该系列提供各种通孔和表面贴装封装，帮助设计人员实现紧凑的外形尺寸、高功率密度和系统可靠性。TO-247 LL（长引线）是一种深受市场欢迎的通孔封装，可以简化器件在设计中的集成，并沿用成熟的封装工艺。　　英飞凌的固态隔离器可使固态继电器控制1000 V和100 A以上的负载。性能和可靠性的提升让无芯变压器技术适用于先进电池管理、储能、可再生能源系统，以及工业和楼宇自动化系统应用。凭借英飞凌的固态隔离式驱动器，工程师可以进一步提高电子和机电系统的效率。全新的OX05D10是我们采用TheiaCel?技术的汽车传感器系列的产品，与我们去年9月在布鲁塞尔AutoSens展会上发布的800万像素传感器OX08D10属于同一系列。得益于TheiaCel?技术，OX05D10能够在不牺牲图像质量的前提下实现优异的LFM功能，而且OX05D10还保留了汽车厂商要求的重要功能，包括低光性能、小尺寸和低功耗。我们扩大了产品线，方便客户根据自身需求，在800万像素和500万像素两款产品之间进行选择。　　“就像在 2024 年运营自己的服务器场没有意义一样，从头开始构建物联网基础设施也没有意义。如果你要大规模部署产品，你应该依靠其他公司提供属于‘无差别重担’类别的基础设施——这是我们从网络服务中借用的术语，””FCS866R基于可靠的SDIO 3.0接口，可实现高速、低功耗的数据无线传输，并支持-20 °C ~ +70 °C的工作温度；FCE863R则采用可靠的PCIe 1.1接口以同样实现高速、低功耗的Wi-Fi无线传输，同时支持-20°C ~+70°C的工作温度。此外，为适应更多工业场景的应用，FCE863R新增子型号，支持-40°C ~+85°C的工作温度，进一步拓宽了模组的应用场景。此外，所有模块都包括RFI电路，以延长热切换应用中的继电器触点寿命，并控制冷切换时由高压瞬变引起的浪涌。当通过电缆组件连接到高压源时，器还可以确保安全运行，否则可能会产生瞬变或RFI问题。MLX90418是一款性的即插即用解决方案，可满足现代数据中心服务器冷却系统的技术要求，提供卓越的效率、性能和长期可靠性。DRV7308基于 GaN 技术，具有高功率密度；采用 12mm x 12mm 封装，使之成为面向 150W 至 250W 电机驱动器应用的业界超小型 IPM。在效率的加持下，DRV7308 无需外部散热器，与同类 IPM 解决方案相比，电机驱动逆变器印刷电路板 (PCB) 的尺寸可缩减55%。　　英飞凌科技航天与国防业务副总裁兼研究员Helmut Puchner表示：“随着越来越多的太空应用被设计成在系统端处理数据，而不是通过遥测技术将数据传输到地面进行处理，因此对高可靠性非易失性存储器的需求会不断增加，以配合太空级处理器与FPGA实现数据记录应用。英飞凌于2022年在该市场推出了首款SPI F-RAM存储器。此次推出并行接口存储器体现了我们致力于为新一代太空需求提供一流的、高度可靠且灵活的解决方案。”RT16刀型触头熔断器　　近年来在跟踪器市场上，物联网设备被用来监控家畜和人员活动。但是在户外使用时，由于Wi-Fi及Bluetooth 等的近距离无线通信技术的通信距离短，因此在追踪器市场上，可进行更广域的长距离通信方式的LoRa备受期待。OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合即将推出的 48 V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制（例如电动助力转向系统（EPS））、48 V电池开关以及电动两轮车和三轮车等。GenAI将从三个方面推动转型：功能上的重新构想、开创新的工作方式和智能自动化。利用GenAI推动业务转型是我们战略的核心。随着人工智能的可靠性和信任度不断提高，我们预计将有更多人工智能驱动的自主业务流程得到协调。Nisource.AI将简化间接采购流程，带来可预测性，并释放大量用于人工活动的时间，从而使采购职能部门能够更加专注于战略举措　　当企业面临数据中心资源紧张、工作负载过大等挑战时，IBM FlashSystem 5300可为其提供具有超高性能和可扩展性的全闪存主存储平台，能够帮助各种规模的客户为其对延迟非常敏感的工作负载和高度波动的数据集灵活地选择合适的性能和容量特征。