与市场上的替代iToF传感器相比，意法半导体采用背面照明的堆叠晶圆制造工艺可实现无与伦比的分辨率、更小的芯片尺寸和更低的功耗。
renesas代理商高度稳健的CoolSiC?技术与.XT互连技术相结合，使这些半导体器件能够应对AI处理器功率要求突变所造成的功率峰值和瞬态，并且凭借连接技术和低正 RDS(on) 温度系数，即便在结温较高的工作条件下也能发挥出色的性能。
　　Marktech MTMD142345PDT38 多 LED 光电二极管组合MTMD142345PDT38 具有五个尺寸为 1.04、1.2、1.3、1.46 和 1.55μm 的 LED，以及一个在 600 – 1,750nm 范围内敏感的 InGaAs 光电二极管，所有这些均可单独寻址并密封在 TO-5 金属罐中。

　　英飞凌科技股份公司推出了一系列适用于工业和消费电机控制以及电源转换系统应用的新型微控制器 (MCU)。基于 Arm Cortex -M33 内核的PSOC控制 MCU提供板载功能，旨在提高下一代电机控制和电源转换系统的性能和效率。这些应用包括家用电器、电动工具、可再生能源产品、工业驱动器以及照明和计算/电信电源。
　　实时计算密集型应用（如智能嵌入式视觉和机器学习）正在推动嵌入式处理需求的发展，要求在边缘实现更高的能效、硬件级安全性和高可靠性。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日发布PIC64系列产品，进一步扩大计算范围，满足当今嵌入式设计日益增长的需求。
renesas代理商　　CoolSiC MOSFET 2000 V产品系列适用于1500 VDC 的高直流母线系统。与 1700 V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5 V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT 连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。
　　TDK株式会社（TSE：6762）利用适用于汽车和工业应用场景的新型双芯片传感器 HAR 3920-2100*，进一步扩充了 Micronas 3D HAL 位置传感器系列。其设计旨在满足在存在干扰杂散场的情况下，对线性位置和角度位置进行高精度测量的需求。
这系列单片机具备丰富的周边资源，包括CAN、EBI、DIV、SPI、UART、USART、I?C、MCTM、GPTM、PWM、BFTM、RTC、CRC、CMP、内建具自动扫描功能的LED Controller、12-bit SAR ADC转换速度提升至2Msps并带有可配置电压VREF可作为内部参考电压源。封装提供32/46 QFN及48/64 LQFP，GPIO脚位达54。

　　Vishay Semiconductors TFBS4xxx和TFDU4xxx系列器件在单体封装中包括PIN光电二极管、红外发射器（IRED）和低功率控制IC。升级版红外收发器采用Vishay内部开发的新型IC和表面发射器芯片技术，旨在确保IRDC产品向客户长期供货。
renesas代理商　　此外，该系列全系产品均支持MLO多链路操作功能，使路由器能够同时利用多个无线频段和信道连接到Wi-Fi 7客户端，为用户实现更快的数据速率、更低的延迟和更高的网络可靠性。
　　对于 Mac，可提供高达 85W 的直通充电，可为 MacBook Air 或 MacBook Pro 供电。Satechi 提供的新型多端口适配器有深空灰色、银色和午夜色，与 Apple 的颜色选项相匹配，并且由铝制成。
　　三星Galaxy Ring作为今年全新推出且备受瞩目的健康向穿戴设备，采用了环形曲线设计的钛金属边框，具备超轻量化机身、10ATM防水等级以及可达7天的持久续航能力。基于三星多年来在智能穿戴领域的积极探索，三星Galaxy Ring能以超乎想象的小巧形态，为用户带来从心率警示、睡眠追踪到日常活动在内的全天候多元健康体验。

作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。
renesas瑞萨　　基于M091系列的NuMaker-M091YD开发板和Nu-Link除错器为产品评估与开发的利器。同时支持第三方提供的IDE，如 Keil MDK、IAR EWARM和新唐科技自主研发NuEclipse IDE，为开发人员提供更多选择和便利性。
新型 MXO 5C 系列基于R&S开发的新一代 MXO-EP 处理 ASIC 技术。它具有目前业界快的采集捕获率，每秒采集高达 450 万次。这使它成为业界首款紧凑型示波器，允许工程师捕获高达 99% 的实时信号活动，使他们能够比任何其他示波器更好地看到更多的信号细节和不常见的事件。

