFET的关键性能（例如存储能量和电荷）提高了20%，不仅提升了整体能效，还进一步推动了低碳化进程。
器件采用版图对称布局、敏感线网衬底隔离、数模磁版图隔离环等技术，实现版图匹配的面积节约化。器件工作电压范围为1.7V至3.6V，待机功耗仅8uA，响应频率达200Hz。与国外3D霍尔效应位置传感器相比，在保持系统性能的同时，功耗降低，应用可配置模式，为电池供电或关注系统效率的轻负载模式中降低功耗。
mstar芯片 此相机系列非常适合嵌入式或手持式设备应用，如生物识别自助服务终端、检眼镜检查、3D 扫描、自动光学检测等。其配置多样，包括板级模块和坚固铝壳的全封闭模块。产品背面或侧面带 USB 连接器，并采用旋进锁定机构。以上模块化选项具有强大的灵活性和耐用性，可无缝集成到狭小空间。
传统的光耦继电器方案存在光衰问题，其性能会随着时间的推移而退化，但光耦继电器的优势是无电磁干扰问题，这也是限制高压系统中光耦替代的重要因素之一。纳芯微NSI7258通过巧妙的设计，实现了业内卓越的EMI表现，在单板无磁珠的条件下即可轻松通过CISPR25 Class 5测试，并且在全频段测试中均留有充足裕量。NSI7258基于全半导体工艺进行生产，在长期使用中具有更高的可靠性。
PCB Piezotronics 推出全新112A06宽温度范围、电荷输出型压电式压力传感器。这款传感器具有从-240°C至350°C的超宽工作温度范围，进一步扩充了PCB低温和高温压力传感器产品线。
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现快的开关速度、的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器（OBCs）、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统（ESS）。产品涵盖了从D2PAK-7到TO-247-4的行业标准封装，专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用而设计。
mstar芯片 电动汽车的发展带来了更加复杂且多元化的汽车电子系统，汽车各个模块之间的通讯也越来越频繁和密集。随着智能座舱主控芯片5nm工艺节点的成熟量产，更先进工艺制程的4nm甚至3nm平台芯片已问世，更先进的工艺意味着数字接口的电平越来越低，而平台外部模块的端口电平暂不支持低压接口，会存在IO电平不兼容的问题，对于信号的传输及通讯往往需要电平转换来实现。
AC7801x是杰发科技基于Arm Cortex-M0+内核推出的车规级MCU，出货量超三千万颗，通过ISO 26262 ASIL B产品。AC7801x拥有128KB Flash，20KB RAM，1路CAN-FD/ CAN，提供QFN32和LQFP48两种封装。
随着碳化硅市场的不断发展和对更高电压极限的不断突破，Microchip推出3.3 kV即插即用mSiC栅极驱动器等交钥匙解决方案，使电源系统开发商更容易采用宽带隙技术。与传统模拟解决方案相比，该解决方案通过预配置栅极驱动电路，可将设计周期缩短 50%。
