太阳诱电株式会社开始了多层型金属功率电感器 MCOIL LSCN 系列“LSCND1006HKT2R2MF” (1.0×0.6×0.8mm,高度为值) 等 2 个尺寸 2 个产品的量产。 产品端子采用弹性触点设计,可有效减少连接器在振动环境及冷热冲击下,公母触点间的摩擦腐蚀,确保连接器电接触的持久可靠。 PA(聚酰胺/尼龙),半柔性,非常坚韧耐用,适用于轴承、结构部件和连接器。” AC7801x是杰发科技基于Arm Cortex-M0+内核推出的车规级MCU,出货量超三千万颗,通过ISO 26262 ASIL B产品。AC7801x拥有128KB Flash,20KB RAM,1路CAN-FD/ CAN,提供QFN32和LQFP48两种封装。 而三星Galaxy Z Flip6在灵动多变、便捷易用的体验上更进一步,助力用户尽情释放个性与创意表达。依托Galaxy AI与大视野智能外屏、立式自由拍摄系统等标志性体验的创新结合,三星Galaxy Z Flip6为用户在更多生活场景中带来更为新颖、有趣的AI功能与体验。 新一代模拟量端子模块包括 EL4374,它是倍福首款混合型模拟量输入/输出端子模块(10 V/20 mA 或 -20/0/+4 至 +20 mA),每通道转换速率为 2 ksps。2 个输入和输出可通过 TwinCAT(通过 CoE)对电流或电压模式单独进行参数设置。该端子模块支持 ±107 % 扩展量程 ,也支持在量程内根据 NAMUR NE43 标准处理传感器信号。输出可达标称量值的 107%,输出功率为 20 mA 时可允许 750 Ω 的负载。近期推出了用于科学和工业应用的pco.dimax3.6 ST流媒体高速相机。这款新相机采用实时图像流,能以360万像素的分辨率和2166帧/秒的记录速度捕捉清晰的图像,非常适用于高速分拣、分析和检测应用,包括生产控制与分析、质量保证、研究、工艺和材料开发、激光焊接、惰性气体焊接以及汽车安全气囊和部件测试。R34P 系列面板安装连接器可自行引导至正确的配接位置。盲配连接器专为电气插座凹进或隐藏的应用而设计 – 通常用于、工业机械和设备中的机架到面板连接。 采用全新 Intel Xeon 6 处理器的 Supermicro X14 系统具有 E-core 和 P-core 版本之间的引脚兼容性。当前和未来的 Supermicro 系统的特点是,每个节点多达 576 个核心、高达 8800 MT/s 的 DDR5-6400 和 MCR DIMM、CXL 2.0、更广泛的 E1.S 和 E3.S 支持以及高达 400G 的网络支持。TCS300水泵控制器 Microchip执行官兼总裁Ganesh Moorthy表示:“Microchip是8 位、16位和32位嵌入式解决方案的,随着市场发展,我们的产品线也必须随之发展。新增的64位MPU产品组合使我们能够提供低、中、高端计算处理解决方案。PIC64GX MPU 是多款64位 MPU中的首款产品,旨在支持智能边缘,满足所有细分市场的广泛性能需求。”
当企业面临数据中心资源紧张、工作负载过大等挑战时,IBM FlashSystem 5300可为其提供具有超高性能和可扩展性的全闪存主存储平台,能够帮助各种规模的客户为其对延迟非常敏感的工作负载和高度波动的数据集灵活地选择合适的性能和容量特征。现在,客户还可以通过全新的 IBM Storage Assurance 许可模式,充分利用IBM FlashSystem 5300的优势打造面向未来的存储架构,发挥数据中心投资的价值。 为顺应汽车EEA电子电气架构平台化演进趋势、以及满足汽车电子功能安全要求,极海推出符合AEC-Q100车规可靠性标准、ISO 26262 ASIL-B功能安全产品标准为目标的G32A系列全新一代汽车通用MCU平台,助力客户打造更、更智能、具有功能安全性及信息安全性的汽车电子产品,并提供量产级软硬件生态系统,支持客户应用项目快速开发。推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IG功率模块—VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IG技术制造,为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。于此同时,在1000V高压,125℃高温的测试条件下,NSI7258的漏电流可以控制在1μA以内,极大提高了BMS系统中电池包的绝缘阻抗和检测精度,有助于实现更安全的人机交互。 PI5USB212 产品兼容 USB 2.0、OTG 2.0 和电池充电 (BC) 1.2,并支持 USB 功能,包括设备连接与高速检测,且电压容差可达 5.5V。它能自动检测未连接 USB 状态,将供电电流降至 0.7mA (典型值),从而实现节能。供电电流也可以在 RSTN 停用管脚触发停用时,降至 13?A (典型值)。此外,M31支持MIPI显示屏和摄像头规范的关键特性,适用于ADAS和车载信息系统的应用,满足业界对高可靠性和功能安全的严格要求。M31提供丰富的MIPI相关IP组合,可以快速集成到SoC中,以满足广泛应用的设计要求。MIPI 技术还支持低功耗状态模式,在速度下功耗低于 1.1pJ/bit,并提供广泛的内置测试功能,包括模式生成器、逻辑分析仪和环回模式,方便开发人员进行测试和调试。” 该公司DLPC8445将控制器描述为“比上一代小90%”,并表示它可以用于生活方式和游戏投影仪,“实现亚毫秒级的显示延迟,匹配或超过世界上端的游戏显示器,并减少游戏玩家的延迟时间”。新产品除了采用和支持第 6 代玻璃基板的“MPAsp-E813H”一样的每块面板多点同时测量的对位方式(既保证了生产效率也实现了高精度曝光),还搭载了新开发的非线性补正 REI(Real-Time Equalizing distorted Image)模块,从而使其即使曝光幅度扩大也能实现 ±0.30μm 高套刻精度。
