下一代物联网边缘设备要求在不影响功耗的情况下继续提高性能。英飞凌创新的PSOCEdge E8系列半导体产品不仅利用机器学习功能实现实时响应式AI，还平衡了性能与功耗要求，并为联网家用设备、可穿戴设备和工业应用提供了嵌入式安全性。作为的MCU提供商，我们致力于为扩展未来物联网系统功能提供解决方案。DRV7308基于 GaN 技术，具有高功率密度；采用 12mm x 12mm 封装，使之成为面向 150W 至 250W 电机驱动器应用的业界超小型 IPM。在效率的加持下，DRV7308 无需外部散热器，与同类 IPM 解决方案相比，电机驱动逆变器印刷电路板 (PCB) 的尺寸可缩减55%。　　微软现场演示了一系列Copilot+ PC的AI能力，包括与OpenAI技术GPT-4o的结合。在GPT-4o的支持下，Copilot根据用户实时的屏幕画面，以对话的方式引导用户在沙盒游戏《我的世界》（Minecraft）中制造剑，包括根据用户的库存面板提醒他应该补充哪些材料，并在游戏中的“僵尸”袭来时引导用户躲避等。　　R&S SMB100B本身直接输出的电平精度非常高。随着所需信号频率的增加，待测设备获得正确电平的难度也随之增加：R&S SMB100B 支持两项附加功能，用于补偿路径损耗以及由附加测试夹具、电缆或放大器所带成的信号变化。大多数现代电子系统都依靠多个内部电压来运行各种功能，如计算、通信和执行功能（通常是加热、发光、发声或某种运动功能）。但每个变换级的损耗都会累加起来，从而降低整个系统的性能并产生热量。InnoMux-2 IC可轻松克服这一挑战，因为它采用一个单级的架构，即可提供多达三个独立的稳压输出或者两个恒压输出和一个恒流输出，从而可以以更少的元件实现结构紧凑且的电源子系统。　　此外，VLMTG2332ABCA-0在20 mA下典型波长为525 nm，是健身追踪器和其他通过绿光吸收率不同进行心率检测设备的理想选择。VLMB2332T1U2-08在20 mA下典型波长为465 nm，适用于那些利用短波长蓝光检测微小颗粒的烟雾探测器。与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN?晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。　　立芯光电以高端半导体激光芯片的设计、研发和制造为核心竞争力，可根据客户需求提供定制化产品及解决方案，快速响应客户需求，持续为客户提供高功率、高可靠性、高性价比的激光芯片。此外，TOLT 器件还与英飞凌采用Q-DPAK封装的 CoolSiC? 750 V这一顶部散热CoolSiC? 工业产品组合形成了互补。当器件所需的电源不需要Q-DPAK封装时，开发者可使用TOLT器件减少SiC MOSFET占用的 PCB 面积。天正自动转换开关　这些商品是用于以 TWS 和智能手表为代表的要求超小型、高性能的可穿戴终端等的电源电路用扼流 圈 的 功 率 电 感 器 。“LSCND1006HKT2R2MF” 与 本 公 司 以 往 产 品 “LSCNB1608HKT2R2MD” （1.6×0.8×0.8mm）相比，体积减小了约 5 成，有助于设备的小型化等。　　当输出电流超过设定阈值时，HL8518会调节功率FET，将输出电流箝位至预设定值。将ILIM引脚接地时，电流限制阈值为内部默认值。芯片根据负载限流情况实现关断或重新，恢复电源路径　　步进衰减器专为6 GHz、8 GHz和18 GHz频率的卓越射频性能而设计。它们的衰减水平有10、60、70和99 dB，衰减步长为1 dB和10 dB，具体取决于型号。　　经过预集成及验证，Dubhe-70能极大简化SoC开发工作。Dubhe-70可提供具备内存一致性的Cluster内单核、双核或四核的配置选择，具有高度可扩展性。在配套软件方面，赛昉科技能为客户提供裸机SDK、Linux SDK、独立且预编译的IDE等。　　根据ABI Research*的数据，到2028年，蓝牙LE设备的出货量预计将达到现有数量的两倍左右。与此同时，AI/边缘机器学习以及传感器融合解锁的新应用带来了更多、更严格的要求，包括更高的安全性、更强的处理能力和优异的电池使用效率。QSiC产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。　　