Aaeon UP-Squared-7100 散热器视图操作温度为 0 – 60°C,附带的散热器有足够的空气流通,电源为 12V(15 – 37W),采用 ATX(默认)或 AT 电源。” 相较于传统的D2PAK-7L封装,表贴TOLL封装的结壳电阻(RTH,J-C)要低9%,PCB占位面积也要小30%,厚度低50%并且整体尺寸少60%,有利于打造功率密度的解决方案,如纳微的4.5kW高功率密度AI服务器电源。此外,由于其具备仅为2nH的封装电感,可实现卓越的高速开关性能和的动态损耗。功率系统和物联网领域的半导体英飞凌近日推出业界首款抗辐射(rad hard)1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM(F-RAM)非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员,其特点是具有出色的可靠性和耐用性,在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年,并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。 MAX32690的蓝牙5.2低功耗 (LE) 射频支持Mesh、长距离(编码)和高吞吐量等多种模式。该器件的RISC-V内核可处理时序关键型控制器任务,让程序员无需担心BLE中断延迟问题。此外,单独提供使用软件编器的LE音频硬件。材料:常用塑料外壳和金属引脚,具备良好的电气性能和机械稳定性。新系列元件是一款结构更紧凑的新一代通用型产品,工作电压为450 V(直流),具有更高的CV值,功能及适合应用和之前系列产品相同。不过,B43659系列元件的尺寸更为紧凑,仅为22 mm x 25 mm 至 35 mm x 50 mm(直径 x 高度),电容范围为140 F 至 1030 F不等。另外,新元件标配带2个端子的标准本版,也可视需要提供带3个端子的版本,以确保正确安装。GB系列Wafer连接器以其的对齐度、稳固的锁定结构和防呆设计,确保了在各种工作环境中的可靠性和耐用性。其小体积和高兼容性使得GB系列连接器成为PCB空间受限和对稳定性要求高的电子设备的理想选择。其直插和侧插的安装选择,为用户提供了极大的灵活性和便利性。 TimeProvider 4500主时钟极高的时间精度在运营商试图部署 GNSS替代解决方案时显得尤为重要。地面方案通常被认为是一种极具吸引力的解决方案,可以利用现有的光网络部署来避免对导航卫星系统的依赖,以具有成本效益的方式实现长距离传输高精度时间。长距离传输意味着对时间信号源和再生的度要求越来越高。 车规级PSo100S Max通过了AECQ-100,能够承受高达125 °C的环境温度,还支持ASIL-B(达到ISO 26262标准),可帮助集成商实现汽车应用的系统级合规。由于得到英飞凌ModusToolbox?开发平台的支持,开发者能够通过该器件轻松实现各种用例。ZW32-12/T型户外柱上真空断路器 新的VELVET SOUND技术提高了产品电气性能和稳定性,相比上一代AK4490和AK4493,以更低的功耗实现了丰富的“信息量”和“跃动感”。
“ 美光宣布开发业界首款 PCIe Gen6 SSD。据称,这款新 SSD 能够实现“超过 26GB/s 的连续读取带宽”,目前正在为数据中心运营合作伙伴准备。该电源卓越的传导和辐射发射性能已经过严格测试,符合 MIL-STD-461F 标准,同时还符合MIL-STD-810G 对冲击、跌落和振动的要求。MPPS可承受极其恶劣的环境条件,包括雨、沙、盐、高海拔和-40°C至+70°C的温度范围。该设备专为飞针测试仪终用户和制造商而打造,能够确保安全有效地进行测试,同时给与客户更大的灵活性,在无损性能的情况下让客户能够测试位置,以满足独特需求。该是泰克为确保客户成功执行自动化测试而进行的一项投资。 该系列器件的特点是开启和关闭速度快且开关损耗极小。此外,凭借具有850 V业界瞬态电压的700 V E模式,它们能够更好地抵御用户环境中的异常情况(例如电压峰值),提高整个系统的可靠性。 “沟槽辅助平面栅”技术能使碳化硅MOSFETs的RDS(ON)受温度影响小,在整个运行范围内的功率损失降到。在高温的运行环境下中,搭载这一技术的碳化硅MOSFETs,与竞争对手相比,RDS(ON)降低高达20%。 SC535IoT作为思特威首款搭载第二代SmartAEC技术的CMOS图像传感器产品,与主控SoC芯片强强联手,支持全时录像(AOV)功能。在有事件触发,SC535IoT能够以高达60fps的速度进行录制;没有事件时,SC535IoT能够以每秒1帧的超低帧率持续录制,功耗小于50mW,从而以超低功耗AOV功能实现7×24小时全天候录像,解决传统IoT摄像头方案没有事件触发期间无录像信息的缺点,实现电池常电化目标。SC535IoT能够为打猎相机、户外4G太阳能电池IPC、智能可视门铃/门锁、行车记录仪等各种场景提供全天候监控覆盖,用户可随时随地通过手机应用或网络浏览器远程查看实时状况,极大提高了监控的灵活性和效率。 同样,MGJ2B和MGJ1 SIP系列直流-直流转换器也非常适合桥式电路中的IG/SiC和MOSFET栅极驱动,MGJ1 SIP还支持+12V、+8V和+6V/-3V的GaN电压。这两个系列具有高隔离和2.4kV的连续非安全额定值。UL62368具有 300Vrms的增强绝缘,能够满足在CMTI大于200kV/?s的电机驱动器和逆变器中使用的桥式电路中常见的dv/dt要求。 4K 帧率为 60Hz,使用 1,080p 时可增加到 240Hz。