　　纳微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功将高功率能力和行业的低导通电阻（20至55mΩ）相结合，并针对如AI数据中心电源、电动汽车充电和储能以及太阳能解决方案等应用所需的快开关速度、效率和更高功率密度特性进行了专项优化。
Supermicro在其产品设计与提供各种应用优化解决方案方面处于行业领先地位，而我们的全新X14系统采用即将推出的Intel Xeon 6处理器，将进一步扩展我们现有的广泛产品组合。通过我们每月5,000台机架的全球制造产能，其中包括1,350台100kW的液冷机架，交付周期短至 2 周，Supermicro在设计、构建、验证和为客户提供完全定制化、工作负载优化的机架级解决方案，包括目前先进的人工智能硬件的能力上，都达到了优异的程度。
renesas瑞萨ESP32-H2-MINI-1x模组是功能强大的通用低功耗蓝牙和IEEE 802.15.4组合模组，经优化兼容Matter。Matter是一种基于IP的行业统一连接协议，可简化IoT应用的开发，还能无缝集成到智能家居、工业自动化、消费电子、智慧农业、医疗保健等各种生态系统中。
　　TX3系列器件采用B（EIA 3528-21）和C（EIA 6032-28）封装，容值范围10 F至100 F，额定电压16 V至25 V，容差低至± 10 %。器件+25 °C下ESR为0.700 W至2.3 W，纹波电流为0.438 A，工作温度高达+125 °C。TX3系列器件采用无铅（Pb）端子，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。
　　Wi-Fi 7的推出也带来了相应的技术挑战，尤其是对射频IP厂商。这包括处理更高数据速率的复杂RF设计、在高频操作下实现Wi-Fi 7与5G等技术的高效共存，以及设计能在不同技术间无缝切换或同时运行的系统。此外，新特性如多链接操作（MLO）增加了设计复杂性，需在拥挤环境中保持稳定连接和高吞吐量。同时，需要考虑不同地区对Wi-Fi频谱可访问性和功率水平的规定，并趋向于更集成的系统级设计，整合不同RF组件以满足无线和蜂窝连接需求等。

CoolSiC混合分立器件采用 TRENCHSTOP 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。
renesas瑞萨　　具体来说，在数据准备阶段，通过多协议融合互通技术，面对多份、多种协议的数据，存储底层仅保留一份数据，实现数据共享免搬迁；在模型训练阶段，通过大小IO智能识别和缓存预读技术快速保存和恢复checkpoint（检查点）文件，实现TB级训练数据Checkpoint读取耗时从10分钟缩短至10秒内，大幅提升训练过程中数据加载速度；RDMA/RoCE网络连接技术和数控分离架构的设计，实现东西向数据免转发，极限发挥大模型训练中硬件网络带宽性能。
　　为音响发烧友量身打造的 Nothing Ear 推出了 Nothing 迄今为止的驱动系统，搭载了精心挑选的优质材料打造的 11 mm 的定制化动圈式耳机驱动器，旨在提供保真和清晰的声音。其中选用的陶瓷振膜丰富了整体音质，也使高音更加清晰。Nothing 改进了 Ear (2) 的双腔体设计，增加了两个通风口，以改善空气流动，提供更清晰的声音。
　　现有2款采用新型 P2 产品演示板可供展示：一款是 CGD 与法国公共研发机构 IFP Energies nouvelles 合作开发的单相变三相汽车逆变器演示板；另一款是3kW图腾柱功率因数校正演示板。

