在安全和法规层面上，TE的HDC浮动式充电连接器提供了手指触摸保护功能，有助于提升现场操作的安全性，而且其中的每款连接器都通过了UL 1977、TV和CE。此外，这些器件还符合EN 61984、IEC 60068、IEC 60512、IEC 60529、IEC 60664-1、EN 61373和ISO 6988标准。
xilinx 中国MS27200A是一个独立的单元，旨在成为更大系统的一部分。该模块可以执行矢量信号分析的测量，如5G和LTE测量。它是将频谱感知添加到任何寻找干扰或覆盖映射的平台中的完美工具。借助实时频谱分析功能，用户可以监控射频环境，而不会错过任何间歇信号。
打造专用测试芯片是Dolphin Design确立电源管理和音频IP领域领先地位的关键一步，有助于不断提高其产品性能与质量。Dolphin Design不断提升客户使用的先进制程方面的水平，因为此前在22纳米节点技术上完成的。在设计新IP或进行迁移时，描述和掌握制程，可以确保芯片的性能。
为携手产业链打造领先的数据中心液冷生态系统，加速其迈向可持续、低碳环保的未来，英特尔中国数据中心液冷创新加速计划应运而生。其中，英特尔联合浸没式液冷解决方案制造商绿色云图、立讯技术，服务器OEM、ODM以及合成油冷却液供应商等广泛生态伙伴，合作研发了基于G-Flow浸没式液冷解决方案的样机，并经过严苛测试，展现出高性能处理器所需的卓越散热性能。
特尔公司正式推出首款英特尔锐炫车载独立显卡（dGPU），以重塑汽车行业格局。这一全新产品将赋能汽车厂商打造下一代车载体验，以满足并超越当前消费者对汽车内部配备更多屏幕、获得更高清晰度，并拥有更加独具匠心的AI座舱体验不断增长的期望。
xilinx 中国 模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996，可直接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路的要求。
英飞凌CoolSiC G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中树立高质量标杆，并进一步利用英飞凌独特的XT互联技术来提高半导体芯片的性能和散热能力（例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封装的型号）。
这些SiC二极管在高频下的性能尤为出色，低损耗和低电磁干扰(EMI)的操作特性使它们成为提高能源效率和可靠性的理想选择。其内部隔离封装(AIN)提供了出色的绝缘和导热性，结和外壳之间的低热阻确保了即使在高功率水平下也能保持稳定性。此外，正向电压(Vf)的正温度系数(Tc)特性有助于模块的并联使用，进一步增强了系统的灵活性和可靠性。
新款 CV72AX 非常适合下一代车载控制器，支持多达 10 个摄像头，其 AI 性能是上一代芯片 CV22 的 6 倍，支持视觉 Transformer 模型和 VLM 模型，可提供实时监测预警、多通道视频预分类和自然语言搜索，实现了更高效的视频分析，以上所有功能都无需提前训练。
xilinx 中国一项开创性的联合设计制造（JDM）项目，为电动车（xEVs）驱动逆变器打造一款名为”磁欧石”的创新型150KW功率模组（如图一）。这款产品的推出将满足电动车对高效能、可靠性的严格要求。”磁欧石”采用了750V/450A IGBT解决方案，并整合了银烧结（Die Top System）和单面覆铜基板裸露（Single-Sided exposed Copper）成型工艺等先进技术，为欧洲和美国的电动车提供卓越的可靠性。
这款器件边绕线圈的直流内阻（DCR）低至1.1mΩ，极大限度减少损耗，有助于改善额定电流性能，提高效率。与铁氧体解决方案相比，IHDF-1300AE-1A额定电流提高75%。器件采用超薄封装，便于设计师满足AEC-Q200标准严格的机械冲击和振动要求，同时降低基板高度，节省空间。
对此，通过利用基于村田特有的陶瓷及电极材料微粒化和均匀化的薄层成型技术以及高精度叠层技术，村田开发出尺寸为0.4mm×0.2mm的超小型低损耗片状多层陶瓷电容器，能保证在150℃的温度下工作、额定电压为100V。与村田之前的产品（0603M尺寸）相比，成功地实现了小型化，将贴装面积缩减了约35%，体积缩小了约55%。由此为无线通信模块的小型化做出了贡献。此外，产品小型化还有助于减少材料和生产过程中的能源消耗。
