多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET—SiSD5300DN,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封装,10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 mW,导通电阻与栅极电荷乘积,即开关应用中MOSFET关键的优值系数(FOM)为42 mW*nC,达到业内先进水平。“三十五乘三点五,双双成组减点五”,说的是35mm”的导线载流量为截面数的3.5倍,即35×3.5=122.5。从50mm”及以上的导线,其载流量与截面数之间的倍数关系变为两个两个线号成一组,倍数依次减0.5。即70mm”导线的载流量为截面数的3倍;9120mm”导线载流量是其截面积数的2.5倍,依次类推。“条件有变加折算,高温九折铜升级”。上述口诀是铝芯绝缘线、明敷在环境温度25℃的条件下而定的。强大的片上通信接口包括多个QSPI、UART、CAN 2.0B和I2C串行高速接口,以及一个用于连接音频编器的I2S端口。所有接口都支持外设和存储器之间的DMA驱动传输,12输入(8个外部)、12位SAR ADC以高达每秒采样百万次 (1 Msps) 的速度对模拟数据进行采样。凌力尔特能量收集芯片
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