日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。作为市面上款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。全新 3.5 英寸 conga-HPC/3.5-Mini 载板专为空间受限的强固型高性能安全工业物联网 (IIoT) 应用而设计，基于 COM-HPC Mini 模块，支持 -40℃ 到 +85℃扩展温度范围，可立即部署到工业应用中。NVMe NANDrive BGA封装的固态硬盘样品，以满足其用户在高压力、严苛工作环境的嵌入式应用中要求高可靠、高性能的数据存储需求。NVMe NANDrive固态硬盘工作温度-40oC至+95oC，支持PCIe Gen3x4接口，采用行业标准的M.2 1620（16 x 20mm，291球）BGA封装。欲了解更多NVMe NANDrive 产品信息，请访问https://bit.ly/NVMe-BGA-SSD。NDB6LM-40系列小型断路器德州仪器此次发布的DRV7308也是该企业第将氮化镓用于IPM中，该产品集成6只氮化镓功率模块，与现有解决方案相比，该产品利用氮化镓技术助力家电和暖通空调（HVAC）系统逆变器效率达到99%以上，并提升了热性能，使功耗降低50%。　　凭借LPDDR5X DRAM的封装技术，三星提供了其业内薄，采用四层堆叠结构[1]的12纳米级LPDDR DRAM。与上一代产品相比，厚度降低约9%，耐热性能提升约21.2%。”　　推出的ITV2718尺寸为2.7 x 1.8mm，提供5安培、三端子丝。 这种创新设计可利用嵌入式丝和加热器元件组合快速做出反应，在过充或过热情况发生之前中断电池组的充电或放电电路。　　通态电阻通常为 1Ω，开关时间分别为 350 和 150μs。NDB6LM-40系列小型断路器　　当英特尔宣布推出用于 AI 的Gaudi 2和Gaudi 3加速器时，它表示总拥有成本将只是 Nvidia H100 的一小部分，但从未透露任何实际数字。在2024 年台北电脑展的英特尔主题演讲中，该公司终于公布了其 AI 处理器的定价，看来主板上的八个 Gaudi 2 处理器的成本将低于传闻中的一块 Nvidia B200 的成本。”　Pasternack 新型连续可变衰减器的额定功率分别为5W和10W，工作频率可达18 GHz，衰减水平高达50 dB。NDB6LM-40系列小型断路器　　康佳特推出基于COM－HPC Mini 模块的 3．5 英寸应用载板康佳特推出基于COM－HPC Mini 模块的 3．5 英寸应用载板关键词：康佳特 COM－HPC Mini 模块 时间：2024-04-22 09:42:46 来源：康佳特“的嵌入式和边缘计算技术供应商德国康佳特，响应其近期推出的 aReady. 策略，推出首款板级产品。”HL8545 需要外部接地二极管来防止电池反向电流从地流向电池，而 HL8545G 整合了防反二极管，不需要外部器件。