即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。下图五是分立元件组成的反相器振荡电路，这个电路可以通过瞬时极性法进行分析，两个三极管放大电路相耦合，经过倒相两次输入和输出就是同相关系。可以将R4换成扬声器或led，在输出端可以输出振荡信号。这个电路中各元件VTVT2为9013管，RR2=27K-100K，RR4=2K-5.1K，Ec=3v-6v，CC2=0.1-10uF；保证各个三极管工作中放大状态，电路必能起振。图五分立元件反相器组成的振荡电路CD4069振荡电路有两种基本形式，还有一种改进电路；1.振荡电路形式之一，如下图六，该电路的特点是电源的波动将使频率不稳定，适合于小于100kHz的低频振荡情况。 英特尔市场营销集团副总裁、区总经理王稚聪指出，随着国家“双碳”目标的推进与落实，加快数据中心节能降碳改造已成为行业迫切需求，对此，英特尔正积极采取行动，焕新算力底座，不仅通过打造更为智能、且低碳的芯片产品与解决方案，应对眼下数据中心的能耗挑战，同时亦与广大生态合作伙伴一起，践行可持续发展战略，加速释放新质生产力，为数字经济的高质量发展注入强劲动力。菲尼克斯螺丝刀sf
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