Power Integrations发布了一份新的设计范例报告(DER-952Q)，重点展示了额定耐压1700V的InnoSwitch3-AQ IC所实现的高集成度。这款结构紧凑、外形小巧的电源可在85°C环境温度下，在300VDC至900VDC输入范围内提供86W的全功率输出。这是一款无散热片设计，其效率超过92%，并且仅使用62个元件。13.5V输出配置可使该设计取代车辆的12V辅助电池。
winbond芯片 除可见光之外，许多领域需借助红外热成像技术来完成行业特定作业需求，如消防救援查找火源、夜间人员搜救及动物保护监测、能源巡检排查故障隐患等，禅思H30T自带热成像相机，能够帮助行业用户更加安全高效地确认目标。热成像相机分辨率为 1280 x 1024 ，比上一代提升了 4 倍[4]，同时支持 32 倍数码变焦。
HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一里程碑式进展持续保持行业领先地位，并且凭借 HBM3E 的超凡性能和能效为人工智能（AI）解决方案赋能。
先临三维的Einstar普及化手持3D扫描仪采用艾迈斯欧司朗OSLON Black系列的小型高功率红外LED，为手持扫描仪提供高效率、低能耗、高可靠的辅助照明。SFH 4726AS红外LED尺寸小巧，单颗更容易集成，进一步满足空间受限的应用需求。
PI3USB31532Q 支持三种符合 USB Type-C 规格配置模式，为设计人员提供多种方案选择。它能连接 USB 3.2 Gen 2 单通道与 USB Type-C 连接器；连接 USB 3.2 Gen 2 单通道与 DP 2.1 UHBR10 双通道；或连接 DP 2.1 UHBR10 四通道。针对DisplayPort配置时，PI3USB31532Q 也会连接互补 AUX 通道与 USB Type-C 边带(Sideband)管脚：SBU1 与 SBU2。该器件的配置模式由 I2C 或使用四个外部管脚的芯片内置逻辑控制。
winbond芯片 电荷泵为高边驱动器供电，在车辆电池电压波动时，确保驱动器运行正常，在电压低至5.41V时，电荷泵仍能正常输出。在一个外部引脚上有电荷泵输出，可以用于控制电池装反保护电路的MOSFET开关管。
美光宣布开发业界首款 PCIe Gen6 SSD。据称，这款新 SSD 能够实现“超过 26GB/s 的连续读取带宽”，目前正在为数据中心运营合作伙伴准备。
美光在新闻稿中声称，这款超快的新型PCIe Gen6数据中心 SSD 是全球首款。毫不奇怪，在当前的计算时代，涡轮增压存储技术被誉为能够满足日益增长的 AI 处理需求。
四通道VNF9Q20F是意法半导体采用先进的单晶片VIPower M0-9 MOSFET工艺并集成STi2Fuse技术的新系列功率开关的首款产品，STi2Fuse产品基于I2t(current squared through time-to-fuse)技术，检测到过流，支持100?s 内做出快速响应并关断MOSFET功率开关管。
英飞凌的固态隔离器可使固态继电器控制1000 V和100 A以上的负载。性能和可靠性的提升让无芯变压器技术适用于先进电池管理、储能、可再生能源系统，以及工业和楼宇自动化系统应用。凭借英飞凌的固态隔离式驱动器，工程师可以进一步提高电子和机电系统的效率。
winbond芯片此前，三星 MX 部门主要在其高端平板电脑中使用高通的“骁龙”AP。例如，2022 年发布的 Galaxy Tab S8 搭载了骁龙 8 Gen 1，去年推出的 Galaxy Tab S9 搭载了骁龙 8 Gen 2。然而，联发科的重大技术进步促使其决定在 Tab S10 中使用 Dimensity 9300+ 代替骁龙 AP。
调光方式灵活，支持模拟和数字（内部&外部）调光；提供完整的故障诊断和保护功能，集成输入和输出的电流检测功能；开关频率可调并支持展频功能，来确保出色的EMC性能；内置高侧PMOS驱动，可以驱动外部PMOS拓展高调光比应用。得益于恒流和恒压模式的灵活调节，DIA89360也可以为USB等非LED应用供电。
钛酸钡热敏电阻由瓷片组成，两端焊接镀锡CCS引线，涂有符合UL 94 V-0标准的耐高温硅树脂涂料。器件符合RoHS标准，经过C-UL-US，文件编号E148885，适于 AC和DC使用，提高并控制安全水平。PTCEL13R和PTCEL17R具有SPICE和3D两种型号。
