STGAP2SICSA 在栅极驱动通道和低压控制之间具有电气隔离，可在高达1700V (SO-8) 和 1200V (SO-8W) 的电压工作。其小于45ns 的输入到输出传播时间可确保高PWM 精度，并凭借±100V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI) 实现可靠的开关。内置保护包括欠压锁定(UVLO)，防止SiC电源开关在低效率或不安全条件下运行，以及热关断，如果检测到结温过高，则将两个驱动器输出调低。　　RDSon是SiC MOSFET的一个关键性能参数，因为它会影响传导功率损耗。然而，许多制造商只关注标称值，而忽略了一个事实，即随着设备工作温度的升高，RDSon相比室温下的标称值可能会增加以上，从而造成相当大的传导损耗。　　ROM-2860采用超紧凑OSM Size-L尺寸（45 x 45 mm），在同尺寸核心板中以其出色的性能脱颖而出。搭载6.9W TDP的高通八核QCS6490处理器，其性能优于传统的核心模块，并以其微小体积满足如HMI和嵌入式机器视觉等各种工业和便携式应用。值得注意的是，QCS6490的性能比中端x86处理器高出近20%，同时功耗显着降低43-75%。　　安费诺的MicroSpace高压选择性负载线缆压接连接器是一项颠覆性的解决方案，设计独特，既符合LV214 Severity-2标准，又允许存在间距偏差和提供高压性能。本篇博文将深入解析这项非凡连接器系统所具有的卓越性能和优点，以及其广泛用途。NDQ3H系列自动转换开关　　此外，Nexperia的“薄型SiC”技术提供了更薄的衬底（为其原始厚度的三分之一），大大降低了从结到背面金属的热阻。由此带来了诸多好处，包括工作温度更低、可靠性更高、设备寿命更长、抗浪涌电流的能力更强、正向压降更低。 　Holtek新推出Sub-1GHz RF OOK/FSK Transmitter OTP MCU BC68R2123，扩大Holtek Sub-1GHz Tx系列产品涵盖面，并提供客户无线控制产品优势竞争力，适合各类无线控制，如铁卷门、电动门、灯控、吊扇、吊扇灯、开关、插座、安防、门铃、集成吊顶等产品应用。推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET—SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。宣布推出全新具备Conformal Coating表面涂层的DDR5 Registered DIMM （RDIMM） 内存模块，适用于沉浸式液冷服务器设计。 此款创新产品结合DDR5的卓越性能与增强的保护功能，确保在严苛的数据中心环境中实现产品可靠性和长期耐用度。NDQ3H系列自动转换开关STEVAL-WBC2TX50电能发射板采用意法半导体超级充电(STSC)协议，输出功率高达50W。STSC是意法半导体独有的无线充电协议，充电速度高于智能手机和类似设备所用的标准无线充电协议，可以给更大的电池充电，而且充电速度更快。该板还支持Qi 1.3 5W Baseline Power Profile (BPP)和15W Extended Power Profile (EPP)两种充电模式。意法半导体的STWBC2-HP电能发射系统封装是板载主要芯片，整合了STM32G071 Arm?Cortex?-M0微控制器和射频专用前端。　　u-blox UBX-R52芯片融合一组全新功能，可在用户设计产品时免去使用额外元器件的需要。SpotNow是u-blox特有的新功能，可在数秒间提供精度为10米的数据。这项功能专为间歇性追踪应用而设计，例如废弃物回收垃圾桶、老年人追踪器或清洗设备。uCPU功能允许用户在芯片内运行自己的软件，而不需要使用外部MCU。NDQ3H系列自动转换开关　　CoolSiC MOSFET 2000 V产品系列适用于1500 VDC 的高直流母线系统。与 1700 V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5 V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT 连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。　　芯片内部集成10 位模拟数字转换器 (ADC) 和故障寄存器，可提供丰富的诊断信息和数字电流检测反馈，以支持车辆相关功能，例如，预测性维护。VNF9Q20F通过 SPI 提供诊断数据，内置自检功能， 可使系统达到 ISO 26262 规定的安全完整性等级。在发生故障或功能异常时，嵌入式故障安全模式可使系统保持工作状态。　　「S-19990/9系列」还搭载有扩频时钟振荡电路(※2)，可以降低升压电路发出的传导噪声及辐射噪声。另外，静止时的消耗电流为60μA(典型值)，在低电流下工作的同时，实现优异的响应特性。凭借这些特点，既可降低备份电容器/电池的电压，又可实现小型、低成本、低噪声、低暗电流和快速响应，支持日益增长的安全性能要求。