传统方法通常采用调节脉冲宽度调制 (PWM) 占空比的方法来改变电流强度，会占用大量 MCU 资源。软启动方式能避免瞬态电流冲击，不占用 MCU 的状态和资源，还可以自主设置参数，让整个系统更加灵活。　　除共模滤波器外，10BASE-T1S 通信电路中还包括防物理层设备（PHY）和防静电（ESD）组件以及其它电子元件，而这些元件各有其电容。随着总电容量不断增加，信号波形湍流随之增强，进而导致正常通信中断。为解决这一问题，工程师需要选择适合低电容的元件。　　随着用户对智能手机摄像头质量和性能的期望不断提高，从各个角度拍出出色照片的需求也空前高涨。为此，三星半导体推出其的移动图像传感器产品矩阵，让消费者从各个角度拍照，都能拍摄出满意的图像效果，为移动手机摄影打开了新天地。　　Power Integrations发布了一份新的设计范例报告(DER-952Q)，重点展示了额定耐压1700V的InnoSwitch3-AQ IC所实现的高集成度。这款结构紧凑、外形小巧的电源可在85°C环境温度下，在300VDC至900VDC输入范围内提供86W的全功率输出。这是一款无散热片设计，其效率超过92%，并且仅使用62个元件。13.5V输出配置可使该设计取代车辆的12V辅助电池。NADER开关n30我们的典型客户一直在电池供电应用中使用我们的超低功耗 SRAM IP，以在充电之间提供更长的运行寿命。人工智能增强的激增意味着我们的低功耗内存解决方案的全新领域已经出现在令人的新领域，这些领域不受电池寿命的限制，可以由主电源供电，甚至在汽车领域。功耗仍然是这些应用的关键因素，但限制因素开始变成散热和潜在的热损坏。为了控制产品外形尺寸并避免强制冷却以防止过热，需要新的低功耗解决方案。　　无论是组合穿戴还是单品佩戴，通过与三星Galaxy智能手机的互联，用户的日常体验都将得到进一步的拓展和丰富：佩戴三星Galaxy Ring或Galaxy Watch新品时，可使用手势,操控Galaxy智能手机实现远程拍照、关闭闹钟；且二者在搭配使用时，不仅数据测量会更，戒指的续航还会进一步延长。推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提率，降低功率损耗，并提供了更具成本效益的解决方案。凭借电气特性与封装的优势结合，它们能够在消费类充电器和笔记本适配器、数据中心电源、可再生能源逆变器、电池存储等众多应用中发挥出色的性能。此外，TOLT 器件还与英飞凌采用Q-DPAK封装的 CoolSiC? 750 V这一顶部散热CoolSiC? 工业产品组合形成了互补。当器件所需的电源不需要Q-DPAK封装时，开发者可使用TOLT器件减少SiC MOSFET占用的 PCB 面积。NADER开关n30　　移动电气化解决方案合作伙伴ENNOVI推出一种更先进、更可持续的柔性线路板生产工艺，其生产的柔性线路板可用于电动汽车（EV）电池互连系统低压信号连接。柔性印刷线路板（FPC）虽常用于电池互连系统内，但却是电池互连系统的成本来源。ENNOVI的柔性模切线路板（FDC）技术提供了一种更具成本效益且可持续性更高的解决方案，不仅简化生产流程，而且提高连续卷到卷的生产效率。　　海飞通400G QSFP112 SR4光模块应用场景兼容性强。考虑到客户应用场景的兼容性，公司光模块的外形尺寸与100G QSFP28、200G QSFP56光模块标准尺寸保持一致。在模块散热及功耗上，选用了DSP、DCDC电源芯片、Driver、TIA等率、低功耗的核心元器件，温度保持在0-70℃内，模块功耗低于8W，兼顾了小尺寸与低功耗。NADER开关n30　　这款防篡改安全控制器可轻松集成到系统中，执行与安全相关的功能并为敏感数据和加密操作提供别的保护。由于是一款分立安全元件，OPTIGA Trust M MTR可集成到任何基于MCU的设计中，它不仅能够增强安全性，还能同时处理多个产品协议。这为原设备制造商带来了更大的灵活性，加快了产品上市时间。此外，三个系列均支持丰富的外设集、片上存储器、强大的硬件安全功能和各种连接外设选项，包括内置PHY的USB HS/FS、CAN总线、以太网，支持与WiFi 6、/BLE的连接和Matter协议等。PSOCEdge E81 采用ArmHelium DSP技术和英飞凌NNLite神经网络（NN）加速器。PSOC Edge E83和E84内置Arm Ethos-U55微型NPU处理器，与现有的Cortex-M系统相比，其机器学习性能提升了480倍，并且它们支持英飞凌NNlite神经网络加速器，适用于低功耗计算领域的机器学习应用。所有半导体器件均采用英飞凌的自主芯片连接技术，在同等裸片尺寸的情况下赋予芯片出色的热阻。高度可靠的栅极氧化层设计加上英飞凌的标准保证了长期稳定的性能。