TSZ151 的增益带宽为1.6MHz，在5V电压时工作电流仅为210μA，产品介于意法半导体的400kHz TSZ121和3MHz TSZ181之间，为设计人员优化速度和功耗带来更多的选择和更高的灵活性。TSZ151兼备出色的速度功率比与很低的输入偏置电流 (300pA)。 HT32F53231/HT32F53241/HT32F53242/HT32F53252操作电压为2.5V~5.5V，操作温度范围提升至-40℃~105℃工业温度范围，指令周期可达60MHz，Flash容量为128KB，SRAM容量达16KB，搭载6通道PDMA，支持独立VDDIO管脚，可连接与MCU VDD电压不同的组件。全新的英特尔至强6平台及处理器家族专为应对这些挑战所设计，其中，能效核处理器专门针对高核心密度和规模扩展任务所需的能优化，而性能核处理器则面向计算密集型和AI工作负载所需的高性能进行优化，两者架构兼容，共享软件栈和开放的软、硬件供应商生态。
日前发布的器件在一个组件中集成了旋钮和面板电位器，无需采购组装单独的旋钮。此外，只有安装硬件和端子位于面板背面，微型电位器面板背面所需间隙小于15 mm。NDG1-125系列隔离开关 MAX32690 MCU采用68引线TQFN-EP（0.40mm间距）封装和140焊球WLP（0.35mm间距）封装。该器件适用于工业环境，额定温度范围-40°C至+105°C，目标应用包括有线和无线工业通信、可穿戴和可听戴健身及健康设备、可穿戴无线设备、IoT和IIoT以及资产跟踪。MAX32690拥有配套的评估套件 (MAX32690EVKIT#)，也可在贸泽网站订购。
功率MOSFET和IG栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的结合。这些驱动有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，非常适合各种应用。在确保安全控制方面，STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案，在输入部分和被驱动的MOSFET或IG之间提供电气隔离，确保无缝集成和优质性能。M-LB-4000浪涌保护系统集成了多个功能——模块化、环路断开和信号线故障监控功能，可达到SIL 3级（基于IEC/EN 61508标准）。该设备可限制信号线上各种原因（如雷击或开关操作）引起的感应瞬态。双通道模块支持更高的设备可用性： 由于保护功能完全置于插入式保护模块中，因此更换时无需重新布线。
与同系列中的工业级产品一样，车规级 CoolMOS? S7TA 尤其适合固态继电器（SSR）应用。它具有出色的RDS(on) 和传感精度，这对于依赖功率管理解决方案的各种汽车电子设备至关重要。超级结MOSFET与嵌入式温度传感器集成在同一封装中，提高了固态继电器的性能，即便在非常严峻的过载条件下也能可靠运行，这对于可靠性要求极高的汽车应用来说是必要的。NDG1-125系列隔离开关 移远通信NCM8x5系列模组采用高通FastConnect 7800解决方案，且支持2 × 2 MIMO和双频并发(DBS) 技术，使PC终端能够同时接入2.4 GHz + 5 GHz和2.4 GHz + 6 GHz频段；其中，NCM865和NCM865A两款产品还采用高频并发(HBS)多连接技术，通过降低高频频谱内的干扰以达到增强无线通信的目的，这种改进将有助于更有效地使用带宽，从而减少信号延迟，增加数据吞吐量，以满足多行业对无线连接低延时、高吞吐的需求。RECOM 全新推出新一代极具性价比的高性能 “K” 系列引脚式 DC/DC 转换器，这些产品性能更强大，额定功率达 30 W，具有宽输入电压范围，采用 1” x 1” 微型封装，高度仅 0.4英寸 (25.4 x 25.4 x 10.2 mm)。NDG1-125系列隔离开关 Vishay 推出新型 25 MBd 高速光耦，器件配有 CMOS 逻辑电路数字输入输出接口，便于数字系统集成。单通道 VOIH72A 适于各种工业应用，脉宽失真值低至 6 ns，供电电流仅为 2 mA，电压范围 2.7 V 至 5.5 V，工作温度高达 +110 °C。 凭借在芯片封装领域丰富的技术经验，三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封装，使移动设备内有多余的空间，促进空气流动。散热控制能力因此得到提升，这一属性对于像端侧人工智能类具有复杂功能的高性能应用尤为关键。 生活中的噪音来自方方面面，振动是声音的来源，声带的振动使得我们能够发出声音，而轮胎和地面的摩擦振动则产生了我们不希望听到的胎噪。特别是在新能源汽车中，没有发动机的轰鸣，胎噪成为了破坏静谧驾驶体验的主导因素，而这种由轮胎和地面接触产生的复杂低频随机噪音往往难以及时捕捉。低延时、高精度加速计的使用很好地解决了这个问题。
