L99H92 包含两个高边驱动器和两个低边驱动器，可以控制一个全桥，驱动一台双向直流电机运转，还可以控制两个半桥，驱动两台单向电机运转。这款高集成度且易于配置的驱动器适用于各种汽车系统，包括电动天窗、车窗升降机、电动后备箱、电动滑门和安全带预紧器。FB10的控制程序生成多重背景数据块DB10。在项目内创建一个与FB10相关联的多重背景数据块DB10，符号名“Engine_Data”。如所示。DB10的数据结构在OB1中调用功能（FC）及上层功能块（FB）。OB1控制程序如所示，“程序段4”中调用了FB10。OB1控制程序使用多重背景时应注意以下问题：首先应生成需要我次调用的功能块（如例中的FB1）。管理多重背景的功能块（如例中的FB10）必须设置为有多重背景功能。此外，三个系列均支持丰富的外设集、片上存储器、强大的硬件安全功能和各种连接外设选项，包括内置PHY的USB HS/FS、CAN总线、以太网，支持与WiFi 6、/BLE的连接和Matter协议等。PSOCEdge E81 采用ArmHelium DSP技术和英飞凌NNLite神经网络（NN）加速器。PSOC Edge E83和E84内置Arm Ethos-U55微型NPU处理器，与现有的Cortex-M系统相比，其机器学习性能提升了480倍，并且它们支持英飞凌NNlite神经网络加速器，适用于低功耗计算领域的机器学习应用。amp接线端子
ZV系列适用于各种“引擎盖下”场景，包括水泵、油泵、冷却风扇、大电流DC-DC转换器和ADAS应用。它还适用于机器人、冷却风扇、太阳能发电系统等的逆变电源，涵盖逆变器和整流器电路的直流侧。 选择正确的栅极驱动器对于实现功率转换效率非常重要。随着SiC 技术得到广泛采用，对可靠安全的控制解决方案的需求比以往任何时候都更高，而ST的STGAP 系列电气隔离栅极驱动器在此成为必不可缺的一环。
amp接线端子MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管提供电压偏置，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。该SiC二极管的扩散焊接改善了封装的热阻 (Rth)，使芯片尺寸变得更小，从而提高了功率开关能力。凭借这些特性，该产品实现了更出色的系统可靠性和使用寿命，满足了汽车行业的严格要求。为了地提升与现有设计的兼容性，该产品还采用了基于广泛使用的DPAK封装的引脚对引脚兼容设计。
amp接线端子千赫兹频带的传统噪声设备需要用到厚重的材料，其中有些还会使用金属材质。但问题在于，对于以追求尺寸和重量化为首要目标的电动汽车而言，这些材料过于庞大、笨重。推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IG功率模块—VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IG技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。下图是数字万用表的档位和量程，使用数字万用表进行测量时，首先应根据测量对象选择相应的档位，然后根据测量对象估计测量的范围，选择合适的量程。，要测试9V电池电压，可选择“直流电压20V”档位。如果无法估计测量对象的大小，则应先选择该档位的量程，然后根据显示情况逐步减小量程，直至能够准确显示读数。选择测量量程时，应尽量使LCD显示屏中显示较多的有效数字，以提高测量精度。，测量1.5V电池电压，选择“直流电压”的200V、20V、2V档均可测量，但是2V档显示的有效数字最多，因此测量精度较高，如下图所示。