　　SMART RDIMM 内存模块采用Conformal Coating表面涂层技术，为浸没式液冷伺服器的内存模块提供强化保护，大幅提升数据中心应用的可靠性并降低成本。
renesas是什么品牌　　此模块产品的芯片完全国产化，产品功率密度高、性能稳定、损耗更低，可根据不同应用场景进行相应配置。此产品被誉为“龙行1200-100-3”，共SA1001K2ES3AN和SA1001K2ES3AH两个型号，主要应用于高频切换、DC/DC变流器、太阳能等领域。
　　新的VELVET SOUND技术提高了产品电气性能和稳定性，相比上一代AK4490和AK4493，以更低的功耗实现了丰富的“信息量”和“跃动感”。

　　太空应用是英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的一个重要领域。英飞凌的产品被用于卫星、火星探测器仪器、太空望远镜等，即便在极端恶劣的条件下，这些应用也必须具备出色的可靠性。
此外，两者都是采用三星晶圆代工厂 5nm FinFET 工艺技术制造，使其能够在宽温范围（ -40℃~105℃，环境温度）内工作，这点对汽车应用至关重要；与上一代产品相比，这两款芯片功耗更低，性能更强。
renesas是什么品牌　　此次发布的SC535IoT采用2592Hx1944V分辨率设计，以4:3画幅规格提供更大的垂直空间，并支持双目拼接，更好地赋能球形全景相机与鱼眼摄像头等物联网新机型，为家用IoT摄像头以及其他物联网场景的高效运作提供关键的支持。
　　DGH 类型的工作电压高达 8.1V（-40 至 +65°C），330mF 版本的尺寸为 25 x 8.5 x 16mm 高，5F 版本的尺寸为 39 x 13 x 33mm。如果电压降低至 6.9V，它们的工作温度也将高达 85°C。在额定温度和电压下，预计使用寿命为 1,500 小时。
　　随着电子货币支付的普及，支付终端和物流移动标签打印机的需求不断增长。在移动标签打印机和支付终端领域，2芯锂离子电池驱动的热敏打印机因出色的打印速度和质量成为主流。然而，为追求更小巧、轻便和节能的设备，单节锂离子电池驱动器的使用逐渐成为趋势，但其存在的打印速度慢和电池寿命短的问题限制了其广泛应用。

　　模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996，可直接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路的要求。
renesas是什么品牌　　CEC1736 TrustFLEX支持SPI总线监控、安全启动、组件和生命周期管理等现代固件安全功能，可确保预启动和实时（检查时间和使用时间）环境免受现场和远程威胁。
　　NVIDIA 存储技术副总裁 Rob Davis 表示：“提升数据中心在 AI 工作负载下的效率和性能，对于降低成本并确保全球企业的运营可靠性至关重要。通过集成 NVIDIA 技术，美光 9550 SSD 能够为 AI 提供强大的存储支持。”
　　STCC4是目前市面上用于直接测量二氧化碳浓度的史上传感器之一，旨在可以无缝集成到紧凑型电子设备中，为当前被尺寸和成

　　为了助力OSM更好的应用，研华提供从产品的设计到批量生产以及产品全生命周期管理全方位支持。我们提供全面的设计参考，硬件文档和制造指南，如模板设计建议和IR回流图，以及实用技巧和信息分享，以确保项目成功并缩短上市时间。
renesas芯片　　分析机构Techno Systems Research Co., Ltd 预测，到2029年，LTE Cat 1bis在所有非手持蜂窝通信设备中将占据43.6%的比例，预计在未来四到五年间这款产品将成为物联网 (IoT) 领域的蜂窝通信技术产品。新模块加强了u-blox的LTE Cat 1bis产品组合，满足了物联网和用户从传统2G/3G蜂窝通信网络进行迁移的需要。
　　除机器视觉外，VD55H1还非常适用于3D网络摄像头、PC机和VR头戴眼镜3D重建，以及智能家居和建筑中的人员计数和活动检测。这款传感器在一个微型芯片上集成了672 x 804个感知像素，可以通过测量传感器到50多万个点的距离来准确地绘制三维表面。

