这两款图像传感器均采用豪威集团的Nyxel近红外（NIR）技术，可提高700-1050nm波长的QE，从而能够从更远的距离捕捉到更明亮的图像；PureCelPlus-S晶片堆叠架构可实现优异的图像传感器性能；CSP封装技术可实现尽可能小的产品尺寸。此外，三菱电机拥有覆盖宽容量逆变器的功率模块阵容，有助于延长EV和PHEV的续航里程和降低电力成本，从而为汽车电动化的进一步普及做出贡献。　　三星Galaxy Z Fold6在升级用户工作方式的同时，还为用户带来更为精彩的大屏体验。内屏采用了升级的窄边框设计，拥有更大的可视范围和操作空间，而高达2,600尼特的屏幕峰值亮度搭配Vision Booster技术，更带来了全场景的清晰显示效果。另外，高性能的芯片组集成了同品类中出众的CPU、GPU和NPU，为复杂的多任务处理、AI运算提供了有力支持。此外，在相比上代产品1.6倍大的VC均热板、光线追踪技术与升级的游戏助推器的协同下，还能够为用户呈现出逼真的画质和自如的操控，令大屏游戏体验更上一层楼。　　器件采用倒装芯片技术增强散热能力，热阻比竞品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT导通电阻和热阻低，连续漏电流达36 A，比接近的竞品器件高38 %。 MOSFET独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过 Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。NDB6Z-125系列直流断路器　　SQ100 的 SPAD 分辨率为 768 (H) x 576 (V)，具有 3×3，6×6，3xn 等多种 binning 方式；在垂直方向可按照4/8/16个像素进行分区，在水平方向可按照8/16/32/48/64/…/256个像素进行分区。SQ100 提供了超灵活分区的 2D 可寻址方案，在真正解决行业长期面临的”高反污染”（Blooming）问题的同时，还能保持高帧率和远测距能力，扫清了 VCSEL+SPAD 量产路线上重要的性能阻碍。　　SignalVu 5.4 版是在 2023 年 9 月发布的 5.3 版之后推出的。5.3 版增加了一些重要功能，例如测量多个信号之间的相位和幅度差异，支持用于测量更高频率的外部下变频器，以及同时分析多个雷达信号的脉冲特性。新软件版本还可以通过 MSO 自动进行相位噪声测量。　　OPTIGA Authenticate N采用英飞凌的Integrity Guard 32安全架构，硬件及算法库均通过CC EAL6+，具有出色的安全性。该标签产品支持对称和非对称加密验证，以及直通和异步数据传输模式。　　日前发布的器件R25阻值为60 W至1 kW，500 W 额定直流电压高达1000 VDC，1 kW 达1200 VDC，能量吸收能力达240 J，比竞品器件高四倍。多个热敏电阻并联，能量吸收能力高于1000 J。PTCEL系列电阻工作温度达+105 °C、所有阻值的热容为2.3 J/K。NDB6Z-125系列直流断路器　以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置，限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性，这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。　PI3USB31532Q 支持三种符合 USB Type-C 规格配置模式，为设计人员提供多种方案选择。它能连接 USB 3.2 Gen 2 单通道与 USB Type-C 连接器；连接 USB 3.2 Gen 2 单通道与 DP 2.1 UHBR10 双通道；或连接 DP 2.1 UHBR10 四通道。针对DisplayPort配置时，PI3USB31532Q 也会连接互补 AUX 通道与 USB Type-C 边带(Sideband)管脚：SBU1 与 SBU2。该器件的配置模式由 I2C 或使用四个外部管脚的芯片内置逻辑控制。NDB6Z-125系列直流断路器FC906A也配备可靠的SDIO 3.0接口，集成2.4 GHz/ 5 GHz传输功率放大器以及低噪声放大器。在蓝牙方面，其符合蓝牙5.2标准，内置Class1功率放大器，可拓展传输范围。此外，FC906A支持扩展同步连接导向链路（eSCO），以提升语音质量，并采用自适应频率跳变（AFH）技术，限度地减少射频干扰。随着车载通信网络复杂性的不断增加，当前主流的CAN FD可能在多节点、长距离高速数据传输时，出现信号通信故障，为了确保通信的稳定性和可靠性，额定速率5Mbps的CAN FD实际使用速率往往被限制在2Mbps以下，为了突破速率限制，信号改善功能的引入变得尤为重要。　　为此，村田通过特有的元件设计技术和陶瓷多层技术，利用行业首款负互感产品，开发了让电容器内部寄生电感与电路板内产生的寄生电感互相抵消的电源噪声元件。通过连接1件本产品，实现用更少数量的电容器降低噪声，帮助节省整体空间。