SYNIOSP1515 LED侧发光模式的实现得益于艾迈斯欧司朗专有光学封装技术。艾迈斯欧司朗侧发光LED已广泛用于高性能汽车的背光显示。
microchip technology 近日，识光发布高集成度大面阵 SPAD-SoC SQ100，真正实现灵活分区的 2D 可寻址 SPAD-SoC。SQ100 面向 ADAS 前装量产、L4/5 自动驾驶、机器人、工业自动化等应用，一块芯片即可覆盖短、中、长距的探测需求，适配多种扫描方式。SQ100 具备高灵活性和延展性，可以满足不同应用场景下对像素分辨率、测距量程和精度的要求，致力于实现 SPAD-SoC 从”可用”至”好用”的跨越。
纳微半导体发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，基于CRPS185外形尺寸，其采用了额定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC级的GaNSafe?氮化镓功率芯片一起，让这款电源实现了138 W/inch的功率密度和超过97%的峰值效率，轻松达到欧盟目前强制执行的“钛金+”效率标准。
GD32F5系列高性能MCU采用Arm Cortex-M33内核，支持200MHz的运行主频，工作性能可达3.31 CoreMark/MHz。内置DSP硬件加速器和双精度浮点单元(FPU)，大幅减轻了内核的负担并有助于提升处理效率。
常见的电源噪声对策是在电源噪声的传播路径——电源线和GND之间配置电容器，从而将噪声释放到GND。该对策方法的噪声消除性能随着所使用的电容器的阻抗降低而提高。但是，在谐波区域，电容器内部有作为电感器工作的寄生分量 (被称为ESL)，它会导致阻抗增加，所以会降低噪声消除性能。
microchip technology 德州仪器 Kilby Labs 电源管理研发总监 Jeff Morroni 表示：“设计人员采用电源模块，是为了节省时间、降低复杂性、缩小尺寸并减少元件数量，但之前需要在性能上做出妥协。经过近十年的努力，德州仪器推出了集成磁性封装技术，可助力电源设计人员适应重塑行业格局的电源发展趋势，即在更小的空间内高效地提供更大的输出功率。”
这些模块具有 2k VDC/1 min 功能型隔离（对于 REC10K 系列，则为 1.6k VDC/1 min），符合 IEC/EN/UL62368-1 标准，降额时可在 -40°C 至 +105°C 的环境温度下工作（ REC10K 降额时的工作温度范围为 -40°C 至 100°C）。使用规格书中指定的外部滤波器，传导 EMC 可以符合“A 级和 B 级”水平。
为了帮助相连设备之间实现正确配置与通信，该产品具有专用显示数据通道/辅助通道 (DDC/AUX) 管脚与热插拔检测 (HPD) 管脚，连接成功时可让设备自动辨识。
凭借LPDDR5X DRAM的封装技术，三星提供了其业内薄，采用四层堆叠结构[1]的12纳米级LPDDR DRAM。与上一代产品相比，厚度降低约9%，耐热性能提升约21.2%。
microchip technology AI Server PSU 的 AC/DC 级采用多级 PFC 实现，功率密度可达到 100 W/in以上，效率可达 99.5%。与使用 650 V SiC MOSFET 的解决方案相比，效率提高了 0.3 个百分点。
通过在 DC/DC 级实施 CoolGaN 晶体管，AI 服务器 PSU 的系统解决方案得以完成。
同样，MGJ2B和MGJ1 SIP系列直流-直流转换器也非常适合桥式电路中的IGBT/SiC和MOSFET栅极驱动，MGJ1 SIP还支持+12V、+8V和+6V/-3V的GaN电压。这两个系列具有高隔离和2.4kV的连续非安全额定值。UL62368具有 300Vrms的增强绝缘，能够满足在CMTI大于200kV/?s的电机驱动器和逆变器中使用的桥式电路中常见的dv/dt要求。
AIR-150 配备了 Hailo-8 AI 加速模块，可提供 26 TOPS 的计算能力。与英伟达（NVIDIA）Jetson Orin Nano 和 Xavier NX 相比，AIR-150 的 AI 能力更强，可为 AI 推理带来更高的吞吐量和更低的延迟。