　　此外，新产品还提高了体二极管反向恢复性能，所采用新的优化工艺提高了 MOSFET 的整体鲁棒性。体二极管的低反向恢复电荷 (Qrr) 和快速恢复时间 (trr) 使MDmesh DM9 AG系列非常适对能效要求很高的相移零压开关拓扑。
OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合即将推出的 48 V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制（例如电动助力转向系统（EPS））、48 V电池开关以及电动两轮车和三轮车等。
renesas芯片符合 GB/T 18487-2023标准，集成了B/EV型剩余电流保护功能 & MCU功能，基于Cortex-M0内核，具有的低功耗特性、丰富的模拟和数字外设，适用于各种应用场景。可节省PCB面积，优化产品结构，实现降本增效，提升市场竞争力。
　　作为率先在业界提出分布式融合存储的厂商，浪潮信息聚焦行业客户的大模型落地需求与核心痛点，基于NVMe SSD研发出高效适配和优化的分布式全闪存储AS13000G7-N系列。硬件方面，AS13000G7-N是一款2U24盘位的全闪存储机型，搭载英特尔至强第四、第五代可扩展处理器，支持400 Gb 网卡，同时每盘位可配置15.36TB 大容量NVMe SSD。
MAX32690是一款先进的片上系统 (SoC)，将所有必要的处理能力与各种消费类和工业物联网 (IoT) 应用所需的易连接性和蓝牙功能结合在一起，是适用于电池供电应用的理想型超高效MCU。

　　TSB952 采用 3mm x 3mm DFN8可润湿侧面封装，既能节省空间，又能实现经济的 PCB 设计。新产品还提供标准引脚布局的SO8 封装，方便客户升级现有设计，以提高性能和能效。
renesas芯片Melexis推出汽车照明应用开发套件ADK81116。该套件专为简化汽车动态RGB-LED应用的开发流程而设计。这款全面而高效的解决方案配备了预加载的可配置固件，从而无需为此专门开发固件。用户只需通过用户友好的图形用户界面（GUI），就能实现便捷的校准和配置。
这些器件的一个关键功能是通过限制浪涌电流来保护PoE端口，同时安全地管理故障情况。为了应对这种情况，Nexperia将这些器件的安全工作区(SOA)增强了3倍，而RDS(on)只有非常微小的增幅。 这些ASFET还适用于电池管理、Wi-Fi热点、5G微微蜂窝和闭路电视应用，并且可以替代智能恒温器中的机械式继电器等。
正式推出支持高边/低边的零温漂电流检测放大器CSA52x系列。这款芯片以其卓越的性能和广泛的应用场景，标志着类比半导体在电流检测技术领域的重大突破，为优化系统精密电流测量和电流环路控制电路提供了高效、可靠的解决方案。

与现有Pickering产品或其他品牌同类型PXI/PXIe产品相比，我们的新型4x-321高压多路复用器系列提供了两倍的开关有效载荷，可提供单刀或双刀形式和多达48通道的一系列产品。得益于使用Pickering公司生产的高质量舌簧继电器，新产品适用于10W下高达1KV的冷热切换，载流为1.25A。安全也通过硬件互锁得到保证。
renesas代理全新 Supermicro X14 服务器基于数代成熟产品的平台，支持的 Intel Xeon 6 处理器，首批产品包括一系列支持企业、云服务提供商、中端和入门级型号的机架式服务器，其中包括 Hyper、CloudDC 和 WIO 平台。此外，作为经过密度和效率优化的多节点服务器，每机架多达 34560 个核心的 SuperBlade，BigTwin和 GrandTwin 也将采用这一全新处理器。
　　新系列产品包括1.0mm固定射频衰减器，衰减水平为3dB、6dB和10dB，带有1.0mm公头或母头输入连接器射频功率分配器，额定功率为1W的1.0mm定向射频耦合器，以及带有1.0mm连接器的直流阻断器。

