这次我们实现了“LSCND1006HKT2R2MF”的商品化，将本公司传统产品“LSCNB1608HKT2R2MD”（1.6×0.8×0.8mm）的体积减少约 5 成，同时直流叠加允许电流值确保为 0.8A，直流电阻也为 375mΩ，实现了低电阻。其双面 DHDFN-9-1（双散热器 DFN）封装的双极引脚设计有助于优化 PCB 布局和简单并联以实现可扩展性，使客户能够轻松处理高达多kW的应用。经过设计新型封装不仅提高了产量，其侧边可湿焊盘技术，更便于光学检查。on423芯片采购创新产品 MPPS-4000-270，这是一款紧凑轻便的高输出电压可编程电源，专为军事领域使用而设计。该设备可接受 360-528 Vrms L-L 的三相输入，能够提供25~400 Vdc的输出电压，全功率可在175~400 Vdc 之间使用。作为一项安全措施，它配备了用户可编程的限流模式，在该模式下可以无限期运行，并且可以在 0.2 ~ 24A 之间设置。MPPS是各种应用的理想选择，包括为脉冲负载、高容性负载和电池充电供电。藉由搭载低功耗双存取同步动态随机存取内存 （LPDDR）及奇景开发的动态随机存取内存控制器（DRAM Controller），其功耗在工作模式下小于300毫瓦（mW），睡眠模式下小于2毫瓦（mW），使电子纸产品的充电周期显著延长。on423芯片采购电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8×8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。on423芯片采购与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN?晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。　　转换电力的功率半导体因应脱碳举措而扩张和多样化，对可显著降低功率损耗的SiC功率半导体的需求正在增加。在xEV领域，功率半导体模块广泛用于功率转换设备，例如xEV驱动电机的逆变器。除了延长xEV的续航里程外，还需要紧凑、大功率、率的模块来进一步实现电池和逆变器的小型化。