先进的8英寸TMR工艺制程，在优化制造成本、提升芯片可靠性的同时，实现了紧凑的超薄型DFN4L(1.32 mm × 0.66 mm × 0.3 mm)封装，特别适用于以智能手机和平板电脑摄像头模组为代表的空间尺寸受限、同时需满足高精度要求的消费类应用场景。　　R&S推出新型 MXO 5C 示波器，具有四通道和八通道型号。新系列以新一代 MXO 5示波器为基础，专门针对用户经常面临的空间限制的机架安装和自动化测试系统。该仪器的垂直高度为2U（3.5 英寸或 8.9 厘米），工程师可将其部署在传统示波器无法被容纳的测试系统中。　　保护模块包含了所有的保护组件。在基本模块保持运行的情况下，无需工具即可更换。设备前端面板上有一个状态指示灯。拔出保护模块时，相关信号电路仍通过DIN安装导轨上的基础模块相互连接。断开过程不会导致任何信号中断，这意味着可以在不影响设备运行的情况下更换保护模块。”　　它实现了纹波电流（3.3~4.6 Arms）——据称比同类外壳尺寸高出约 50%。　　Coherent I-temp 100G ZR QSFP28-DCO 收发器专为在边缘和接入网络中的户外街边机柜和抱杆安装部署场景而设计，非常适合需要支持更广泛运行温度范围的客户。这些收发器可以直接安装在已部署的具有 QSFP28 端口的接入网络设备上。例如，光线路终端（OLT）和中传及回传应用的汇聚交换机和路由器。　　VOIH72A 开关速度快，脉宽失真低，适用于数据通信、脉宽调制以及自动化设备、电机驱动器和电动工具高压防护。器件瞬态共模噪声（ CMTI ）达 20 kV/μs。光耦供电电流低，是电流噪声隔离和断开接地环路，降低功耗的理想解决方案。AMD推出成本优化型 FPGA产品Spartan UltraScale+系列。该系列基于16nm FinFET工艺，主打更高的I/O数量、更低的功耗和强化的安全功能，并配套了从仿真到验证环节的设计工具，以满足下一代边缘端 I/O 密集型产品的应用需求。　　HAL/HAR 3936 提供双芯片型号 HAR 3936-4100，旨在提供经强化的冗余性和可靠性。利用堆叠式芯片架构，该型号通过占据相同的磁位来确保磁信号的同步测量。因此，它可以提供高分辨率的位置测量，并满足现代应用场景的严格精度要求。　　该团队正在研究“频率范围 3”——FR3，7 至 24GHz 的 6G 通信滤波器。“在这些较高的频率下，你可能并不总是有专门用于商业用途的频谱块，”奥尔森说，他建议使用可调滤波器作为在一组固定滤波器之间切换的替代方案。TENGEN浪涌保护器这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和业界的RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS? 6 200 V产品系列为客户提供更高的功率密度、效率和系统可靠性，树立了新的行业标准。“　　MPPS电源非常符合标准，包括 MIL-STD-1399-300B、461F和810G。这种先进的设备为海军舰艇上常见的不平衡三相负载挑战提供了解决方案。MPPS符合MIL-STD-1399-300B标准，将船舶的相电流平衡保持在±5%以内，潜艇的相电流平衡保持在±3%以内，同时提供严格调节的直流电源。　　随着电子货币支付的普及，支付终端和物流移动标签打印机的需求不断增长。在移动标签打印机和支付终端领域，2芯锂离子电池驱动的热敏打印机因出色的打印速度和质量成为主流。然而，为追求更小巧、轻便和节能的设备，单节锂离子电池驱动器的使用逐渐成为趋势，但其存在的打印速度慢和电池寿命短的问题限制了其广泛应用。“美光 9550 SSD 标志着数据中心存储的重要飞跃，它提供了惊人的 330 万 IOPS，同时在 GNN 和 LLM 训练等 AI 工作负载中，比同类 SSD 功耗降低了高达 43%。这款产品将更高的性能与出色的能效相结合，为 AI 存储解决方案树立了新标杆，彰显了美光在 AI 方面的坚定承诺。”　　1280 系列也是一样，但增加了一个热断路器，“从而无需上游过流保护”，Bourns 说道。　　这款混合分立器件采用快速硬开关TRENCHSTOP 5 650 V IG与零反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使得该器件成为大功率电动汽车充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流能力，地提高了可靠性。　　器件采用倒装芯片技术增强散热能力，热阻比竞品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT导通电阻和热阻低，连续漏电流达36 A，比接近的竞品器件高38 %。 MOSFET独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过 Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封装，体积缩小60%，以及改进了电磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFET三相电的电压是380V，适用于功率比较大工业用电。而用户用电，取其中一根火线和共用零线，构成单相线，电压就是我们平时说的220V。针对于一些功率比较大的用电器时，正常的家用电压带不起来，因此就会有三相电一说了。三相电怎么接线？三相电的接法，四根线分别为，红、红、红、蓝，三根红线即是火线，电压为380v，任意一根红色线（即是火线）和一个根蓝色线（即是零线），电压为220v。一般有三根同色就是380v。这是一款功能强大的网络工具，旨在帮助电池管理工程师限度地延长其应用的电池寿命或实现无电池应用。该计算器为工程师提供的数据，帮助他们做出明智的决策，以便将 Nexperia 的能量采集 PMIC 集成到其系统中。TENGEN浪涌保护器【【段落】段落】plc作为工业控制现场主要器件，其上位机可以是PL工业电脑或电脑等，他们之间的“工作”就是传输数据、传递控制信号，是通过通讯方式实现数据传输、传递控制信号。首先看看机器有没有运行的反馈信号。如果没有，那么按照你的判断方式也可以做到，但要在PLC中设定一个运行信号，让它等于你的各种开关的综合判断结果。这样再让上位机采集就可以了。PLC是高速采集设备，上位机软件只是个监控画面+数据库，最多加个以太网。　　碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中，器件工作温度可达+175°C，正向额定浪涌电流保护能力高达260 A。此外，D2PAK 2L封装二极管采用高CTI ? 600的塑封料，确保电压升高时优异的绝缘性能。任何电磁干扰的发生都必然存在干扰能量的传输和传输途径。通常认为电磁干扰传输有两种方式：一种是传导传输方式；另一种是辐射传输方式，电子设备工作频率越来越高，不加时，可能会通过上述路径干扰到其它电子设备的正常运行，这是我不希望的。在电路设计时都会加入EMI的元件来开对外和外面对自身设备的干扰，我们以下面这个电路为例图中L2为共模电感，共模电感的作用可根据右手定则来权释。当开关电源的频率为100K时，假设它们在50~150K时有较高的EMI发射值（这个是需要设备实际来调整的），假设的他的截止频率fo为150KHz，配套的电容CY=CY3=CY4=222PF，共模电感值根据公式可以得出：共模电感与电容构成的EMI电路，在开关电源中都基本上大同小异，根据实际的开关频率与EMI效果作适当的调整。TENGEN浪涌保护器　　此外，所有的GeneSiC MOSFETs在已公布的耐雪崩测试中其耐受能力，且短路耐受时间延长30%，以及拥有稳定的门极阈值电压便于并联控制，因此非常适合高功率并需要快速上市的应用场景。　　此传感器专为汽车和工业应用场景而设计，可在 -40℃ 至 160℃ 的环境温度范围内工作，具体取决于电源电压范围。此传感器十分紧凑且用途广泛，并提供十六针 SSOP16 SMD 包装。