无论是在工业还是汽车领域，高压系统正在变得越来越普遍，为了适配工业和汽车平台高压化的趋势，NSI7258以背靠背的形式集成了2颗纳芯微参与研发的SiC MOSFET，每颗支持高达1700V的耐压；在1分钟的标准雪崩测试中，NSI7258可耐受2100V的雪崩电压和1mA的雪崩电流，实现业内的耐压和抗雪崩能力。　　TFX隐形天线可直接安装在屏幕上替代金属外壳外置天线，适用于电动汽车充电和停车计时。在智能家居和智能楼宇中，TFX隐形天线可以安装在窗户上，电缆可隐藏在墙内连接到路由器，大幅提升建筑美观度。在交通运输领域，隐蔽安装的天线可以取代大型外部天线，实现车内连接。　　纳微半导体发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，基于CRPS185外形尺寸，其采用了额定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC级的GaNSafe?氮化镓功率芯片一起，让这款电源实现了138 W/inch的功率密度和超过97%的峰值效率，轻松达到欧盟目前强制执行的“钛金+”效率标准。今后遇见类似的作业，我们记得随时扪心自问：停电了吗？工作与非工作区域隔离了吗？验电了吗？接地了吗？安全交底真的交到现场作业人员心里了吗？工作负责人、业务管理人员和安全监督人员到位履职了吗？……而作为安全管理的人员，对于所用的外包作业人员，都要“当自己人”来看来管，加强横向沟通、协调和相互间资源共享，本着对安全高度敬畏、对生命高度尊重的理念，认真开展安全教育、现场勘探、安全技术交底、安全布置、安全监督检查，切实做好类似外委工程的全过程管理工作。　　C8系列的核心亮点在于其显著缩小的体积（相较于C7系列缩减了50%），同时保持了卓越的性能表现。在微型化方面，C8系列表现出色，为工程师们提供了更为紧凑的设计方案，让他们在享受小巧便利的同时，依然能体验到瑞士微晶RTC模块一贯的高性能标准。天正自动转换开关【【段落】段落】上次投稿“欧姆龙和西门子一键启停PLC编程方法图解看完秒懂。”链接：m431651.html根据这个网有提出的问题，我专门编写一个这样程序，内容：5台电机顺序启动Y0.Y1.Y2.Y3.Y4.Y5，间隔5秒，然后停止时间间隔5秒，逆停：Y5.Y4.Y3.Y2.Y1.。程序编写完成，我截图给分享给大家。为了验证程序实用性，我专门在线仿真一下，我也截图分享给大家。我用的是台达编程软件，特地加上注释，分享给的大家，方便大家熟悉和后期在自己练习。「S-19990/9系列」是36V工作的升压型DC-DC控制器，因工作电压可确保从3V(业界(※1))开始，适宜构建备用电源的升压电路。可以选择400kHz振荡频率或2.2MHz振荡频率。平方电线的直径不小于1.78mm；4平方电线的直径不小于2.25mm。除了要检查接线盒里电线的粗细以外，别忘了查看配电箱里的电线。注意电线颜色——全屋电线最多出现四种颜色，其中火线使用红色，零线使用蓝色，地线使用黄绿双色。开关与灯之间、开关与开关之间的连接线，应使用除了上述三种颜色以外的其它色电线。工艺对电路改造的施工工艺进行检查，主要看以下三个方面：接头——电线接头必须正确（不了解电线接头怎么接也没事，只要好看、不是乱七八糟的一坨，基本上都没问题），同时要用绝缘胶布完整包裹，不能有任何一点铜芯暴露在外（验收时，拆掉其中几个接头检查接头工艺）。天正自动转换开关　　今天推出的新产品「S-82K5B/M5B系列」是3节~5节串联用二次保护用IC、具有以下特点：（1）搭载级联功能（通过连接多个IC，能够保护比一个保护IC所能应对的电池数量更多的电池的功能）、通过比以往大幅度减少的部件结构，实现了6节串联以上的二次电池的电压监视；（2）搭载了IC之间通信的开路检测电路(※1)，可进行更安全的电压监视；（3）备有过充电检测电压精度±20mV的S-82K5B系列和实现业界水准(※2)高精度±15mV的S-82M5B系列的2个系列的产品阵容，可以灵活应对客户的需求。英飞凌CoolSiC G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中树立高质量标杆，并进一步利用英飞凌独特的XT互联技术来提高半导体芯片的性能和散热能力（例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封装的型号）。