　　运动控制和节能系统传感技术和功率半导体解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems（以下简称Allegro）宣布推出新型高带宽电流传感器 ACS37030和ACS37032，能够帮助采用GaN和SiC技术在电动汽车、清洁能源解决方案和数据中心应用中实现更高性能电源转换。
。在台积电2024北美技术研讨会上，M31展示了两大产品线，包括标准单元、内存编译器、GPIO、专用I/O等基础IP，以及当前应用市场的高速接口IP ，例如 PCIe 5.0 PHY、ONFi 5.1 I/O、LPDDR4/4X PHY 和 LPDDR5/5X PHY。M31还推出了5nm MIPI C/D PHY Combo IP，符合的D-PHY v2.5和C-PHY v2.0规范。该 IP 提供高性能、低功耗解决方案，每通道速度高达 6.5Gb/s，每三重组速度高达 6.5Gs/s，总速度高达 44.5Gb/s，满足当前对高性能的需求。速度数据传输，特别适用于移动通信、汽车、人工智能（AI）和物联网（IoT）。
renesas代理　　1. 游戏数量基于平均每个游戏36GB计算。实际游戏数量根据文件大小、格式、其他程序等因素变化。
　　2．基于内部测试。在铺有地毯的混凝土地面上，1TB和2TB容量规格抗跌落保护可达1.2米；4TB、5TB和6TB容量规格抗跌落保护可达1米。抗冲击强度可达453公斤。IEC 60529 IP54：经测试可承受飞溅的水侵入外壳；有限的灰尘接触不会干扰操作。使用前必须保持产品清洁和干燥。
　　HL8518 是一款 80mΩ Rds(on)高边开关产品，具有完备的诊断和保护功能。该产品有两个版本，版本A可以通过使用FLTn引脚、漏极开路结构报告故障情况；版本B的ISNS引脚输出的小电流与流经内部功率管的电流成比例。通过将电阻器从ISNS引脚连接到GND，用户可以监控负载电路的电压，以便检测各种负载情况，包括正常运行、短路接地、负载开路等。
STEVAL-WBC2TX50电能发射板采用意法半导体超级充电(STSC)协议，输出功率高达50W。STSC是意法半导体独有的无线充电协议，充电速度高于智能手机和类似设备所用的标准无线充电协议，可以给更大的电池充电，而且充电速度更快。该板还支持Qi 1.3 5W Baseline Power Profile (BPP)和15W Extended Power Profile (EPP)两种充电模式。意法半导体的STWBC2-HP电能发射系统封装是板载主要芯片，整合了STM32G071 Arm?Cortex?-M0微控制器和射频专用前端。

Supermicro 的超大规模存储系统以及针对边缘和电信功能优化的服务器，（例如 Hyper-E 和短深度紧凑型系统）也将上市。在不久的未来将推出搭载 Intel Xeon 6900 系列处理器（配备 P-cores）的高性能系统。
renesas代理　　此驱动器的另一个优点是每个通道可多提供高达 66% 的电流 (与标准 150mA 相比可达到250mA)，从而具有更大的灵活性，可在更广泛的照明应用中支持更大的 LED 电流范围。为达到更高的灵活性，三个通道中每个通道的电流都可以使用单独的电阻进行设定。
　　HAL/HAR 3936 符合 ISO 26262:2018 标准的 SEooC（独立安全单元）ASIL C 级，确保与 ASIL D 级的汽车安全要求兼容。该传感器专为在恶劣环境中运行而设计，在 -40℃ 至 +150℃ 的环境温度范围内完美运行，适合汽车和工业应用场景。
　　对此，通过利用基于村田特有的陶瓷及电极材料微粒化和均匀化的薄层成型技术以及高精度叠层技术，村田开发出尺寸为0.4mm×0.2mm的超小型低损耗片状多层陶瓷电容器，能保证在150℃的温度下工作、额定电压为100V。与村田之前的产品（0603M尺寸）相比，成功地实现了小型化，将贴装面积缩减了约35%，体积缩小了约55%。由此为无线通信模块的小型化做出了贡献。此外，产品小型化还有助于减少材料和生产过程中的能源消耗。

