ST还宣布了其VD5 5H1 ToF传感器的消息，包括开始批量生产以及与Lanxin Technology（一家专注于移动机器人深度视觉系统的公司）的早期设计合作。子公司 MRDVS 选择 V??D55H1 为其 3D 相机添加高精度深度传感功能。市场对SiC二极管的首次发布反响非常热烈。它们已经在设计中证明了自己的实力，工业应用的电源便是一个非常引人瞩目的示例，客户取得了特别好的结果。这些二极管的卓越反向恢复性能意味着在实际使用中将具有较率。　　除共模滤波器外，10BASE-T1S 通信电路中还包括防物理层设备（PHY）和防静电（ESD）组件以及其它电子元件，而这些元件各有其电容。随着总电容量不断增加，信号波形湍流随之增强，进而导致正常通信中断。为解决这一问题，工程师需要选择适合低电容的元件。　　SignalVu 频谱分析仪软件 5.4 版扩展了多通道分析功能，增强了广泛应用的数字调制分析功能（SVM 选项）。此更新多可支持 26 种无线调制方案，包括但不限于 nFSK、nPSK 和 nQAM，并引入 1024QAM 以满足更高带宽应用的需求。NADER-NDB2ZB-63系列直流三段式微型断路器　　Dubhe-70在功率、面积以及效率方面都拥有表现，与Arm Cortex-A55相比， Dubhe-70性能高出80%，能效比高出32%，面效比高出90%。与赛昉科技去年推出的主打高能效比的Dubhe-80相比，Dubhe-70的能效比提升21%，面效比提升5%。Dubhe-70可应对高性能场景下对功耗有着严苛要求的各类细分领域，涵盖工业控制、存储、移动终端、边缘终端、云终端、AI等。　　112A06采用气密封装设计，壳体为17-4不锈钢材质，膜片为316L不锈钢材质，通过一个10-32 Jack 电气接头输出信号。112A06的校准量程为5,000 psi(另附带500和100psi量程的校准证书)，测量压力为15,000 psi。　　1440系列：同样的，加上一个热断路器“有助于消除对上游过流保护的需求”，Bourns说。　　电位器可定制旋钮刻度、阻值、导线和接头，以及棘爪和开关选项。器件还可根据要求提供金属旋钮。P16F和PA16F符合CECC 41000或IEC 60393-1测试标准。NADER-NDB2ZB-63系列直流三段式微型断路器　　具有如此紧凑尺寸和的功能集，TS-3032-C7为设计师提供了前所未有的灵活性和兼容性，使其能够轻松集成到各种高体积应用中，不论是移动设备、环境监控系统还是智能穿戴设备，都能提供的温度监控与高性能时间管理解决方案。　　这款新推出的SiC肖特基二极管技术亮点在于其无反向恢复电流的特性，这意味着开关过程中的损耗极低。此外，该二极管在热管理方面的改进也令人瞩目，有助于降低系统冷却需求，使工程师能够设计出更、性能更优的电源系统。通过减少系统产生的热量，这些器件允许使用更小的散热器，从而节省了成本和空间。NADER-NDB2ZB-63系列直流三段式微型断路器　　纳微半导体发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，基于CRPS185外形尺寸，其采用了额定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC级的GaNSafe?氮化镓功率芯片一起，让这款电源实现了138 W/inch的功率密度和超过97%的峰值效率，轻松达到欧盟目前强制执行的“钛金+”效率标准。作为市面上款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。　　线性度为：满量程的±0.075%，但在更有限的范围内提高到满量程的±0.05%，例如40-60mm传感器中的45-55mm。温度变化为满量程/°C 的 0.03%。