的PLC老师应当是收集大量程序供学生编程训练参考。编好程序开始不是闭门造车。按书上的例程自己在PLC上编写一遍,用PLC实验一遍。有些好的程序示例一定要记下来。如果把学习PLC比作习武的话这些程序示例就是招式,习武在初期只有一招一式的学好基础才能有朝一日一鸣惊人。而PLC编程就是一招千式;学好这些示例(招式)后才能综合应用。如果你自己有能力按照以上的方法完成,一定会学有所成、学有所用。还是一名老话,没有时间与毅力,一定会前功尽弃。 当前,汽车前照灯正朝着小型化和节能的趋势不断发展。随着灯具尺寸逐渐减小,LED驱动需要具备更大的功率,以确保在有限空间内实现高亮度的照明效果。同时,为了降低整车电耗,缓解电动车续航焦虑,率也成为LED驱动产品不可或缺的特性。 这款控制器能够让功率转换器缩减尺寸,同时提高额定输出功率。500kHz的开关频率允许使用小尺寸的电磁元件,当使用 GaN 晶体管时,还能限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用意法半导体的绝缘体上硅 (SOI)制造工艺,在保证优异的鲁棒性的同时,还可以采用2mm x 2mm 的DFN-6L微型封装。英飞凌的元件采用 DPAK 封装,将超高速 TRENCHSTOP 5 IG与碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管相结合,在硬开关和软开关拓扑结构中具有完性价比。凭借卓越的性能、优化的功率密度和的质量,该功率半导体器件与威迈斯的车载充电器实现了高度适配。ZW32-12/T型户外柱上真空断路器【【段落】段落】一位LED数码显示单元电路如所示。WR与A8(P2.0)相或提供74LS273的时钟信号,当执行“MOVX@DPTR,A”指令时,地址信息由DPTR寄存器确定,会出现有效的写信号WR,只有当地址A8为满足“0”时,写信号才可以作为74LS273的时钟信号输入,完成数据锁存。P2口为A8~A15的8位地址线,很容易扩展到8只LED数码管,WR信号分别与A8~A15按或关系连接,每位地址线均为低电平有效,即可实现8个有效地址。 此外,新型坡莫合金材质的应用场景不仅限于汽车市场。随着电子设备的小型化、纤薄化和多功能化水平越来越高,对于智能手机等设备而言,噪声的作用变得越来越重要。通过使用 TDK 开发的坡莫合金片,可以在将产品厚度减少到传统产品厚度五分之一的同时,实现噪声效果。其支持软件涵盖OpenSUSE Linux发行版、AndeSight 工具链、AndeSoft 软件堆栈和AndesAIRE NN SDK,用于将 AI/ML模型转换为在NX27V向量处理器上运行的可执行文件。一些的使用技巧包括程序的组织和功能的实现两部分,程序组织方面,要试着理解FFDB这些块的功能,了解系统OB的含义和用法,尝试着把程序按照块来组织,通过调用减少重复工作,提高复用性,使程序更清晰可读,这是提高编程水平,组织大型程序的基础。功能实现方面,学习和了解一些常用的编程模式很有必要,比如顺序转换的编程结构,PID调节、步进电机控制等一些功能的原理、实现方法以及系统内置的工艺模块的用法,有可能的话尝试自己不用系统块写一个PID调节或者运动控制的功能,这些都是从熟手到高手的分水岭。ZW32-12/T型户外柱上真空断路器推出支持Alexa Connect Kit (ACK)SDK for Matter方案的MCU Wi-Fi 6模组FLM163D和FLM263D。物联网设备制造商可以基于这两款模组轻松创建支持Matter协议的设备,这些设备能够兼容Alexa、谷歌Home、三星SmartThings和苹果HomeKit等主流智能音箱,为用户带来完使用体验。 此次推出的英特尔至强6能效核处理器基于Intel 3制程工艺,凭借高核心密度及出色的每瓦性能,可在提供算力的同时显著降低能源成本。性能与能效的升级使其非常适合要求严苛的高密度、横向扩展工作负载,包括云原生应用和微服务化网络功能、分布式数据分析、内容分发网络,以及消费者数字服务等。这一新版本选择彰显了我们对 Wi-Fi 以及提供创新连接解决方案的承诺,使我们的客户能够突破无线设计的极限。采用高通QCS6490 CPU,提供64位程序支持。开发人员可以将Visual Studio更新到版本15.9或更高版本以实现Arm 64兼容性,从而简化现有项目的二进制编译。
ZW32-12/T型户外柱上真空断路器