先临三维的Einstar普及化手持3D扫描仪采用艾迈斯欧司朗OSLON Black系列的小型高功率红外LED，为手持扫描仪提供高效率、低能耗、高可靠的辅助照明。SFH 4726AS红外LED尺寸小巧，单颗更容易集成，进一步满足空间受限的应用需求。
renesas　　HL8545/8545G 是一款多功能四通道高边电源开关，集成功率 NMOSFET 和电荷泵。两个版本都配备了先进的保护功能，包括负载电流限制、负载短路或开路，过载时的功率限制以及可配置的锁断或者自动重启模式。这些高精度电流检测和全面的诊断功能可以帮助系统实现智能负载控制。
为此，村田开发了“Type 2GT”模块，这是村田首款同时支持LoRaWAN和卫星通信的产品。本产品配备了率先支持LoRaWAN和卫星通信的Semtech公司芯片组“LoRa Connect LR1121”，可进行860MHz至930MHz及2.4GHz（ISM Band）且发射功率达到22dBm的远距离通信和卫星通信。 通过村田特有的无线设计技术、节省空间的安装技术和产品加工技术，实现了小型化和高性能化。此外，它还获得了欧洲、美国、加拿大和日本的标准，有助于实现IoT设备设计流程合理化并缩短终产品上市所需的时间。

　　T2000时序控制器是彩色电子显示器的关键核心组件，负责产生和管理驱动屏幕的时序信号，并控制驱动电压的开关时间和持续时间波型，以达到效能。T2000专为电子纸设计，具有温度补偿功能，确保屏幕不受环境影响，准确显示精密调整的颜色和图像。
凭借CYW20829产品系列的高集成度，设计人员能够减少多种应用的材料清单（BOM）成本和器件占板面积，包括个人电脑（PC）配件、低功耗音频、可穿戴设备、太阳能微型逆变器、资产追踪器、健康和生活方式、家庭自动化等。
FCS950R等多款Wi-Fi与蓝牙模组，适用于工业物联网与智能家居等行业应用。加上此番推出的几款新产品，移远通信在短距离领域的产品与技术布局呈现“全面领先行业”的新局面，将为更多行业与客户带来丰富选择。
　　该产品系列包括三个系列，提供各种开关拓扑结构。PXI模块40-121系列提供两种SPST通用开关配置(13或26个)或2:1(8或16组)多路复用开关。PXI模块40-590系列和PXIe模块42-590系列，提供两款矩阵开关(8×4或16×4)。LXI模块65-290系列，基于Pickering公司的2U LXI模块化机箱(型号65-200)设计，多可容纳6个8×16或16×16矩阵开关模块。模块从机箱的前部推入，便于后期扩展和维护。
“美光 9550 SSD 标志着数据中心存储的重要飞跃，它提供了惊人的 330 万 IOPS，同时在 GNN 和 LLM 训练等 AI 工作负载中，比同类 SSD 功耗降低了高达 43%。这款产品将更高的性能与出色的能效相结合，为 AI 存储解决方案树立了新标杆，彰显了美光在引领 AI 革命方面的坚定承诺。”

此外，模块的消光比、TDECQ、灵敏度、BER等关键技术指标，可完全满足SR4标准。经实测，OM4光纤传输距离超过150m(标准100m)，性能追平头部光模块企业同类产品。
renesas在基于Galaxy AI的能量得分与健康小贴士功能帮助下，用户可以更加具体地了解身体信息，并通过个性化健康建议以及自动检测健身、久坐提醒等功能提升健康水平。戒指充电盒拥有如水晶般清澈的外观，并支持无线充电，用户可以通过多功能按钮周围的灯光轻松了解当前的充电电量。
　　三星计划通过向移动处理器生产商，和移动设备制造商供应0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，继续扩大低功耗DRAM的市场。随着市场对高性能、高密度且封装尺寸更小的移动存储解决方案的需求持续增长，三星计划开发6层24GB和8层32GB的模组，为未来设备打造超薄的LPDDR DRAM封装。
DRV7308基于 GaN 技术，具有高功率密度；采用 12mm x 12mm 封装，使之成为面向 150W 至 250W 电机驱动器应用的业界超小型 IPM。在效率的加持下，DRV7308 无需外部散热器，与同类 IPM 解决方案相比，电机驱动逆变器印刷电路板 (PCB) 的尺寸可缩减55%。