相步距角0.9°(定子主极数16)的步进电机转速约150rpm以上,其减少振动量的效果就不明显。如输入脉冲频率太快,对细分步进波形来说,由于不能得到希望的电流波形,会使电机跟踪精度变差。第细分步进的细分数与降低振动效果:理论上细分数越多,降低振动的效果越明显,但实际到8细分时效果变化并不大。8细分与16细分以上不会有效果的差别(即没有什么效果变化)。下图表示两相HB型16主极的0.9°步进电机细分数与速度波动的图像;下图表示改变细分数与转子速度变化情况,电机同样为两相HB型16主极的0.9°步进电机。 全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列在25°C时的RDS(on)为8至140 mΩ,可满足广泛的需求。其在设计上具有较低的传导和开关损耗,大幅提升了整体系统效率。创新的封装更大程度地减少了热阻、帮助改善散热并优化电路内功率环路电感,在实现高功率密度的同时降低了系统成本。值得一提的是,该产品系列采用了先进的QDPAK顶部冷却封装。六款新器件中有三款(TPSM82866A、TPSM82866C 和 TPSM82816)是超小型 6A 电源模块,可以提供每平方毫米 1A 的电流输出能力。美光 128GB DDR5 RDIMM 内存是首款基于 32Gb 单块 DRAM 芯片的大容量 DIMM 产品,已完成第四代和第五代英特尔? 至强? 处理器平台上的内存兼容性。该款基于 32Gb 单块 DRAM 芯片的 DDR5 内存模组可加速关键服务器和 AI 系统配置,为基于英特尔? 至强? 处理器的系统带来关键的性能、容量和至关重要的能效优势。我们很高兴继续与美光合作,推动创新产品在市场上的广泛应用,解决 AI 和服务器客户面临的内存容量和能耗瓶颈问题。TCS300水泵控制器【【段落】段落】从技术原理上分析,漏电保护器也存在可能产生拒动的技术误区。1,当中性线产生重复接地时,会使漏电保护器产生分流拒动,而中性线重复接地点是很难找到的。2,当电源缺相,所缺相又正好是漏电保护器的工作电源时,会产生拒动。最后还需特别指出两点:1.当发生单相触电事故时(这种事故在触电事故中几率),即在漏电保护器负载侧接触一根相线(火线)时它能起到很好的保护作用。如果对地绝缘,此时触及一根相线一根零线时,漏电保护器就不能起到保护作用。新型6.5W硅射频(RF)高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品,用于商用手持式双向无线电(对讲机)的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池,可实现业界先端的6.5W输出功率,有望扩大商用无线电设备的通信范围并降低功耗。 柔性印刷线路板(FPC)的尺寸限制为600mm×600mm。相比之下,柔性模切线路板(FDC)由于采用连续卷到卷生产工艺,因此没有长度限制。在某些设计条件下,柔性模切线路板(FDC)具有与柔性印刷线路板(FPC)相似的性能特点。这一点已通过严格的内部尺寸、热冲击测试、线路电阻测试、温升测试、绝缘电阻测试和高压测试得到证实。企业维修电工,因为必须要与动力电路接触,所以三角形电路,Y形电路为必知电路。首先,了解一下什么是三角形电路,以电动机电路为例,所谓的三角形电路,就是电动机内部引出的六个线端首位相连,组成的三个端点用来接三相电源的接线模式。注意,这里只有三相三线,没有中性线。再来说说Y形电路,它比三角形简单,它就是简单的把三个端点连接到一起,然后留下的另外三个端点用来接三相电源线的电路。他是有一根中性线,所以是三相四线。TCS300水泵控制器此外,TOLT 器件还与英飞凌采用Q-DPAK封装的 CoolSiC? 750 V这一顶部散热CoolSiC? 工业产品组合形成了互补。当器件所需的电源不需要Q-DPAK封装时,开发者可使用TOLT器件减少SiC MOSFET占用的 PCB 面积。额定电压为2.5Vdc、工作温度可达105°C、温度特性为X6S※2的“GRM188C80E107M”和工作温度可达85°C、温度特性为X5R※3的“GRM188R60E107M”已经开始量产。此外,额定电压为4Vdc、工作温度可达85°C的产品※4计划于2025年开始量产。 针对 AMD Ryzen Threadripper PRO 7000 系列: V-COLOR DDR5 OC R-DIMM 系列确保与 AMD Ryzen Threadripper PRO 7000 系列处理器精心设计,能提供卓越的兼容性和增强性能。 随着 PSoCTM 4 HVPA-144K 的推出,英飞凌为扩展其 PSoCTM微控制器产品组合,以便将电动汽车的锂离子电池管理系统纳入其中奠定了基础。该产品组合不久后将加入多款用于监控和管理高压(400 V及以上)与低压(12 V/48 V)电池的产品,从而进一步推动未来电动汽车的应用。
