与市场上的替代iToF传感器相比,意法半导体采用背面照明的堆叠晶圆制造工艺可实现无与伦比的分辨率、更小的芯片尺寸和更低的功耗。
renesas代理商高度稳健的CoolSiC?技术与.XT互连技术相结合,使这些半导体器件能够应对AI处理器功率要求突变所造成的功率峰值和瞬态,并且凭借连接技术和低正 RDS(on) 温度系数,即便在结温较高的工作条件下也能发挥出色的性能。
Marktech MTMD142345PDT38 多 LED 光电二极管组合MTMD142345PDT38 具有五个尺寸为 1.04、1.2、1.3、1.46 和 1.55μm 的 LED,以及一个在 600 – 1,750nm 范围内敏感的 InGaAs 光电二极管,所有这些均可单独寻址并密封在 TO-5 金属罐中。
英飞凌科技股份公司推出了一系列适用于工业和消费电机控制以及电源转换系统应用的新型微控制器 (MCU)。基于 Arm Cortex -M33 内核的PSOC控制 MCU提供板载功能,旨在提高下一代电机控制和电源转换系统的性能和效率。这些应用包括家用电器、电动工具、可再生能源产品、工业驱动器以及照明和计算/电信电源。
实时计算密集型应用(如智能嵌入式视觉和机器学习)正在推动嵌入式处理需求的发展,要求在边缘实现更高的能效、硬件级安全性和高可靠性。Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)今日发布PIC64系列产品,进一步扩大计算范围,满足当今嵌入式设计日益增长的需求。
renesas代理商 CoolSiC MOSFET 2000 V产品系列适用于1500 VDC 的高直流母线系统。与 1700 V SiC MOSFET相比,这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5 V,并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT 连接技术,这些器件可提供一流的散热性能,以及高防潮性。
TDK株式会社(TSE:6762)利用适用于汽车和工业应用场景的新型双芯片传感器 HAR 3920-2100*,进一步扩充了 Micronas 3D HAL 位置传感器系列。其设计旨在满足在存在干扰杂散场的情况下,对线性位置和角度位置进行高精度测量的需求。
这系列单片机具备丰富的周边资源,包括CAN、EBI、DIV、SPI、UART、USART、I?C、MCTM、GPTM、PWM、BFTM、RTC、CRC、CMP、内建具自动扫描功能的LED Controller、12-bit SAR ADC转换速度提升至2Msps并带有可配置电压VREF可作为内部参考电压源。封装提供32/46 QFN及48/64 LQFP,GPIO脚位达54。
Vishay Semiconductors TFBS4xxx和TFDU4xxx系列器件在单体封装中包括PIN光电二极管、红外发射器(IRED)和低功率控制IC。升级版红外收发器采用Vishay内部开发的新型IC和表面发射器芯片技术,旨在确保IRDC产品向客户长期供货。
renesas代理商 此外,该系列全系产品均支持MLO多链路操作功能,使路由器能够同时利用多个无线频段和信道连接到Wi-Fi 7客户端,为用户实现更快的数据速率、更低的延迟和更高的网络可靠性。
对于 Mac,可提供高达 85W 的直通充电,可为 MacBook Air 或 MacBook Pro 供电。Satechi 提供的新型多端口适配器有深空灰色、银色和午夜色,与 Apple 的颜色选项相匹配,并且由铝制成。
三星Galaxy Ring作为今年全新推出且备受瞩目的健康向穿戴设备,采用了环形曲线设计的钛金属边框,具备超轻量化机身、10ATM防水等级以及可达7天的持久续航能力。基于三星多年来在智能穿戴领域的积极探索,三星Galaxy Ring能以超乎想象的小巧形态,为用户带来从心率警示、睡眠追踪到日常活动在内的全天候多元健康体验。