现在，客户还可以通过全新的 IBM Storage Assurance 许可模式，充分利用IBM FlashSystem 5300的优势打造面向未来的存储架构，发挥数据中心投资的价值。MLX90418是一款性的即插即用解决方案，可满足现代数据中心服务器冷却系统的技术要求，提供卓越的效率、性能和长期可靠性。”　　Vishay丰富的MOSFET技术支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600 V E系列器件的发布，Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求—包括功率因数校正（PFC）和后面的DC/DC转换器砖式电源。　　此次发布的三星Galaxy Watch Ultra为追求卓越运动表现而生，采用无表耳系统与缓冲设计的钛金属机身，并支持10ATM防水等级，可通过超高耐用性助力用户超越极限。　　这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备；发电、配电和储电系统；焊接设备；电机驱动器和机器人。为降低TIG焊机输出级导通损耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，额定电流下，集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V，达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用，开关损耗极低，+125 °C，额定电流下，Eoff仅为1.0 mJ。8h工作制是接触器的基本工作制，约定发热电流参数就是按8h工作制确定的；不间断工作制较8h工作制严酷得多，接触器的触头容易出现氧化而线圈容易出现过热。在不间断工作制下，接触器需要降容使用；断续周期工作制的负载率则分别为标准值的15%、25%、40%和60%；短时工作制下触头的通电时间标准值分别为10min、30min、60min和90min等四种。使用类别接触器有四种标准使用类别，分别是AC-AC-AC-3和AC-4。其双面 DHDFN-9-1（双散热器 DFN）封装的双极引脚设计有助于优化 PCB 布局和简单并联以实现可扩展性，使客户能够轻松处理高达多kW的应用。经过设计新型封装不仅提高了产量，其侧边可湿焊盘技术，更便于光学检查。RT16刀型触头熔断器生成用于颜料混合配方的UDT后，可以用它来生成用于不同颜色配方的数据组合。用户定义数据类型有基本数据类型和复杂数据类型组成。定义好以后可以在符号表中为它一个符号名，使用UDT可以节约录入数据的时间。举例说明：数组的生成和使用生成数组可以在数据块中定义数组，也可以在逻辑块的变量声明表中定义它。下面介绍在数据块中定义的方法，在SIMATIC管理器中用菜单命令：插入-S7块-数据块生成数据块DB3，双击打开DB3，默认显示方式为声明视图方式如下图所示：声明视图用于定义、删除和修改共享数据块中的变量，它们的名称、数据类型和初始值。　　相较于分立式设计，IHB架构可减少50%的元件数量和30%的PCB空间。新IC还能使逆变器进入睡眠模式，将驱动器功耗降至10mW以下。这意味着在规定的待机功耗限值下，可以为实现网络接入和监控等功能的电路负载提供更多宝贵的功率。一个OB的执行被另一个OB中断时，操作系统对现场进行保护，被中断的OB的局部数据L堆栈（局部数据堆栈），被中断的断点处的现场信息保存在I堆栈（中断堆栈）和B堆栈（块堆栈）中。中断程序不是由逻辑块调用，而是在中断事件发生时由操作系统调用，因为不能预知系统何时调用中断程序，中断程序不能改写其他程序中可能正在使用的存储器，中断程序应尽可能的使用局部变量。编写中断程序应越短越好，减少中断程序的执行时间，减少对其他事件处理的延迟，否则可能引起主程序控制的设备操作异常。RT16刀型触头熔断器　　保护模块包含了所有的保护组件。在基本模块保持运行的情况下，无需工具即可更换。设备前端面板上有一个状态指示灯。拔出保护模块时，相关信号电路仍通过DIN安装导轨上的基础模块相互连接。断开过程不会导致任何信号中断，这意味着可以在不影响设备运行的情况下更换保护模块。此外，器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5 ?A，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。