日前发布的器件R25阻值为60 W至1 kW，500 W 额定直流电压高达1000 VDC，1 kW 达1200 VDC，能量吸收能力达240 J，比竞品器件高四倍。多个热敏电阻并联，能量吸收能力高于1000 J。PTCEL系列电阻工作温度达+105 °C、所有阻值的热容为2.3 J/K。英特尔公布了其用于 AI PC 处理器的 Lunar Lake 架构的细节。该架构专为“轻薄”PC 型号的节能计算性能而设计，具有性能核心 (P 核心) 和核心 (E 核心)，可提高能源效率和 AI 计算性能。它还拥有第四代神经处理单元，AI 性能高达 48TOPs，是上一代的四倍。adi是什么芯片　　CoolGaN? BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。它能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。首款40 V CoolGaN? BDS产品的 RDS(on) 值为 6 mΩ，后续还将推出一系列产品。　　通过采用更先进的印刷电路板(PCB)和树脂模塑料(EMC)[2]工艺，新一代LPDDR DRAM的封装厚度仅0.65毫米(mm)，薄如指甲，超过之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外，三星优化了背面研磨工艺[3]，进一步压缩了封装厚度。adi是什么芯片利用 TDK 的专有材料技术，TDK 成功开发出一种新型固态电池材料，由于使用了氧化物固体电解质和锂合金阳极，其能量密度大大高于 TDK的传统量产固态电池（类型：CeraCharge）。此外，氧化物固体电解质的使用也使电池尤为安全，可适用于可穿戴设备和其他与直接接触的设备。adi是什么芯片生成式AI等数据中心工作负载需要具有带宽和容量的服务器 RDIMM，以满足不断增长的数据管道日益增加的内存需求。随着新服务器 PMIC 系列的推出，我们扩展了现有的基础技术，并为客户带来了支持多代 DDR5 服务器平台的全套内存接口芯片组。　　嵌入式行业对基于RISC-V的开源处理器架构的需求日益增长，但在商用芯片或硬件方面的选择仍然有限。为了填补这一空白并推动创新，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）宣布推出PolarFire SoC Discovery工具包。通过为嵌入式处理和计算加速提供用户友好、功能丰富的开发工具包，Microchip可帮助各种水平的工程师采用新兴技术。